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首個(gè)硅芯片全光學(xué)積分器面世
據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)報(bào)道，澳大利亞研究人員研制出了首個(gè)集成的全光學(xué)時(shí)間積分器，該積分器是一塊與電子技術(shù)兼容的光子芯片。研究人員表示，這標(biāo)志著硅芯片進(jìn)入了超高速光學(xué)處理時(shí)...
2011-08-08 -
新型綠色激光源芯片在寧實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
棲霞區(qū)引進(jìn)了一名領(lǐng)軍型科技創(chuàng)業(yè)人才加拿大麥克馬斯特大學(xué)工學(xué)院工程物理系終身教授徐長(zhǎng)青博士，創(chuàng)辦了南京長(zhǎng)青 激光 科技有限責(zé)任公司。今年，世界獨(dú)創(chuàng)的綠色激光源芯片不但在寧實(shí)現(xiàn)...
2011-08-07 -
國產(chǎn)DVD激光頭用PDIC芯片將推向市場(chǎng)
杭州士蘭微電子股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱士蘭微電子)是一家成立于1997年專業(yè)從事集成電路以及半導(dǎo)體微電子相關(guān)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷售的高新技術(shù)企業(yè)。DVD激光頭用PDIC研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目是十...
2011-08-07 -
LIMO推出新型單芯片光纖耦合元件，提高耦合效率
LIMO公司針對(duì)半導(dǎo)體激光器巴條（90micro;m/500m的微型巴條）的光束整形和光纖耦合，推出了一種新型單芯片光纖耦合元件。 通常，高功率半導(dǎo)體激光器模塊都是由激半導(dǎo)體激光器巴條和一些光學(xué)...
2011-07-19 -
10.7Gb/s紅外波長(zhǎng) InGaAs APD 光探測(cè)器芯片
產(chǎn)品介紹 該型InGaAs APD 光探測(cè)器芯片是針對(duì)10.7Gb/s數(shù)率光傳輸應(yīng)用的寬帶器件。配合使用低噪轉(zhuǎn)阻放大器（TIA），其特征10Gb/s敏感性好于-26dBm。正面照射的芯片設(shè)計(jì)保證了低暗電流及高可靠性。...
2011-07-18 -
15GHz紅外波長(zhǎng) InGaAs PIN 光探測(cè)器芯片
15GHz 紅外波長(zhǎng) InGaAs PIN 光探測(cè)器芯片 產(chǎn)品介紹 該型InGaAs PIN 光探測(cè)器芯片是針對(duì)12.7Gb/s數(shù)率光傳輸應(yīng)用的寬帶器件。配合使用低噪轉(zhuǎn)阻放大器（TIA），其特征10Gb/s敏感性好于-19dBm。正面照射的...
2011-07-18 -
1550 納米及DWDM 波長(zhǎng) 11.5 Gb/sec, 80 km 制冷電吸收調(diào)制激光器（EML）芯片
1550 納米及 DWDM 波長(zhǎng) 11.5 Gb/sec, 80 km 制冷電吸收調(diào)制激光器（ EML ）芯片 產(chǎn)品特征 低閾值電流 支持0dBm平均輸出功率 可支持80公里傳輸 長(zhǎng)期的實(shí)際應(yīng)用可靠性 極高的可靠性設(shè)計(jì)，包括 o 高質(zhì)量...
2011-07-18 -
1550 納米及DWDM 波長(zhǎng) 2.5Gb/sec, 640 km 制冷電吸收調(diào)制激光器（EML）芯片
1550 納米及 DWDM 波長(zhǎng) 2.5Gb/sec, 640 km 制冷電吸收調(diào)制激光器（ EML ）芯片 產(chǎn)品特征 低閾值電流 支持0dBm平均輸出功率 可支持640公里傳輸 長(zhǎng)期的實(shí)際應(yīng)用可靠性 極高的可靠性設(shè)計(jì)，包括 o 高質(zhì)量...
2011-07-18
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