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半導(dǎo)體所授權(quán)專利榮獲第二十屆中國(guó)專利金獎(jiǎng)

rongpuiwing 來(lái)源:中科院半導(dǎo)體所2018-12-26 我要評(píng)論(0 )   

12月25日,第二十屆中國(guó)專利獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)大會(huì)在北京隆重召開,半導(dǎo)體研究所鄭婉華課題組授權(quán)專利“低發(fā)散角近衍射極限輸出啁啾光子晶體

12月25日,第二十屆中國(guó)專利獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)大會(huì)在北京隆重召開,半導(dǎo)體研究所鄭婉華課題組授權(quán)專利“低發(fā)散角近衍射極限輸出啁啾光子晶體邊發(fā)射激光器陣列”榮獲第二十屆中國(guó)專利金獎(jiǎng),這是我所首次榮獲中國(guó)專利金獎(jiǎng)。


“低發(fā)散角近衍射極限輸出啁啾光子晶體邊發(fā)射激光器陣列”專利是基于半導(dǎo)體光子晶體激光芯片,通過(guò)在傳統(tǒng)半導(dǎo)體激光外延中引入垂直方向和水平方向的啁啾光子晶體結(jié)構(gòu),在保證激光高輸出效率的同時(shí),有效解決了傳統(tǒng)半導(dǎo)體激光芯片發(fā)散角大,亮度低等共性問(wèn)題,該發(fā)明與傳統(tǒng)光電子芯片制備技術(shù)相兼容,適合于廣泛推廣。獲獎(jiǎng)專利技術(shù)采用人工微結(jié)構(gòu)功能材料,屬未來(lái)高端半導(dǎo)體激光芯片發(fā)展的新方向,為我國(guó)突破高端激光芯片壁壘提供了自主制造新方案。


  據(jù)悉,"中國(guó)專利獎(jiǎng)"由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局于1989年設(shè)立,每年評(píng)選一次,是中國(guó)唯一的專門對(duì)授予專利權(quán)的發(fā)明創(chuàng)造給予獎(jiǎng)勵(lì)的政府部門獎(jiǎng),得到聯(lián)合國(guó)世界知識(shí)產(chǎn)權(quán)組織(WIPO)的認(rèn)可,在國(guó)際上有一定的影響。第二十屆中國(guó)專利獎(jiǎng)共評(píng)選出中國(guó)專利金獎(jiǎng)30項(xiàng),中國(guó)外觀設(shè)計(jì)金獎(jiǎng)10項(xiàng),中國(guó)專利銀獎(jiǎng)60項(xiàng),中國(guó)外觀設(shè)計(jì)銀獎(jiǎng)15項(xiàng),中國(guó)專利優(yōu)秀獎(jiǎng)?lì)A(yù)獲獎(jiǎng)項(xiàng)目698項(xiàng),中國(guó)外觀設(shè)計(jì)優(yōu)秀獎(jiǎng)?lì)A(yù)獲獎(jiǎng)項(xiàng)目61項(xiàng)。


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半導(dǎo)體專利金獎(jiǎng)
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