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近期，中國科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院固體物理研究所計(jì)算物理與量子材料研究部徐文課題組與中國工程物理研究院合作，應(yīng)用太赫茲自由電子激光裝置(CTFEL)裝置，開展電子材料的太赫茲動力學(xué)特性研究，相關(guān)研究成果以Picosecond terahertz pump-probe realized from Chinese terahertz free-electron laser為題，發(fā)表在Chinese Physics B上。

電子能量弛豫時間是電子材料的關(guān)鍵物理參數(shù)之一。研究人員利用CTFEL特有的太赫茲脈沖結(jié)構(gòu)(特別是皮秒脈寬微脈沖結(jié)構(gòu))，搭建首創(chuàng)的“單色皮秒太赫茲泵浦-探測”系統(tǒng)(圖1)，基于此系統(tǒng)，測量半導(dǎo)體材料的泵浦-探測特性及電子能量弛豫時間，研究室溫下高遷移率n-GaSb晶體在不同自由電子激光輻照頻率下的動力學(xué)電子特性。研究人員結(jié)合理論模型的擬合(圖2)發(fā)現(xiàn)，在1.6THz(輻照功率為10W)和2.4THz(輻照功率為25W)激光輻照下獲得n-GaSb晶體的電子能量弛豫時間分別為2.92ps和2.32ps，該結(jié)果與應(yīng)用四波混頻技術(shù)得到的實(shí)驗(yàn)結(jié)果一致。

研究進(jìn)一步發(fā)現(xiàn)，在強(qiáng)太赫茲自由電子激光輻射下，電子-聲子散射誘導(dǎo)的熱電子效應(yīng)或非線性電子響應(yīng)會導(dǎo)致半導(dǎo)體材料中電子能量弛豫時間的減小，此時電子從輻射激光場獲得能量，通過發(fā)射聲子(或晶格振動)耗散能量。當(dāng)聲子發(fā)射的能量損失率小于光子吸收的能量增益率時，材料中的電子會被加熱，從而使電子弛豫時間減小。

我國自主研制的首臺太赫茲自由電子激光裝置于2017年底在成都飽和出光并投入運(yùn)行，標(biāo)志著我國太赫茲科技已正式步入自由電子激光時代。該研究中基于CTFEL搭建的“單色皮秒太赫茲泵浦-探測”系統(tǒng)與其它超快光電探測技術(shù)相比，在電子和光電子材料研究中具有優(yōu)勢：不涉及光生載流子和相關(guān)激子效應(yīng)，可測量自由電子的動量和能量弛豫動力學(xué)過程;實(shí)現(xiàn)單色太赫茲泵浦和探測，無需對測量數(shù)據(jù)進(jìn)行傅里葉變換來分析實(shí)驗(yàn)結(jié)果;結(jié)合自由電子激光的頻率連續(xù)可調(diào)性，實(shí)現(xiàn)對太赫茲泵浦-探測的輻照頻率選擇。研究表明，基于自由電子激光的“單色皮秒太赫茲泵浦-探測”技術(shù)，可為電子和光電子材料的動力學(xué)特性研究提供新的測量方法，拓寬脈沖型太赫茲自由電子激光的應(yīng)用研究領(lǐng)域。

該研究是在CTFEL裝置上取得的首項(xiàng)可公開發(fā)表的應(yīng)用研究成果，得到國家自然科學(xué)基金委員會-中國工程物理研究院聯(lián)合基金(NSAF)的支持。