10月30日,蘇州半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院廠房?jī)艋b修項(xiàng)目正式開工。長(zhǎng)光華芯董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理閔大勇、副總經(jīng)理廖新勝,以及項(xiàng)目工程相關(guān)負(fù)責(zé)人共同出席開工儀式。
■長(zhǎng)光華芯董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理閔大勇致辭
活動(dòng)儀式上閔大勇發(fā)表致辭,他對(duì)各負(fù)責(zé)公司及相關(guān)人員在項(xiàng)目前期做出的努力表示肯定,表示對(duì)項(xiàng)目早日高質(zhì)量、高效完工充滿期望。他談到,研究院項(xiàng)目的建成是一個(gè)新的起點(diǎn)、新的征程,不僅代表著長(zhǎng)光華芯產(chǎn)能的大幅提升,芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程更近一步,更是一個(gè)半導(dǎo)體激光芯片的產(chǎn)業(yè)“高地”的落成。
蘇州半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院由蘇州高新區(qū)和長(zhǎng)光華芯共建,項(xiàng)目總投資5億元,占地面積近2.3萬(wàn)平方米,建筑面積5萬(wàn)平方米。研究院主體結(jié)構(gòu)由研發(fā)大樓、辦公大樓、生產(chǎn)工藝大樓組成。目前生產(chǎn)工藝大樓(1.3萬(wàn)平方米)已完成土建,啟動(dòng)內(nèi)裝。
■項(xiàng)目建設(shè)現(xiàn)場(chǎng)
未來(lái),研究院將充分利用長(zhǎng)光華芯已有的高功率半導(dǎo)體激光芯片優(yōu)勢(shì),橫向拓展高效率半導(dǎo)體VCSEL芯片、高速光通訊芯片、激光照明、激光顯示等方向和領(lǐng)域,建設(shè)成為國(guó)內(nèi)一流的半導(dǎo)體激光芯片研發(fā)平臺(tái)。
研究院建成后,預(yù)計(jì)長(zhǎng)光華芯的芯片及模塊產(chǎn)能將提升5-10倍,同時(shí)通過(guò)研究院平臺(tái)吸引全球該領(lǐng)域和相關(guān)領(lǐng)域高端人才,形成批量引進(jìn)和集聚效應(yīng),打造半導(dǎo)體激光產(chǎn)業(yè)“高地”。
■蘇州半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院概念圖
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