昨(19)日,微源光子(深圳)科技有限公司發(fā)生工商變更,新增華為關(guān)聯(lián)公司 深圳哈勃科技投資合伙企業(yè) (有限合伙) 為股東,同時(shí)公司注冊(cè)資本由84.93萬元人民幣增加至90.82萬元人民幣,增幅6.93%。
Source:企查查
此前,小米關(guān)聯(lián)公司海南極目創(chuàng)業(yè)投資有限公司已入股該公司,持股6.48%。
企查查信息顯示,該公司成立于2018年,經(jīng)營范圍包含:混合集成電路、片式元器件、光電子器件及傳感器等新型電子元器件的技術(shù)開發(fā)等。
公開資料顯示,微源光子專注于高性能激光器芯片及配套光電模組的研發(fā)、生產(chǎn),核心技術(shù)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),產(chǎn)品技術(shù)在國內(nèi)有唯一性。據(jù)智慧芽數(shù)據(jù)顯示,微源光子主要專注于激光器、窄線寬、增益芯片、光子芯片、激光雷達(dá)等技術(shù)領(lǐng)域。
華為、小米擴(kuò)大激光雷達(dá)投資版圖!
此前,華為哈勃就投資過長光華芯、源杰半導(dǎo)體等激光芯片廠商。其中長光華芯已于4月1日正式登陸科創(chuàng)板。
實(shí)際上,早在2016年,華為就開始布局激光雷達(dá)市場,進(jìn)軍汽車芯片領(lǐng)域。
2020年11月,T10 ICV CTO峰會(huì)上,華為首次面向行業(yè)正式發(fā)布了其車規(guī)級(jí)高性能激光雷達(dá)產(chǎn)品和解決方案。
小米方面,截止目前,小米系資本投資了四家公司,順為資本投資了北醒光子和圖達(dá)通;小米長江產(chǎn)業(yè)基金投資了力策科技,小米集團(tuán)投資了禾賽科技。
隨著汽車朝著智能化的快速發(fā)展,自動(dòng)駕駛概念火熱。而雷達(dá)在汽車自動(dòng)駕駛中扮演著重要的角色,其中激光雷達(dá)的性能尤為突出。
激光雷達(dá)通過激光束能夠精準(zhǔn)地探測目標(biāo)的位置、速度、和方向等,在汽車上應(yīng)用可高效的感知周邊三維空間的實(shí)時(shí)信息。同時(shí),激光雷達(dá)的探測精度達(dá)到了厘米級(jí),且工作性能受環(huán)境干擾較小,大幅提升了自動(dòng)駕駛的行車安全。車載激光雷達(dá)已成車企必爭之地。
氮化鎵進(jìn)入激光雷達(dá)市場
激光雷達(dá)的激光器是由專門設(shè)計(jì)的電路所驅(qū)動(dòng)的,它能夠在短時(shí)間內(nèi)提供大量電流。普通的驅(qū)動(dòng)器是由一個(gè)與激光器串聯(lián)、充當(dāng)電流開關(guān)的元件所構(gòu)成。在實(shí)際的系統(tǒng)中,傳統(tǒng)的Si器件(例如MOSFET)無法實(shí)現(xiàn)激光驅(qū)動(dòng)器的高性能輸出,其圖像獲取速度慢且較為模糊。
為了增強(qiáng)控制并提升相應(yīng)性能,MOSFET的溝道必須足夠大,這會(huì)增加寄生電容的充電時(shí)間,從而導(dǎo)致開關(guān)頻率太低而不滿足應(yīng)用所需。此外,散熱管理要達(dá)到良好的效果,就需要使用大體積、大重量的散熱器,這使得激光雷達(dá)發(fā)展一度受阻。
近年來,極具成本效益的第三代半導(dǎo)體GaN技術(shù)陸續(xù)商用化,其優(yōu)越的性能可以更快地觸發(fā)激光信號(hào),讓自動(dòng)駕駛汽車看得更遠(yuǎn)、更快速、更清晰。
與Si MOSFET器件相比,
GaN FET在LiDAR應(yīng)用中具備多種優(yōu)勢
(1)與具有相同額定電流的Si MOSFET器件相比,這些GaN器件的輸入電容CISS低出10倍,從而使得GaN FET的開啟速度更快;
(2)GaN FET是一種橫向器件,使用晶圓級(jí)芯片規(guī)模封裝(WLCSP)。WLCSP具有極低的電感、卓越的散熱性能、高可靠性和最小的附加成本;
(3)GaN FET芯片的尺寸比具有相同電壓和額定電流的Si MOSFET小得多,從而進(jìn)一步降低了電感,并使得相鄰的激光器的相互間距可以很窄,對(duì)于多種應(yīng)用來說非常有利,例如適用于多通道的LiDAR應(yīng)用。
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