過(guò)去十年,集成光子學(xué)的重要性顯著增加。隨著數(shù)據(jù)速率和數(shù)據(jù)吞吐量不斷提高,傳統(tǒng)銅互聯(lián)的性能越來(lái)越呈現(xiàn)出限制性,光子學(xué)和集成光子學(xué)的發(fā)展已經(jīng)成為網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施的關(guān)鍵。
英特爾實(shí)驗(yàn)室在光子學(xué)領(lǐng)域投入了大量資金,該實(shí)驗(yàn)室最近演示了一個(gè)嚴(yán)格控制、高度集成的八波長(zhǎng)激光器,在集成光子學(xué)領(lǐng)域首次獲得了業(yè)界認(rèn)可。
近日,筆者有幸與英特爾實(shí)驗(yàn)室PHY研究實(shí)驗(yàn)室高級(jí)首席工程師兼主任James Jaussi以及高級(jí)首席工程師榮海生博士進(jìn)行了交流,了解了更多關(guān)于該項(xiàng)目的消息。
光子集成的需求
隨著電子行業(yè)向更快的數(shù)據(jù)速率和更小的尺寸節(jié)點(diǎn)發(fā)展,該領(lǐng)域面臨著許多相關(guān)問(wèn)題。其中一個(gè)問(wèn)題是,由于銅的非理想耦合,頻率增加時(shí)會(huì)導(dǎo)致更多的寄生。Jaussi解釋說(shuō):
“研究光學(xué)和光通信的一個(gè)動(dòng)機(jī)是改善接口性能。隨著時(shí)間的推移,每個(gè)封裝的性能都在提升,總功耗也在增加。但是,I/O接口的功耗增長(zhǎng)速度更快?!?/em>
想要提高未來(lái)I/O接口的能效和工作范圍,很有可能是在同一個(gè)封裝中集成硅電路和光學(xué)。研究人員認(rèn)為,通過(guò)將CMOS和光子學(xué)集成到一個(gè)封裝中,可以解決傳統(tǒng)銅互連的局限性,從而提高整體帶寬、能源效率和電路復(fù)雜性。
多波長(zhǎng)激光器集成
從高集成中受益的一個(gè)重要的光子應(yīng)用是多波長(zhǎng)激光。
在像互聯(lián)網(wǎng)這樣的通信應(yīng)用中,光通信最簡(jiǎn)單的形式是由單一波長(zhǎng)的激光TX/RX方案組成的單一光纖。然而在實(shí)踐中,工程師們會(huì)把一組激光器放入一根光纖中,每組激光器都由不同的波長(zhǎng)組成(波長(zhǎng)種類隨著帶寬要求增加)。今天,長(zhǎng)途通信系統(tǒng)可以在一根光纖中使用近100個(gè)波長(zhǎng)。
但是,當(dāng)涉及到芯片間通信時(shí),這種方案變得非常難以實(shí)現(xiàn)。榮博士解釋說(shuō):
“當(dāng)談?wù)撔酒g通信時(shí),我們需要很多組件,實(shí)際上是數(shù)十億個(gè)組件,比如單獨(dú)的激光器和調(diào)制器。這會(huì)導(dǎo)致使用傳統(tǒng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)時(shí),成本是無(wú)法接受的。集成將是向前發(fā)展的關(guān)鍵,而硅光子技術(shù)將是實(shí)現(xiàn)集成的關(guān)鍵。”
為了實(shí)現(xiàn)芯片間通信所需的集成光子學(xué),英特爾實(shí)驗(yàn)室探索了使用密集波分復(fù)用(dense wavelength division multiplexing,簡(jiǎn)稱DWDM)技術(shù)的共封裝光學(xué)解決方案。這種方案已經(jīng)顯示出在顯著減少光子芯片物理尺寸的同時(shí)增加帶寬的希望。然而,到目前為止,一個(gè)主要的挑戰(zhàn)是如何制造具有均勻波長(zhǎng)間距和功率的DWDM光源。
英特爾集成八波長(zhǎng)激光器
最近,英特爾公司宣布成功演示了一種嚴(yán)格控制的集成八波長(zhǎng)激光器,在該領(lǐng)域取得了重大進(jìn)展。
光學(xué)解決方案是一個(gè)分布式反饋(DFB)激光陣列,完全集成在一個(gè)硅晶圓上,并在英特爾的300毫米混合硅光子平臺(tái)上設(shè)計(jì)和制造。在此過(guò)程中,英特爾使用先進(jìn)的光刻技術(shù)在III-V晶圓鍵合工藝之前定義硅波導(dǎo)光柵,這種方法與傳統(tǒng)半導(dǎo)體激光器相比,允許更好的波長(zhǎng)均勻性。榮博士解釋說(shuō):
“我們用8個(gè)波長(zhǎng)間距非常均勻的激光器來(lái)完成這個(gè)激光區(qū)域,這是很難實(shí)現(xiàn)的。我們擁有獨(dú)特的設(shè)計(jì)和制造技術(shù),可以完成別人做不到的事情。通過(guò)將一塊非常小的磷酸鹽芯片固定在晶圓上,然后平面化并移除襯底,最終得到了一個(gè)上面有一層非常薄的磷酸鹽薄膜的晶圓。”
該激光器陣列的輸出功率均勻度為+/- 0.25 dB,波長(zhǎng)間距均勻度為±6.5%,超過(guò)了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
英特爾相信,未來(lái)這方面的進(jìn)步將有助于促進(jìn)網(wǎng)絡(luò)密集型工作,包括人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)。
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