美國桑迪亞國家實驗室將微型光學(xué)器件集成在硅微芯片上!這種方法使桑迪亞國家實驗室能夠構(gòu)建高帶寬、高速光學(xué)器件,包括磷化銦激光器、鈮酸鋰調(diào)制器、鍺探測器和低損耗聲光隔離器——這些都是高功率光學(xué)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件。
在硅上制造激光器是一項具有挑戰(zhàn)性的壯舉,桑迪亞國家實驗室認為這可能會擴大美國在半導(dǎo)體技術(shù)方面的領(lǐng)導(dǎo)地位。例如其他機構(gòu)或組織,包括加州大學(xué)圣巴巴拉分校和英特爾公司,也制造了類似的激光器,但桑迪亞已經(jīng)擴大了可集成設(shè)備的類別。這是第一次,這些設(shè)備可以在光學(xué)硅微芯片上一起工作,也稱為光子集成電路。目前激光現(xiàn)在正與其他微型光學(xué)設(shè)備相結(jié)合,使自動駕駛汽車更安全,數(shù)據(jù)中心更高效,生物傳感器更便攜,雷達和其他防御技術(shù)更通用。
實驗晶圓片——在桑迪亞國家實驗室中,一千多個實驗激光器和放大器“裝飾”著一個三英寸的鍍金硅晶圓片。
這種方法使桑迪亞國家實驗室能夠構(gòu)建高帶寬、高速光學(xué)器件,包括磷化銦激光器、鈮酸鋰調(diào)制器、鍺探測器和低損耗聲光隔離器——這些都是高功率光學(xué)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件。
集成硅是邁向未來生產(chǎn)的關(guān)鍵一步
硅是半導(dǎo)體工業(yè)的命脈,也是制造計算機芯片的重要材料。然而,就其本身而言,它是一種制造激光器的糟糕材料。研究人員面臨的挑戰(zhàn)是設(shè)計一種方法,使由多種材料制成的光學(xué)元件在硅微芯片上共存。
這些材料不能簡單地粘在一起,所以研究人員將它們與硅融合成復(fù)雜的層,這一過程也被稱為異質(zhì)集成。
桑迪亞研究小組成功地展示了異質(zhì)集成技術(shù)來制造混合硅器件:由磷化銦和硅制成的混合激光器和放大器,以及由鈮酸鋰和硅制成的類似調(diào)制器,它們在激光產(chǎn)生的光中編碼信息。
此外,在同一平臺下,高功率和高速鍺探測器也被開發(fā)出來用來跟上激光器和調(diào)制器的發(fā)展。
表征激光-桑迪亞科學(xué)家在顯微鏡下將光纖與芯片級的非均勻集成激光器對齊。
雖然桑迪亞研究小組成功取得的研究進展,但他們表示,在光子芯片開始下線之前,他們還需要與行業(yè)合作伙伴進一步完善他們的方法。在未來的研究中,桑迪亞研究小組希望將激光與其他光學(xué)元件結(jié)合到一個芯片上。
桑迪亞國家實驗室建立芯片級激光器的目標是將該技術(shù)轉(zhuǎn)化為工業(yè)。該團隊使用了許多與商業(yè)半導(dǎo)體工廠相同的工具,激光器產(chǎn)生的光波長通常用于電信行業(yè),稱為C波段和O波段。
桑迪亞研究小組稱,一旦他們在國家實驗室展示了這個光子平臺,他們就可以把這項技術(shù)傳遞給美國公司,在美國公司他們可以專注于商業(yè)化更大規(guī)模的生產(chǎn)。
桑迪亞國家實驗室也在投資光學(xué)微芯片,因為它們比傳統(tǒng)芯片傳輸更多的信息。但桑迪亞研究小組稱,制造方面的挑戰(zhàn)阻礙了它們的廣泛采用。盡管這項技術(shù)在科學(xué)界眾所周知,但在大多數(shù)微芯片上,電子技術(shù)仍然占主導(dǎo)地位。
憑借構(gòu)建光子電路的平臺,桑迪亞國家實驗室已經(jīng)將自己定位為支持行業(yè)和其他機構(gòu)在未來幾年進行光子學(xué)研究和開發(fā)的引領(lǐng)者。但桑迪亞國家實驗室的研究目前沒有得到CHIPS法案的資助。桑迪亞國家實驗室希望其他國家合作,共同開發(fā)新技術(shù)。
美國總統(tǒng)拜登在2022年簽署了《芯片與科學(xué)法案》(CHIPS and Science Act),這是一項無黨派的法案,為半導(dǎo)體行業(yè)提供了527億美元的激勵。雖然這項立法預(yù)計會增加美國制造的計算機芯片的產(chǎn)量,但它也會為光子半導(dǎo)體提供資金。
眾所周知,《芯片與科學(xué)法案》美其名曰是一項美國產(chǎn)業(yè)撥款和補貼的政策,實質(zhì)上是打壓中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。法案明確限制相關(guān)企業(yè)在中國的建投或擴建先進制造晶圓廠,極大程度阻礙中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,美國企圖通過《芯片與科學(xué)法案》將中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)“邊緣化”的做法,無疑是“霸權(quán)行為”。
《芯片與科學(xué)法案》對中國的影響,短期導(dǎo)致產(chǎn)能供應(yīng)不安全、產(chǎn)能擴張滯后、技術(shù)研發(fā)受制;而長期則是將中國企業(yè)排除在技術(shù)標準領(lǐng)域之外,失去了制定標準的機會。
這只會刺激加速我國國產(chǎn)化替代進程,倒逼中國發(fā)展芯片產(chǎn)業(yè)。中國正在重建一個國內(nèi)大循環(huán)為主體、國內(nèi)國際雙循環(huán)相互促進的新發(fā)展格局,這將是未來中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最強健的根基。
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