10月15日，
萊普科技全國總部
暨集成電路裝備研發(fā)制造基地項目
在成都高新區(qū)
成功舉行奠基儀式。
項目名片 項目總投資： 16.6億元 項目面積： 占地面積39畝，建筑面積6.5萬平米 項目規(guī)劃： 將于2023年10月開工建設(shè)，預(yù)計2025年5月前通過并聯(lián)并行竣工驗收，2026年5月全面達產(chǎn)。 主要建設(shè)內(nèi)容： 萊普科技全國總部暨集成電路裝備研發(fā)制造基地項目（即成都萊普科技股份有限公司總部暨生產(chǎn)基地建設(shè)項目）包括企業(yè)全國總部、技術(shù)中心、制造中心、服務(wù)中心以及核心零部件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地，并將同步建設(shè)中科院半導(dǎo)體所成都半導(dǎo)體材料先進激光加工技術(shù)聯(lián)合實驗室及培訓(xùn)基地、四川省全固態(tài)先進激光工程技術(shù)研究中心等項目。
企 業(yè) 說 項目的落地將有力推動我國半導(dǎo)體領(lǐng)域激光裝備和技術(shù)的進步。在集成電路制造前道工藝創(chuàng)新、先進激光技術(shù)應(yīng)用與系統(tǒng)集成、核心零部件自主可控、專業(yè)人才培養(yǎng)等方面產(chǎn)生積極作用。 ——萊普科技相關(guān)負(fù)責(zé)人表示
作為成都產(chǎn)業(yè)發(fā)展高地，成都高新區(qū)大力推進新型工業(yè)化，持續(xù)推動半導(dǎo)體設(shè)備材料國產(chǎn)化進程。
成都高新西區(qū)鳥瞰圖
今年3月，成都高新區(qū)發(fā)布了《成都高新區(qū)集成電路建圈強鏈三年攻堅計劃（2023-2025）》（征求意見稿），按照“補制造、強設(shè)計、擴封測、延鏈條”的總體思路，以模擬芯片為核心，以算力芯片、存儲芯片及功率器件為重點，構(gòu)建規(guī)模大、技術(shù)強、要素全的集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈，加快“中國存儲谷”建設(shè)。力爭到2025年，實現(xiàn)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模突破1700億元。
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