距離正式落戶江陰不到半年時(shí)間，位于霞客灣創(chuàng)智園的江蘇通用半導(dǎo)體有限公司就迎來了技術(shù)新突破——自研設(shè)備8英寸碳化硅晶錠激光剝離設(shè)備正式交付碳化硅襯底生產(chǎn)頭部企業(yè)廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司，并投入生產(chǎn)?！芭c傳統(tǒng)的線切割工藝相比，大幅降低了產(chǎn)品損耗，而設(shè)備售價(jià)僅僅是國(guó)外同類產(chǎn)品的三分之一，屬于國(guó)內(nèi)首套?！倍麻L(zhǎng)陶為銀介紹。
??以激光為“刀”，向內(nèi)“刻”出新質(zhì)生產(chǎn)力。通用半導(dǎo)體的發(fā)展歷程由一場(chǎng)又一場(chǎng)激光微納加工領(lǐng)域的技術(shù)升維戰(zhàn)串聯(lián)而成：2020年，企業(yè)研發(fā)出國(guó)內(nèi)首臺(tái)半導(dǎo)體激光隱形切割機(jī)；2022年，成功推出國(guó)內(nèi)首臺(tái)18納米及以下SDBG激光隱切設(shè)備；2023年，成功研發(fā)國(guó)內(nèi)首臺(tái)8英寸全自動(dòng)SiC晶錠激光剝離產(chǎn)線；2024年，研制成功SDTT激光隱切設(shè)備……
??“這個(gè)就是射頻芯片，切割要求是在6微米以內(nèi)，相當(dāng)于人類頭發(fā)絲的二十分之一?！痹谡箯d內(nèi)，陶為銀亮出了利用企業(yè)最新技術(shù)切割出的產(chǎn)品，并用手機(jī)放大后細(xì)細(xì)介紹，“傳統(tǒng)砂輪切割的‘刀’是砂輪，最薄也只能做到40微米，激光切割的‘刀’是光斑，通用可以做到0.5微米，完全可以輕松駕馭6微米以內(nèi)的精度要求?！蹦壳?，江蘇通用的激光隱形切割設(shè)備已獲發(fā)明專利56件，實(shí)用新型專利226件。
??碳化硅功率器件因其獨(dú)特的性能成為大功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的“香餑餑”。然而，由于其硬度高、脆性高，使用傳統(tǒng)線切工藝切割、剝離碳化硅晶錠時(shí)，效率過低、損耗過高，導(dǎo)致襯底產(chǎn)能嚴(yán)重不足，生產(chǎn)成本居高不下。陶為銀介紹，早在一年多前，企業(yè)就把目光投向該領(lǐng)域，終于在今年7月，利用自主研發(fā)的碳化硅晶錠激光剝離設(shè)備，成功剝離出厚度僅為130微米的超薄碳化硅晶圓片。
??向技術(shù)工藝高峰不斷攀登讓江蘇通用向“新”而行?！芭c線切一片需要2個(gè)多小時(shí)相比，我們的速度和良品率有了飛躍，極大地降低碳化硅襯底的生產(chǎn)成本?！钡諡殂y并未止步于此，而是在設(shè)備的自動(dòng)化上下功夫，碳化硅晶錠激光剝離設(shè)備實(shí)現(xiàn)了6英寸和8英寸晶錠的全自動(dòng)分片，“晶錠上料、晶錠研磨、激光切割、晶片分離和晶片收集都由機(jī)器完成，去年我們剝離一片是30分鐘，今年是20分鐘?！?/p>
??隨著一個(gè)接一個(gè)自研新設(shè)備陸續(xù)推向市場(chǎng)，通用半導(dǎo)體到明年的訂單都已飽和?！翱偛堪岬浇幒?，占比近40%的研發(fā)人員也轉(zhuǎn)戰(zhàn)江陰。”陶為銀介紹，創(chuàng)智園內(nèi)的全部產(chǎn)線投入生產(chǎn)并把設(shè)備推向市場(chǎng)后，預(yù)計(jì)每年可剝離碳化硅襯底2萬片。就在距離園區(qū)數(shù)百米處，一片50畝熟地已準(zhǔn)備就緒。陶為銀透露，通用半導(dǎo)體將進(jìn)一步加快產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。（唐蕓蕓）
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