據(jù)“勢能資本”官微消息,芯辰半導(dǎo)體(蘇州)有限公司(下文簡稱“芯辰半導(dǎo)體”)外延設(shè)備已于近日投產(chǎn),覆蓋砷化鎵(GaAs)及磷化銦(InP)光芯片四元化合物全材料體系。
據(jù)介紹,芯辰半導(dǎo)體目前已實現(xiàn)波長范圍760nm~1700nm外延片的量產(chǎn),外延均勻性為激射中心波長外2nm之內(nèi)。其中典型波長的激光芯片外延片,如808、850、905、940、1064、1550、1654nm,已在自主產(chǎn)線實現(xiàn)VCSEL或DFB芯片驗證。
source:芯辰半導(dǎo)體此外,相關(guān)外延片已獲客戶長期合作訂單,其中砷化鎵外延片最大可支持6英寸晶圓、磷化銦外延片最大可支持4英寸晶圓,同時配套有相關(guān)晶圓質(zhì)量檢測設(shè)備。公開資料顯示,芯辰半導(dǎo)體專注于生產(chǎn)VCSEL和EEL激光器芯片。其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光通信、激光雷達、生物醫(yī)學(xué)和先進裝備等多個領(lǐng)域。公司采用IDM模式,致力于在太倉打造砷化鎵和磷化銦系光芯片自主制造基地。今年9月初,芯辰半導(dǎo)體旗下砷化鎵、磷化銦高端光電子芯片IDM生產(chǎn)線完成試運行。該產(chǎn)線包含了從芯片設(shè)計、材料外延、光刻、刻蝕、鍍膜等芯片工藝到封裝測試的完整工藝研發(fā)平臺和產(chǎn)品生產(chǎn)線。同月,公司光芯片封測平臺建設(shè)完成并對外開放。 10月底,總投資達8億元的芯辰半導(dǎo)體項目一期在江蘇太倉實現(xiàn)了投產(chǎn),預(yù)計達產(chǎn)后可實現(xiàn)年產(chǎn)8000萬顆光芯片、產(chǎn)值10億元。