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(1)濺漿沉積：濺鍍是利用高速的離子撞擊固體靶材，使表面分子濺離并射到基材鍍成一層薄膜，濺射
離子的起始動(dòng)能約在100eV。常用的電漿氣體為氬氣，質(zhì)量適當(dāng)而且沒有化學(xué)反應(yīng)。

(2)電漿輔助化沉積：氣相化學(xué)沉積的化學(xué)反應(yīng)是在高溫基材上進(jìn)行，如此才能使氣體前置物獲得足夠
的能量反應(yīng)。

(3)電漿聚合：聚合物或塑料薄膜最簡(jiǎn)單的披覆技術(shù)就是將其溶劑中，然后涂布于基板上。電漿聚合涂
布法系將分子單體激發(fā)成電漿，經(jīng)化學(xué)反應(yīng)后形成一致密的聚合體并披覆在基板上，由于基材受到電
漿的撞擊，其附著性也很強(qiáng)。

(4)電漿蝕刻：濕式堿性蝕刻，這是最簡(jiǎn)單而且便宜的方法，它的缺點(diǎn)是堿性蝕刻具晶面方向性，而且
會(huì)產(chǎn)生下蝕的問題。

(5)電漿噴覆：在高溫下運(yùn)轉(zhuǎn)的金屬組件須要有陶瓷物披覆，以防止高溫腐蝕的發(fā)生

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