| 1、前言 光纖是圓柱形介質(zhì)波導(dǎo)由纖芯、包層和涂敷層3部分組成，一般單模和多模光纖的纖芯直徑分別為5～15μm和40～100μm，包層直徑大約為125~600μm。經(jīng)過處理的光纖端面，理想狀態(tài)是一個光滑平面。但實際中，光纖端面的加工往往不能達(dá)到理想狀態(tài)，例如拋光不理想、有劃痕、表面或邊緣破碎損傷等等，都將使端面情況復(fù)雜化。對于光纖與激光器中其它元件的耦合以及光纖之間的熔接來說，要求光纖端部必須有光滑平整的表面，否則會增大損耗。本文分類介紹了光纖損耗產(chǎn)生的原因，通過實驗驗證了光纖端面質(zhì)量對光纖激光器輸出功率的影響，研究了光纖端面處理工藝流程，分析了光纖端面的切割和研磨方法，對光纖熔接過程提出了具體要求，為同類激光器的研制提供了參考依據(jù)。 2、光纖損耗種類 2.1光纖本征損耗 光纖本征損耗即光纖固有損耗，主要由于光纖機基質(zhì)材料石英玻璃本身缺陷和含有金屬過渡雜質(zhì)和OH-，使光在傳輸過程中產(chǎn)生散射、吸收和色散，一般可分為散射損耗，吸收損耗和色散損耗。其中散射損耗是由于材料中原子密度的漲落，在冷凝過程中造成密度不均勻以及密度漲落造成濃度不均勻而產(chǎn)生的。吸收損耗是由于纖芯含有金屬過渡雜質(zhì)和OH-吸收光，特別是在紅外和紫外光譜區(qū)玻璃存在固有吸收。光纖色散按照產(chǎn)生的原因可分為三類，即材料色散、波導(dǎo)色散和模間色散。其中單模光纖是以基模傳輸，故沒有模間色散。在單模光纖本征因素中，對連接損耗影響最大的是模場直徑。單模光纖本征因素引起的連接損耗大約為 0.014dB，當(dāng)模場直徑失配20%時，將產(chǎn)生0.2dB的連接損耗[1]。多模光纖的歸一化頻率V>2.404，有多個波導(dǎo)模式傳輸，V值越大，模式越多，除了材料色散和波導(dǎo)色散，還有模間色散，一般模間色散占主要地位。所謂模間色散，是指光纖不同模式在同一頻率下的相位常數(shù)β不同，因此群速度不同而引起的色散。 此外，光纖幾何參數(shù)如光纖芯徑、包層外徑、芯/包層同心度、不圓度，光學(xué)參數(shù)如相對折射率、最大理論數(shù)值孔徑等，只要一項或多項失配，都將產(chǎn)生不同程度的本征損耗。 2.2光纖附加損耗 光纖的附加損耗一般由輻射損耗和應(yīng)用損耗構(gòu)成。其中輻射損耗是由于光纖拉制工藝、光纖直徑、橢圓度的波動、套塑層溫度變化的脹縮和涂層低溫收縮導(dǎo)致光纖微彎所致；應(yīng)用損耗是由于光纖的張力、彎曲、擠壓造成的宏彎和微彎所引起的損耗。 3、實驗裝置與結(jié)果 摻Er3+光纖環(huán)形腔激光器實驗裝置如圖1所示，泵浦光由波長980nmLD尾纖輸出，經(jīng)波分復(fù)用器（WDM）耦合進(jìn)入環(huán)形光纖諧振腔，經(jīng)過耦合器分光后輸出激光。其中光纖光柵中心波長為1546.3nm，摻Er3+光纖長度為3m，摻雜濃度為400ppm，隔離器工作波長范圍為 1535~1565nm，各元件插入損耗均為0.4dB，經(jīng)上述裝置輸出功率與輸入功率的關(guān)系曲線如圖2所示，最大輸出功率可達(dá)16.9mW。但由于光纖激光器各個部件之間均熔接在一起，插入損耗和熔接損耗對整個系統(tǒng)具有非常大的影響。在熔接質(zhì)量比較好的情況下，總體光光效率可達(dá)5.3%，在光纖焊接較差的情況下，焊點漏光嚴(yán)重，用轉(zhuǎn)換片可以看到明顯的泵浦光泄露，嚴(yán)重影響總體光光效率，二者功率相差23%左右。因此如何降低腔內(nèi)熔接損耗是影響激光器輸出功率的關(guān)鍵因素。 4、光纖端面處理 光纖端面處理也稱為端面制備，是光纖技術(shù)中的關(guān)鍵工序，主要包括剝覆、清潔和切割三個環(huán)節(jié)。端面質(zhì)量直接影響光纖激光器的泵浦光耦合效率和激光輸出功率。 4.1光纖涂覆層的剝除 去除光纖涂覆層是光纖端面處理的第一步?？梢杂脛兙€鉗和刀片兩種方法進(jìn)行剝除。當(dāng)采用剝線鉗剝除時，左手拇指和食指捏緊光纖，所露長度為5cm左右，余纖在無名指和小拇指之間自然打彎，以增加力度，防止打滑，剝線鉗應(yīng)與光纖垂直，上方向內(nèi)傾斜一定角度，然后用鉗口輕輕卡住光纖，右手隨之用力，順光纖軸向平推出去，整個過程要自然流暢，爭取一次成功；當(dāng)采用刀片剝除時，首先用濃硫酸浸泡3~5cm長的光纖端頭1~2分鐘，用酒精棉擦拭干凈[2]。左手捏緊光纖，持纖要平，防止打滑，右手用刀片沿光纖向端頭方向，與光纖成一定傾斜角度，順次剝除表面涂敷層聚合物材料，采用這種方法克服了采用化學(xué)溶劑法長時間浸泡光纖腐蝕嚴(yán)重的缺點，而且比用剝線鉗或刀片直接刮除更容易、去除更干凈，不易損傷光纖包層側(cè)面部分。 4.2包層表面的清潔 觀察光纖剝除部分的包層是否全部去除，若有殘留必須去掉，如有極少量不易剝除的涂覆層，可用棉球沾適量酒精，邊浸漬，邊擦除。將脫脂棉撕成層面平整的扇形小塊，沾少許酒精（以兩指相捏無溢出為宜），折成Ｖ形，夾住已剝覆的光纖，順光纖軸向擦拭，力爭一次成功，一塊棉花使用2～3次后要及時更換，每次要使用棉花的不同部位和層面，這樣既可提高棉花利用率，又防止對光纖包層表面的二次污染。 4.3光纖端面切割 切割是光纖端面制備中最關(guān)鍵的步驟，精密優(yōu)質(zhì)的切刀是基礎(chǔ)，嚴(yán)格科學(xué)的操作規(guī)范是保證。常用切刀有筆式切割刀和臺式光纖切割刀。使用筆式切割刀切割光纖時，光纖放置在手指上，另一手持刀在距離端頭5mm左右的位置處沿垂直光纖軸線方向切割光纖，然后輕輕將切除的端頭取下；使用臺式光纖切割刀進(jìn)行操作時，首先要清潔切刀刀片、放置光纖的V型槽和定位壓板，并調(diào)整切刀位置使其擺放平穩(wěn)。切割時動作要平穩(wěn)自然，勿重、勿急，避免斷纖、斜角、毛刺和裂痕等不良端面的產(chǎn)生 [3]。 表面的清潔和切割的時間應(yīng)緊密銜接，不可間隔過長，特別是已制備的端面切勿放在污濁的空氣中。移動時要輕拿輕放，防止與其它物件擦碰。 5、光纖端面研磨 5.1研磨工藝 影響端面研磨質(zhì)量的主要因素主要有光纖的安裝與定位、端面研磨和檢查及測試。其中研磨及測試部分對研制優(yōu)質(zhì)光纖端面最為關(guān)鍵。直接影響光纖端面研磨效果的主要因素有：研磨機運轉(zhuǎn)穩(wěn)定，研磨砂紙顆粒均勻、正確使用研磨片、以及研磨參數(shù)設(shè)置（壓力和時間）[4]。 目前使用的研磨機按其運轉(zhuǎn)原理一般可分成齒輪傳動，皮帶傳動及連竿傳動三類。采用齒輪傳動方式，一般馬力較強，穩(wěn)定性較高；采用皮帶傳動方式，一般馬力較小，其轉(zhuǎn)速在高壓情況下易發(fā)生變化，此外皮帶隨時間老化后容易出現(xiàn)問題；采用連竿式傳動方式，噪音較大，穩(wěn)定性較低，機身容易抖動并且壓力偏低。 在加壓方面，有單點中心加壓，氣壓及液壓等方式。單點中心加壓易受外界影響變化，如每盤件數(shù)有限；氣壓較難控制穩(wěn)定性；而液壓操控較精確，力度相對較大，但價格昂貴。 在整個研磨過程中，不論是研磨機的速度，壓力，水或是研磨液，都會使研磨片的效果不一樣，故在選用研磨處理時，必須配合各項因素作全盤考慮，采用一個最合理的研磨方案。 5.2研磨工序 端面研磨過程經(jīng)過4道工序：粗磨、中磨、細(xì)磨、拋光。其中粗磨、中磨、細(xì)磨所用金剛砂紙的顆粒大小不同，分別為6，3，1和0.5[5]。4道工序的時間和壓力總共8個參數(shù)，配用不同的方案，就可以得到端面質(zhì)量不同的結(jié)果。改變研磨過程中這8個參數(shù)得出最佳方案研磨光纖端面圖如圖3所示。 6、光纖熔接 在把光纖放入熔接機Ｖ型槽時，要確保Ｖ型槽底部無異物且光纖緊貼Ｖ型槽底部。機器自動熔接機器開始熔接時，首先將左右兩側(cè)Ｖ型槽中光纖相向推進(jìn)，在推進(jìn)過程中會產(chǎn)生一次短暫放電，其作用是清潔光纖端面灰塵，接著會把光纖繼續(xù)推進(jìn)，直至光纖間隙處在原先所設(shè)置的位置上，這時熔接機測量切割角度，并把光纖端面附近的放大圖像顯示在屏幕上，如果出現(xiàn)圖4所示的圖像就要重做。纖芯/包層對準(zhǔn)與端面制作一樣直接影響熔接損耗，熔接機會在Ｘ軸Ｙ軸方向上同時進(jìn)行對準(zhǔn)，并且把軸向、軸心偏差參數(shù)顯示在屏幕上,如果誤差在允許范圍之內(nèi)就開始熔接。 觀察熔接結(jié)果熔接過后機器會自動評估，并顯示當(dāng)前熔接損耗，由于是估計值，鼓顯示在0.3dB以上就必須重新制端面。在熔接過后，還要進(jìn)一步觀察光纖熔接形狀，如果出現(xiàn)如圖5所示情況，必須調(diào)整機器設(shè)置，重新制作光纖端面后進(jìn)行熔接，其具體實施方式如表1所示。 熔接過程中還應(yīng)及時清潔熔接機Ｖ形槽、電極、物鏡和熔接室，隨時觀察熔接中有無氣泡、過細(xì)、過粗、虛熔、分離等不良現(xiàn)象，可采用OTDR跟蹤監(jiān)測結(jié)果，及時分析產(chǎn)生上述不良現(xiàn)象的原因，采取相應(yīng)的改進(jìn)措施。如果多次出現(xiàn)虛熔現(xiàn)象，應(yīng)檢查熔接的兩根光纖的材料、型號是否匹配，切刀和熔接機是否被灰塵污染，并檢查電極氧化狀況，若均無問題，則應(yīng)適當(dāng)提高熔接電流。 由于光纖在連接時去掉了接頭部位的涂覆層其機械強度降低，因此要對接頭部位進(jìn)行補強保護(hù)，可采用光纖熱縮保護(hù)管（熱縮管）保護(hù)光纖接頭部位。熱縮管應(yīng)在剝覆前穿入，嚴(yán)禁在端面制備后穿入。將預(yù)先穿置光纖某一端的熱縮管移至光纖接頭處，使熔接點位于熱縮管中間，輕輕拉直光纖接頭，放入加熱器內(nèi)加熱，醋酸乙烯內(nèi)管熔化，聚乙烯管收縮后緊套在接續(xù)好的光纖上，由于此管內(nèi)有一根不銹鋼棒，不僅增加了抗拉強度（承受拉力為1000～2300g），同時也避免了因聚乙烯管的收縮而可能引起接續(xù)部位的微彎。 7、盤纖 盤纖是一門技術(shù)，科學(xué)的盤纖方法可使光纖布局合理、附加損耗小、經(jīng)得住時間和惡劣環(huán)境的考驗，可避免擠壓造成斷纖。盤纖方法有很多，可以從一側(cè)的光纖盤起，固定熱縮管，然后再處理另一側(cè)余纖，該方法可根據(jù)一側(cè)余纖長度靈活選擇熱縮管安放位置，方便、快捷，可避免出現(xiàn)急彎、小圈現(xiàn)象；也可以先將熱縮套管逐個放置于固定槽中，然后再處理兩側(cè)余纖，該方法有利于保護(hù)光纖接點，避免盤纖可能造成的損害，在光纖預(yù)留盤空間較小，光纖不易盤繞和固定時，常用此種方法；當(dāng)個別光纖過長或過短時，可將其放在最后單獨盤繞；帶有特殊光器件時，可將其單獨盤繞處理，若與普通光纖共盤時，應(yīng)將其輕置于普通光纖之上，兩者之間加緩沖襯墊，以防擠壓造成斷纖，且特殊光器件尾纖不可太長。根據(jù)實際情況，可采用采用圓、橢圓、“∝”等多種圖形盤纖，按余纖長度和預(yù)留盤空間大小，順勢自然盤繞，切勿生拉硬拽，盡可能最大限度利用預(yù)留盤空間，有效降低因盤纖帶來的附加損耗。 8、光纖熔接點損耗的測量 光纖熔接點損耗的測量是度量光纖接頭質(zhì)量的重要指標(biāo)，使用光時域反射儀（OTDR）或熔接接頭的損耗評估方案等測量方法可以確定光纖接頭的光損耗。 OTDR的原理是：由于光纖的模場直徑影響其后向散射，因此在接頭兩邊的光纖可能會產(chǎn)生不同的后向散射，從而遮蔽接頭的真實損耗。如果從兩個方向測量接頭的損耗，并求出這兩個結(jié)果的平均值，便可消除單向OTDR測量的人為因素誤差。加強OTDR的監(jiān)測，對確保光纖熔接質(zhì)量，減少因盤纖帶來的附加損耗和封裝可能對光纖造成的損耗，具有十分重要的意義。在整個接續(xù)工作中，必須嚴(yán)格執(zhí)行OTDR的4道監(jiān)測程序：熔接過程中對每一根光纖進(jìn)行實時跟蹤監(jiān)測，檢查每個熔接點的質(zhì)量；每次盤纖后，對所盤光纖進(jìn)行檢驗以確定盤纖帶來的附加損耗；封裝前對所有光纖進(jìn)行檢測，以查明有無漏測和對光纖及接頭有無擠壓；封裝后對所有光纖進(jìn)行最后檢測，檢查封裝是否對光纖有損耗[6]。 此外某些熔接機使用一種光纖成像和測量幾何參數(shù)的斷面排列系統(tǒng)，通過從兩個垂直方向觀察光纖，計算機處理并分析該圖像來確定包層偏移、纖芯畸變、光纖外徑變化和其他關(guān)鍵參數(shù)，使用這些參數(shù)來評價接頭的損耗。依賴于接頭和損耗評估算法求得的接續(xù)損耗可能與真實值差異很大。 9、總結(jié) 綜上建立一套光纖端面處理與熔接的流程如圖6所示。本文分類介紹了各種光纖損耗產(chǎn)生的原因，通過實驗驗證了光纖端面質(zhì)量對光纖激光器輸出功率的影響，研究了光纖端面處理工藝流程，分析了光纖端面的切割和研磨方法，對光纖熔接過程提出了具體要求，為同類激光器的研制提供了參考依據(jù)。 |
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