遠(yuǎn)場(chǎng)模式的UV-C激光投影到屏幕上。
UV-C半導(dǎo)體激光器的截面結(jié)構(gòu)。
脈沖作用下UV-C半導(dǎo)體激光器的發(fā)射特性。
根據(jù)《應(yīng)用物理學(xué)快報(bào)》雜志的一篇報(bào)道,日本名古屋大學(xué)已經(jīng)與旭華成公司合作制造了一種能夠發(fā)射深紫外光的激光二極管。
Chiaki大學(xué)電子未來(lái)研究中心
能發(fā)射短波紫外光的激光二極管簡(jiǎn)稱UV-C,其波長(zhǎng)范圍為200~280nm,可用于醫(yī)療消毒、皮膚病治療、氣體及DNA分析。
ChiakiSasaoka教授研制的深紫外半導(dǎo)體激光器克服了半導(dǎo)體器件發(fā)展中的一些問(wèn)題。他們使用高質(zhì)量的氮化鋁作為激光二極管層的襯底。研究人員說(shuō),這是必要的,因?yàn)榈唾|(zhì)量的AlN中含有大量缺陷,這將影響激光二極管有源層將電能轉(zhuǎn)換為光能的效率。
在激光二極管中,“p型”和“n型”層被“量子阱”隔開(kāi)。當(dāng)電流通過(guò)半導(dǎo)體激光器時(shí),p型層中的正電荷空穴和n型層中的負(fù)電荷電子將聚集到中心,最終以光子的形式釋放能量。研究人員設(shè)計(jì)的量子阱發(fā)射深紫外光。他們用Gan鋁制備了p型層、n型層和包層。覆蓋層位于p和n型地層的兩側(cè)。通過(guò)摻雜將硅雜質(zhì)添加到n型層下方的包層中,并通過(guò)分布偏振摻雜將其他雜質(zhì)添加到p型層上方的包層中。p層一側(cè)的覆蓋層設(shè)計(jì)為底部最高,逐漸減少至頂部。研究人員認(rèn)為鋁梯度可以增強(qiáng)帶正電空穴的流動(dòng)。最后,制備了Mg摻雜Gan鋁的表面接觸層。在實(shí)驗(yàn)中,研究人員發(fā)現(xiàn),只有當(dāng)脈沖電流達(dá)到13.8伏特的低工作電壓時(shí),偏振摻雜p層才能發(fā)出迄今為止最短波長(zhǎng)的紫外光。
之前,Sasaoka教授團(tuán)隊(duì)正在與旭華成公司聯(lián)合開(kāi)發(fā),實(shí)現(xiàn)室溫下連續(xù)深紫外激光發(fā)射,進(jìn)而開(kāi)發(fā)UV-C半導(dǎo)體激光產(chǎn)品。
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