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      摘要：文章闡述了一種新型的晶體硅太陽(yáng)能電池的制備工藝。磷吸雜工藝已被證明是一種有效的減少硅片雜質(zhì)含量的工藝，本工藝在正常生產(chǎn)工藝的基礎(chǔ)上，增加了一道擴(kuò)散磷吸雜工藝，通過(guò)本工藝進(jìn)一步減少硅片中雜質(zhì)的含量，從而減少?gòu)?fù)合速率，提高硅片少子壽命，最終達(dá)到提高太陽(yáng)能電池硅片效率的目的。

 　　磷吸雜工藝已是一種比較成熟的電池片制作工藝，此工藝在工廠量產(chǎn)化過(guò)程中可融入擴(kuò)散工藝同時(shí)進(jìn)行。在太陽(yáng)能電池中磷吸雜可以極大的改善電池性能。對(duì)于多晶硅太陽(yáng)能電池而言，結(jié)構(gòu)缺陷密度和碳、氧濃度等決定了磷吸雜的效果，幾乎所有的過(guò)渡族金屬可以被磷吸雜成功吸雜。

 　　一個(gè)重?fù)搅讓訒?huì)形成許多的的吸雜機(jī)制：離子對(duì)和費(fèi)米能級(jí)的影響會(huì)導(dǎo)致金屬固溶度增強(qiáng)，使金屬被吸雜到位錯(cuò)處；自間隙原子注入硅可以協(xié)助吸雜。磷在擴(kuò)散時(shí)受離子對(duì)和費(fèi)米能級(jí)的影響會(huì)形成非常有效的吸雜，因?yàn)槲覀兛梢栽跊](méi)有自間隙硅原子注入的重?fù)絇和As和位錯(cuò)形成的硅片中，觀察到固溶度的增加。Bergholz小組發(fā)現(xiàn)隨著費(fèi)米能級(jí)的變化，Cu、Mn、Fe等過(guò)渡族金屬在硅片中的固溶度會(huì)相應(yīng)增加。負(fù)電雜質(zhì)和正電雜質(zhì)在P++和N++襯底的固溶度由于費(fèi)米能級(jí)的影響而增強(qiáng)，但它并不能改變中性雜質(zhì)的固溶度，從而總的金屬雜質(zhì)（包括帶點(diǎn)形態(tài)和中性形態(tài)）的固溶度會(huì)提高。因?yàn)樵谖s溫度時(shí)襯底摻雜能級(jí)要大于本征載流子的濃度，使帶點(diǎn)雜質(zhì)的濃度會(huì)隨著N型和P型摻雜濃度呈線形增加。