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解決方案

藍(lán)色高功率激光二極管——用于新型應(yīng)用的束源

來源:江蘇激光聯(lián)盟2022-04-08 我要評論(0 )   

高功率二極管激光器可能是將電能用于材料加工(如焊接、切割、焊接或其他高功率應(yīng)用)的最有效方法。圖1低功率和中功率GaN激光二極管的應(yīng)用:近眼投影,舞臺照明,前燈和...

高功率二極管激光器可能是將電能用于材料加工(如焊接、切割、焊接或其他高功率應(yīng)用)的最有效方法。

圖1低功率和中功率GaN激光二極管的應(yīng)用:近眼投影,舞臺照明,前燈和投影。右圖:TO包裝中的藍(lán)色激光器(來源:Osram)

高功率二極管激光器可能是將電能用于材料加工(如焊接、切割、焊接或其他高功率應(yīng)用)的最有效方法。雖然紅外激光器是50多年前發(fā)明的,在工業(yè)上已經(jīng)使用了20多年,但GaN高功率激光器直到最近才被用于材料加工,尤其是銅的焊接和釬焊。盡管在后一種應(yīng)用中,藍(lán)色波長比紅外波長具有獨特且無可爭議的優(yōu)勢,但仍有一些困難需要克服。本文概述了GaN激光器的發(fā)展步驟,從其商業(yè)化初期作為藍(lán)光播放器中的1兆瓦光源,到今天的1.5千瓦系統(tǒng)。此外,還將解釋達(dá)到40%功率效率的重要調(diào)查,以及達(dá)到65 khr或更長壽命的考慮因素。還根據(jù)與紅外激光二極管的比較,對未來的發(fā)展進(jìn)行了預(yù)測。

上世紀(jì)70年代,二極管激光器首次在紅外光譜范圍內(nèi)廣泛應(yīng)用于CD播放器。類似地,30年后,GaN激光二極管首次廣泛應(yīng)用于405 nm藍(lán)光播放器。這些應(yīng)用要求地面模式下的輸出功率低,光束質(zhì)量好。此外,在低輸出功率范圍內(nèi),AR、VR的近眼應(yīng)用中,MR設(shè)備需要用于紅光、綠光和藍(lán)光的單模式激光器。這些激光模具通常相當(dāng)小。

用于單模發(fā)射的激光芯片如圖2所示。它包含GaN襯底、包含發(fā)光量子阱層(<10 m厚)的外延層、波導(dǎo)層、電流分布層和金屬觸點。芯片設(shè)計還必須支持接地模式操作,并且其結(jié)構(gòu)使接地模式的增益減去損耗高于高階模式,以實現(xiàn)接地模式操作。

圖2中描繪了典型的LIV曲線。可以看出,對于436nm的低功率激光器,可以實現(xiàn)低至6mA的閾值電流。在24 mA的工作電流和4.1 V的電壓下,可以獲得10 mW的輸出功率。這相當(dāng)于約10%的效率。非常低的閾值電流很重要,因為這些設(shè)備需要在非常高的脈沖頻率下工作,因此它們通常總是偏置在閾值電流附近。通過將反射鏡的HR側(cè)和AR側(cè)的反射率分別設(shè)計為99%和90%,可以達(dá)到較低的值。測距或調(diào)平應(yīng)用通常需要輸出功率更高的單模激光器。高功率單模激光器的LIV曲線如圖2所示??梢钥闯?,藍(lán)色和綠色激光二極管的閾值分別為11 mA和30 mA,在130 mA和290 mA時分別達(dá)到100 mW的輸出功率。這種更高的工作電平與更高的閾值電流直接相關(guān),因為它是通過諧振器AR側(cè)較低的反射率增加鏡損耗而實現(xiàn)的。

圖2激光二極管示意圖(左),低閾值的LI曲線(中)和大功率單模二極管的LIV曲線。

1–10 W范圍內(nèi)的激光二極管通常用于紅外能量傳輸或低功率焊接應(yīng)用。隨著時間的推移,用于更高輸出功率的設(shè)備和封裝得到了發(fā)展。每個光源隨時間的輸出功率如圖3所示。對于紅外激光器,在1980年左右實現(xiàn)了1W,并在2008年穩(wěn)步增加至約100W,現(xiàn)在已達(dá)到每1cm激光棒1kW,或在大批量生產(chǎn)的商用系統(tǒng)中超過300W(連續(xù)波或硬脈沖)。同樣對于GaN激光二極管,有許多應(yīng)用需要不同的輸出電平。這如圖3右所示。如今,一位數(shù)瓦特級別的激光器用于照明(通過泵送轉(zhuǎn)換器將激光管芯的450 nm轉(zhuǎn)換為所需顏色或白光)或舞臺和表演照明。要求功率在10 W范圍內(nèi)的汽車前照燈如今通常用于高端車輛。未來的應(yīng)用,如商業(yè)環(huán)境或電影院中的投影,在每個封裝約100 W的功率水平下開始變得有趣,甚至在不久的將來,切割、焊接和焊接等材料加工方法也將成為可能。對于這些應(yīng)用,需要1千瓦及以上的功率水平。對于紅外激光器和激光系統(tǒng),半導(dǎo)體芯片的開發(fā)花費了幾十年時間,但封裝技術(shù)、材料和光學(xué)元件也必須改進(jìn),以便能夠配置多千瓦系統(tǒng)。

圖3紅外GaAs和可見光發(fā)射GaN基半導(dǎo)體激光器芯片和封裝輸出功率的開發(fā)。

對于GaN來說,電源應(yīng)用的開發(fā)始于2000年之后。這方面的進(jìn)展比紅外技術(shù)更快,因為為紅外技術(shù)開發(fā)的許多構(gòu)件也可用于450納米系統(tǒng)。雖然紅外激光器最初的諧振腔長度為300μm,發(fā)射器較窄,模具較小,但現(xiàn)在它們的諧振腔長度已達(dá)到4至6 mm,在10 mm寬的激光棒中填充系數(shù)達(dá)到70%或更高。如今的GaN激光器遠(yuǎn)遠(yuǎn)沒有這些設(shè)計特點。

當(dāng)觀察一些材料參數(shù)時,這種差異的原因變得可以理解。表1比較了一些特性。第一個最明顯的區(qū)別是帶隙。GaAs的紅外帶隙約為1.42eV,GaN的高帶隙約為3.42eV。當(dāng)人們需要不同的波長時,這種差異是不可避免的。p型摻雜的活化能、空穴遷移率、光在激光諧振腔中的吸收系數(shù)和特征溫度T0都有進(jìn)一步的技術(shù)影響。

表1 GaAs和GaN材料參數(shù)的比較。

由于高活化能,只有一小部分摻入的鎂實際上起到摻雜劑的作用,導(dǎo)致許多鎂原子擾亂晶格并增加吸收,但不會提高載流子密度和導(dǎo)電率。在砷化鎵中,碳常被用作p型摻雜劑。這是100%離子化的,這意味著包含的所有碳都有助于實現(xiàn)高摻雜和低電阻。類似地,GaAs中的空穴遷移率大約是GaN中的兩倍,導(dǎo)致更低的電阻率,因此更低的電損耗,即使在GaAs中的C雜質(zhì)密度低于GaN中的Mg雜質(zhì)密度的情況下也是如此。

GaN基激光二極管的最佳諧振腔長度為1.2/cm,相比于高功率GaAs激光器的小于0.5/cm,因為它們的吸收更高。這些都使得描述閾值電流隨溫度變化的T0值很低。在GaAs高功率激光器中,當(dāng)工作溫度越高時,閾值電流的增長速度越快、幅度越大。GaAs和GaN兩種器件的高T1值表明,斜坡效率對溫度的依賴性很小。兩者共同描述了GaN激光二極管對更高的工作溫度反應(yīng)更敏感,在給定的工作電流下,輸出功率隨溫度下降得更快。

一開始就必須克服一些非?;镜膯栴},才能制作和操作GaN棒。由于激光棒是非常大的設(shè)備,因此必須保證基板的低缺陷密度。此外,還必須提高外延層的結(jié)晶質(zhì)量。長期以來,人們認(rèn)為制作激光棒是不可能的,因為GaN是一種位錯密度高于GaAs的材料。據(jù)推測,單一發(fā)射極故障將導(dǎo)致災(zāi)難性故障,正如過去觀察到的GaAs激光棒故障一樣。由于工作電壓也取決于溫度,一根棒上一個發(fā)射極的低效運行會影響到鄰近的發(fā)射極,因此必須通過盡可能多地對單個發(fā)射極進(jìn)行熱解耦來防止熱失控。所有這些都使GaN激光棒的實現(xiàn)成為可能。

在圖4中,顯示了相同諧振腔長度的藍(lán)色激光棒和紅外激光棒的LI、UI和WPE過工作電流曲線。在左邊的圖片時,輸出功率85 W的藍(lán)色條50歲的遠(yuǎn)高于紅外激光(47 W),但很明顯,這只是由于更寬的帶隙,并導(dǎo)致4.1 V的工作電壓遠(yuǎn)高于紅外激光條的1.5 V。這導(dǎo)致在50 a時,壁塞效率較低,僅為40%而不是>60%(圖4右圖)。

圖4 LI, UI和效率超過電流的藍(lán)色和紅外激光棒。

對于紅外二極管來說,過去幾年的策略是降低吸收,增加填充因子增加接觸尺寸,增加諧振器長度,并通過降低電阻率進(jìn)一步降低歐姆損耗。商業(yè)應(yīng)用中cw運行的高輸出功率>300W是當(dāng)今最先進(jìn)的技術(shù)。相比之下,氮化鎵激光器不能用長諧振腔,而器件中的光吸收很高。同樣,填充因子不能增加,因為這會導(dǎo)致高閾值電流。因此,必須進(jìn)一步改進(jìn)不同的材料參數(shù),才能實現(xiàn)更多的設(shè)計機(jī)會。

目前,用于450 nm發(fā)射的GaN激光器的填充系數(shù)低于10%(以保持低閾值電流并允許有效冷卻),諧振器長度可達(dá)1200μm,以避免吸收導(dǎo)致的低斜率效率。它們安裝在水冷式微通道冷卻器上,在熱滾轉(zhuǎn)前可輸出功率107w以上,峰值效率約為44%(圖5左)。如圖5所示,AlGaInN的材料組合提供了調(diào)節(jié)不同發(fā)射波長的可能性,這是波長復(fù)用的要求。

圖5 1 cm激光棒450 nm的LI和WPE曲線[6](左),不同工作電流下不同波長的激光棒光譜[5](右)。

如今,與基于GaAs的紅外激光光源的可比系統(tǒng)相比,基于GaN的用于發(fā)射450 nm光的激光二極管仍然表現(xiàn)出較低的效率和較低的總輸出功率。此外,由于組件更昂貴,而且這種新型材料系統(tǒng)的產(chǎn)量較低,生產(chǎn)成本仍然高得多。然而,它們具有獨特的優(yōu)勢,即一些材料吸收紅外光相當(dāng)差,而對藍(lán)光或紫外光的吸收很好,如圖6所示。

圖6銅、銅、金、金的吸收光譜。

有幾家公司已經(jīng)成功地將發(fā)射波長為450 nm的氮化鎵激光二極管整合到輸出功率超過1 kW的系統(tǒng)中。這些激光器是專為使用藍(lán)光超強吸收的重型材料加工而設(shè)計的。在一些應(yīng)用中,所有的藍(lán)色和混合系統(tǒng)已經(jīng)證明了它們比純紅外系統(tǒng)更好的性能??梢灶A(yù)見,隨著成本的穩(wěn)步降低,輸出功率和效率的提高,越來越多的系統(tǒng)將使用GaN二極管作為它們的光源。

來源:Blue High-Power Laser Diodes–Beam Sources for Novel Applications, Photonics Views, DOI:10.1002/phvs.202000018

參考文獻(xiàn):T. Hager, U. Strauss,C. Eichler et al.: Power blue and green laser diodes and their applications, Proc. SPIE 8640, 864015 (2013).


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