鉬和鉬合金由于具有高熔點(diǎn)、耐高溫、緩慢蠕變、低膨脹、高導(dǎo)熱性和高耐腐蝕性等優(yōu)異的特性,已廣泛應(yīng)用于航空航天、國(guó)防、電子工業(yè)和核電設(shè)施。鉬和鉬合金由于其熔點(diǎn)高(大塊鉬的熔點(diǎn)為2623°C),通常采用粉末冶金工藝制備,以及通過(guò)焊接和鍛造來(lái)制造具有復(fù)雜結(jié)構(gòu)的零件。這些過(guò)程通常消耗大量時(shí)間,并且難以制備復(fù)雜零件。最近,激光增材制造技術(shù)的發(fā)展為復(fù)雜形狀的鉬和鉬合金部件的快速近凈成形提供了可能性。然而,鉬和鉬合金具有高熔點(diǎn)且脆性較高,主要的挑戰(zhàn)是如何制備高密度和無(wú)裂紋的鉬合金和鉬合金。
選區(qū)激光熔化(SLM)對(duì)鉬和鉬合金的制造具有非常大的吸引力,因?yàn)樗梢钥焖僦苽涑鰪?fù)雜形狀零件。為了減少SLM制備鉬零件的氣孔和裂紋,通過(guò)使用高純度鉬粉,通過(guò)工藝參數(shù)優(yōu)化、La2O3顆粒添加和熱等靜壓(HIP)處理,制備出幾乎致密的難熔鉬金屬。
近日,沈陽(yáng)航空航天大學(xué)、中國(guó)工程物理研究院材料研究所、華北工業(yè)大學(xué)研究人員利用激光選區(qū)熔化技術(shù),無(wú)需預(yù)熱程序成功制備出近乎致密的難熔鉬金屬試樣,通過(guò)添加L2O3和熱等靜壓進(jìn)一步提高樣品致密度。加入La2O3后,裂紋密度從208/mm2降至96/mm2,減少了2倍以上。對(duì)樣品進(jìn)行熱等靜壓處理以后,孔隙率明顯降低,樣品Mo-0.9wt%La2O3的相對(duì)密度最高達(dá)到99.6%。
相關(guān)研究成果以“Strategies to reduce pores and cracks of molybdenum fabricated byselective laser melting”為題,發(fā)表于材料科學(xué)領(lǐng)域期刊《International Journal of Refractory metals and Hard Materials》(中科院1區(qū)Top期刊),沈陽(yáng)航空航天大學(xué)、中國(guó)工程物理研究院材料研究所、華北工業(yè)大學(xué)為論文通訊單位,中國(guó)工程物理學(xué)研究院機(jī)械制造技術(shù)研究所研究人員參與研究工作。該項(xiàng)研究工作得到四川省科技計(jì)劃(No.2020ZDZX0017)和國(guó)家自然科學(xué)基金(No.51871203)的支持。
(a)Mo粉末和(b)La2O3粉末的形態(tài)。
選擇工藝參數(shù)和相應(yīng)的體能量密度制被小體積Mo樣品
激光功率和掃描速度對(duì)熔融軌跡連續(xù)性的影響。
不同體能量密度樣品的孔隙率
用表3中列出的工藝參數(shù)制備的16個(gè)小體積樣品的OM圖像。孔隙由白色箭頭指示。
(a)Mo和(b)Mo-0.9wt%La2O3的SLM樣品的上表面處的裂紋,(c)兩個(gè)樣品的裂紋數(shù)密度。
OM圖像顯示了樣品(a)SLM-Mo、(b)SLM-Mo-0.9wt%La2O3、(c)HIP-Mo和(d)HIP-Mo-0.9wt%La2O3的孔隙,以及(e)這些樣品的孔隙率。
結(jié)果表明當(dāng)SLM體能量密度在250–280J/mm3范圍內(nèi)時(shí),SLM制備的小體積樣品的相對(duì)密度可以大于99.7%。對(duì)體能量密度為259J/mm3的大塊SLM樣品,添加0.9%的La2O3可將孔隙率從0.76%降低到0.63%。經(jīng)HIP處理后,可獲得99.6%的最高相對(duì)密度。所有樣品僅在表面存在裂紋,而在零件內(nèi)部未發(fā)現(xiàn)明顯裂紋。此外,加入La2O3后,表面裂紋變窄,裂紋密度顯著降低大約2倍。
論文引用:
Guan, Baosheng, Yang, Xiaoshan, Tang, Jingang, Qin, Lanyun, Xu, Mingang, Yan, Yuanqiang, Cheng, Yichao and Le, Guomin, Strategies to reduce pores and cracks of molybdenum fabricated by selective laser melting, International Journal of Refractory metals and Hard Materials, 2023,106123
轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。