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光刻機已是當(dāng)下中國芯片制造的最大瓶頸，為此中國芯片產(chǎn)業(yè)鏈一直都在共同努力，力求打破這一難關(guān)，而哈工大公布的光刻機技術(shù)將有助于打破這個環(huán)節(jié)，國產(chǎn)芯片的先進工藝問題將因此得以解決。

光刻機的研發(fā)難度非常大，雖然全球僅有ASML可以生產(chǎn)出先進光刻機，然而ASML自身也無法完全搞定整個光刻機元件，它自己僅能完成其中10%的零部件，其他零部件需要全球20多個國家的5000多家企業(yè)配合，由此可見光刻機這條產(chǎn)業(yè)鏈多么長。

中國的光刻機研發(fā)進展落后于其他環(huán)節(jié)，恰恰就在于產(chǎn)業(yè)鏈需要逐步完善，由于眾所周知的原因，中國不僅難以買到先進光刻機，連先進光刻機的元件都難以買到，迫使我們建設(shè)自己的光刻機產(chǎn)業(yè)鏈。

此前在國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈的支持下，已逐步解決了雙工作臺、物鏡系統(tǒng)、激光光源等諸多光刻機零部件，這次哈工大研發(fā)的“高速超精密激光干涉儀”，這項技術(shù)是14納米光刻機的重要技術(shù)，可以確保掩膜工作臺、雙工作臺和物鏡系統(tǒng)之間復(fù)雜的相對位置，實現(xiàn)光刻機的整體套刻精度，可以確保諸多元件整合成系統(tǒng)后的芯片工藝精度，已是光刻機的最后技術(shù)之一，也意味著國產(chǎn)先進光刻機即將完成最后的步驟。

對于芯片制造工藝來說，14納米光刻機并不僅限于生產(chǎn)14納米工藝，通過多重曝光技術(shù)可以實現(xiàn)接近7納米的工藝，其實此前臺積電和三星都并非是從14納米一步邁進到7納米，還研發(fā)了10納米、8納米等工藝，甚至在7納米工藝上也有7納米和7納米EUV之分，故以14納米光刻機生產(chǎn)接近7納米工藝的芯片是有可能的。

國產(chǎn)芯片除了在芯片制造工藝方面努力之外，還積極開發(fā)小芯片技術(shù)，通過將兩塊芯片堆疊可以大幅提升性能；將不同工藝、不同功能的芯片封裝在一起也能大幅提升性能，這些技術(shù)臺積電、Intel都在嘗試，因為當(dāng)前的硅基芯片達到3納米之后已接近極限，開發(fā)芯片封裝技術(shù)已成為芯片行業(yè)發(fā)展的一個方向。

國產(chǎn)芯片制造工藝如果能達到7納米，加上小芯片技術(shù)，那么國產(chǎn)芯片的性能可望進一步提升至接近5納米，到那個時候，困擾國產(chǎn)芯片的最大障礙將被徹底解決，美國意圖以先進芯片技術(shù)阻礙中國科技體系發(fā)展的圖謀將破產(chǎn)。

其實國產(chǎn)芯片如今在多條途徑上發(fā)展先進芯片，上述這些都是基于現(xiàn)有的硅基芯片技術(shù)，而歐美發(fā)展硅基芯片技術(shù)已有近百年歷史，這讓他們在硅基芯片方面保持著領(lǐng)先優(yōu)勢，中國除了在硅基芯片上加快追趕之外，還在開發(fā)更先進的芯片技術(shù)，如量子芯片、光子芯片、碳基芯片技術(shù)等，這將是中國芯片彎道超車的機會。

在這些先進芯片技術(shù)方面，中國已取得一些優(yōu)勢，2022年底至今，中國已先后籌建了全球第一條量子芯片生產(chǎn)線、光子芯片生產(chǎn)線，凸顯出中國在先進芯片技術(shù)方面的突破，這些先進芯片技術(shù)在加速推進量產(chǎn)，一旦實現(xiàn)商用就將具有趕超歐美的實力。

總的來說美國阻礙中國芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展的計劃已不可能，反而是激發(fā)了中國芯片行業(yè)的潛力，短短數(shù)年時間在諸多芯片技術(shù)方面都取得突破，中國芯片或許在不久的將來打破美國在芯片技術(shù)方面的領(lǐng)先優(yōu)勢，正是有見及此，美國才會在諸多技術(shù)方面施加限制，反過來恰恰說明了中國芯片確實取得了巨大的進展，讓它深感威脅。