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激光電源

電源管理中的肖特基二極管

星之球激光 來源:電子工程專輯2011-11-18 我要評論(0 )   

作者:Ernst Bron 恩智浦半導體 任何非同步直流/直流轉(zhuǎn)換器都需要一個所謂的續(xù)流二極管。為了優(yōu)化方案的整體效率,通常傾向于選擇低正向電壓的肖特基管。很多設計都采用...

作者:Ernst Bron

恩智浦半導體

 

任何非同步直流/直流轉(zhuǎn)換器都需要一個所謂的續(xù)流二極管。為了優(yōu)化方案的整體效率,通常傾向于選擇低正向電壓的肖特基管。很多設計都采用一個轉(zhuǎn)換器設計(網(wǎng)絡)工具推薦的二極管。這并非總是二極管的最優(yōu)選擇。更何況,如果設計工具不考慮熱性能和漏電流之間的動態(tài)變化,則極有可能發(fā)生實際性能有別于設計工具的分析或模擬出的結果。本文將探討一些在選擇正確的二極管時應仔細考慮的典型參數(shù),以及如何應用這些參數(shù)來快速確定選型的正確與否。

 

檢查損耗

 

圖1給出了非同步直流/直流降壓轉(zhuǎn)換器的基本框圖。D1是所需的肖特基管。左側(cè)是開關S1閉合時(時間為T1)的電流情況,右側(cè)是開關S1打開時(時間為T2)的電流情況。

 

 

 

當時間為T2時,輸出電流(Iout)流經(jīng)D1。所產(chǎn)生的損耗與D1的正向電壓(Vfw)和輸出電流直接相關。PT2等于Iout*Vfw。顯然,我們希望盡可能降低以控制損耗,減少發(fā)熱。

 

T1期間,D1處于阻斷狀態(tài)。唯一的電流是反向電流。此電流相對較弱,并且主要由阻斷電壓或輸入電壓Vin決定。T1階段二極管產(chǎn)生的功耗,稱為PT1,大致等于Ir*Vin。

 

對于任何肖特基二極管,在設計時都存在一個取舍。即此設備要么針對低Vf進行優(yōu)化,要么針對低Ir進行優(yōu)化。因此,如果選擇低Vf,則Ir就較高,反之亦然。在實際應用設計時,重要的是不僅要觀察Vf或Ir的值,還要分析它們在實際操作中會產(chǎn)生什么結果。Vf和Ir都會隨溫度變化而改變。當溫度升高,Vf會降低,在二極管升溫的同時降低了熱擴散。但非常不幸的是,Ir會隨著二極管溫度升高而增加。所以,二極管溫度越高,漏電流就越多,內(nèi)部功耗就越多,這樣就使得二極管溫度更高,從而再次增加漏電流,如此循環(huán)。

 

如果堅持采用基本的非同步直流/直流轉(zhuǎn)換器的設計案例,不妨做一個基本分析以確定二極管內(nèi)部功耗和由此導致的設備溫度。直流/直流轉(zhuǎn)換器的運行占空比與電壓輸入輸出的比值直接相關(DC=Vout/Vin)。電壓輸入和輸出的比值越低,T2的時間就越長,PT2對整個二極管的功耗影響也就越大。反之亦然,T1越長(或和的比值越高),PT2對總功耗的影響就越小,PT1的作用就越大。

 

以兩個直流/直流轉(zhuǎn)換器為例,兩個都是24V輸入電壓,但其中一個是18V輸出電壓而另一個是5V。使用Vin和Vout的比值計算得到占空比,并且使用數(shù)據(jù)表中的Vf和Ir值計算出二極管內(nèi)總功率的損失。然后根據(jù)總功耗計算出由此導致的二極管溫度,并查找在此溫度下的Vf和Ir實際數(shù)值。最后根據(jù)新的二極管溫度重新算出內(nèi)部功耗。這個迭代過程可以重復多次以提高精確度,但如果只想大致表明Vf和Ir的不同取舍所產(chǎn)生的影響,單次迭代就足夠了。

 

設備溫度可使用描述熱性質(zhì)的基本熱方程計算,和用于描述電壓,電流,電阻的計算并無不同。一旦知道了設備的內(nèi)部功耗(Ptot),就可以用它乘以結點到環(huán)境的熱阻(Rtja),計算出設備結點處的溫度變化。把它加上環(huán)境溫度,就得到了該設備在此功耗和環(huán)境溫度下的最終結點溫度。

 

圖2表示的是分析結果。此例中的計算使用了PMEG3050BEP(優(yōu)化為低Ir)和PMEG3050EP(優(yōu)化為低Vf)二極管。輸出電流范圍為1~3A。這里比較了低Vf型和低Ir型二極管的溫度。初始溫度假定為25℃。圖中同時給出了Ta(第一次傳遞溫度計算)和Tb(第二次傳遞)。左側(cè)是5V輸出的直流/直流轉(zhuǎn)換器的結果,右側(cè)是18V輸出的直流/直流轉(zhuǎn)換器(兩者的輸入電壓都是24V)。計算時假定Rtja采用基本的200K/W,然后根據(jù)占空比進行調(diào)節(jié)。肖特基二極管的數(shù)據(jù)表給出了瞬時熱效應曲線,允許設計者根據(jù)具體的脈沖占空比(短暫脈沖電流的熱效應要優(yōu)于連續(xù)電流)決定實際的熱阻。請注意,任何應用中的二極管總熱阻取決于很多因素,布局是其中較為重要的一個。

 

 

 

在圖2中可以發(fā)現(xiàn),在上述兩種情況中,在第二次溫度傳遞Tb時,低Vf的二極管開始變熱。其中的原理是,在電流一定的情況下,二極管因在T2時產(chǎn)生損耗而變熱。隨著二極管溫度升高,漏電流If增加,正向電壓Vf減少。然而,增加的速度遠高于減少的速度。其結果就是二極管內(nèi)的總功耗增加較快。在較高的輸出電流下PT2也較高,使得PT1增加較快,所以在高電流下斜率較為陡峭。

 

同樣,從中也能看到輸入輸出電壓比的效果。左側(cè)顯示的是5V輸出、低占空比直流/直流轉(zhuǎn)換器。占空比較低意味著T2較長,PT2就更多。因此,較多的初始熱量導致Ir增加更快,PT1更高。最終結果就是隨著輸出電流增加,二極管溫度迅速上升。在較高的電流下,可以看到事實上溫度已超出了指定范圍之外。右側(cè)顯示較高的18V輸出電壓導致更高的占空比,從而抑制了PT2。二極管內(nèi)較少的發(fā)熱量意味著Ir增加較少,因此,PT1和總體溫度也都增加較少。

 

可以得出結論,占空比越高(或者說輸出電壓和輸入電壓越接近),二極管的熱效應就越佳。例如,如果如前述計算,12V到2.5V的轉(zhuǎn)換器要比12V到5V的轉(zhuǎn)換器更能加重二極管的負擔。

 

熱逃逸

 

以上討論的隨溫度升高而增加的效應會帶來一個普遍問題,叫作熱逃逸。升高的溫度會導致溫度進一步升高,直到部件損壞。因此,強烈建議在所有設計中徹底檢查此現(xiàn)象。

 

目前常見的做法是對功耗設計進行模擬運行??梢允褂脴藴实哪M工具,也可使用網(wǎng)上常用的模擬工具。仔細檢查熱效應是非常必要的。對于打算使用的二極管,極有可能所使用的工具并未采用正確的熱模型,或者其熱參數(shù)(很可能和布局相關)與設計不相符合。很顯然,并非每個二極管都一模一樣,因而絕對不贊同在模擬設計時使用“相似”的二極管,然后假定它們的熱效應(以及潛在的電效應)也相似。雖然并非總是可行,但在此仍然建議始終制作原型并驗證其正確效應。

 

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