引言
傳統(tǒng)硅晶片的切割方法主要是金剛石鋸,偶爾也使用劃線折斷工藝,這種方法只能切割直線,并且邊緣具有較嚴(yán)重的裂痕,或者使用倍頻的鐵合金激光器,這種方法和微噴工藝,一樣都操作昂貴,速度緩慢。最近SPI開(kāi)發(fā)了一種光纖激光器切割工藝,該工藝能在較快的切割速度下,仍然具有極好的切割質(zhì)量。
圖1 太陽(yáng)能電池板
結(jié)果
使用200W連續(xù)光纖激光器對(duì)200μm(0.008”)厚度的多晶硅進(jìn)行切割時(shí),切割速度可達(dá)10m/min,并且可得到高度平滑的切割邊緣,沒(méi)有任何裂縫的痕跡。可以做到和側(cè)面平行、無(wú)任何邊緣碎裂痕跡的40微米的切口寬度。甚至在1.2mm厚度(0.005”),切割速度也可超過(guò)1m/min。這個(gè)比現(xiàn)存的所有其他硅切割技術(shù)都要快。
下表展現(xiàn)了光纖激光器切割硅的能力。
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