高溫或內(nèi)部功耗產(chǎn)生的過多熱量可能改變電子元件的特性并導(dǎo)致其關(guān)機、在指定工作范圍外工作,甚或出現(xiàn)故障。電源管理器件(及其相關(guān)電路)經(jīng)常會遇到這些問題,因為輸入與負(fù)載之間的任何功耗都會導(dǎo)致器件發(fā)熱,所以必須將熱量從這些器件中驅(qū)散出來,使其進(jìn)入PCB、附近的元器件或周圍的空氣。即使在傳統(tǒng)高效的開關(guān)電源中,當(dāng)設(shè)計PCB和選擇外部元器件時,也都必須考慮散熱問題。
設(shè)計電源管理電路時,在考察散熱問題之前對熱傳遞進(jìn)行基本了解是很有幫助的。首先,熱量是一種能量,會由于兩個系統(tǒng)之間存在溫差而進(jìn)行傳輸。熱傳遞通過三種方式進(jìn)行:傳導(dǎo)、對流和輻射。當(dāng)高溫器件接觸到低溫器件時,會發(fā)生傳導(dǎo)。高振幅的高溫原子與低溫材料的原子碰撞,從而增加低溫材料的動能。這種動能的增加導(dǎo)致高溫材料的溫度上升和低溫材料的溫度下降。
在對流中,熱傳遞發(fā)生在器件周圍的空氣中。在自然對流中,物體加熱周圍的空氣,空氣受熱時膨脹形成真空,導(dǎo)致冷空氣取代熱空氣。因此形成循環(huán)氣流,不斷將器件的熱量傳輸給周圍的空氣。另一種形式是強制對流,例如風(fēng)扇主動吹冷空氣,從而加速取代暖空氣。當(dāng)物體將電磁波(熱輻射)發(fā)送至周圍環(huán)境時就會產(chǎn)生輻射。輻射熱量無需介質(zhì)傳遞(熱量可以通過真空輻射)。在PCB中,熱傳遞的主要方法是傳導(dǎo),其次是對流。
下面的等式給出了以傳導(dǎo)方式熱傳遞的數(shù)學(xué)模型:
其中H是傳熱速率(單位為J/s),K為材料的導(dǎo)熱系數(shù),A為面積,(TH–TL)為溫差,d為距離。當(dāng)界面之間的接觸面積增大、溫差增大或界面之間的距離減少時,熱量傳導(dǎo)速度加快??梢詫醾鬟f模擬成一個電路,方法是將能源(熱源或前面等式中的H)等同于電流源,高溫器件與低溫器件之間的溫差等同于電壓降,(K×A/d)部分作為導(dǎo)熱系數(shù),或?qū)⒌箶?shù)(EQ2)等同于熱阻(單位為℃/W)。通常熱阻表示為符號θ或Rθ或只表示為RA-B,其中A和B是發(fā)生傳熱的兩個器件。使用電路模擬重寫熱傳遞速率等式,得到以下結(jié)果:
該模擬可以深入進(jìn)行,以描述器件的另一個熱屬性,稱之為熱容。正如將熱阻模擬為電阻,可以將熱容(CT,單位為J/℃)模擬為電容。將熱容與熱阻并聯(lián)獲得熱阻抗(ZT)。圖1所示為傳導(dǎo)傳熱的簡化RC模型。能源被模型化為電流源,熱阻抗被模型化為CT與RT并聯(lián)。
圖 1. 簡化的熱阻抗模型。
在電路中,每個熱界面都有熱阻抗。熱阻抗因材料、幾何形狀、大小和方向的不同而各異。系統(tǒng)(或電路)的熱阻抗對環(huán)境溫度來說有一個總熱阻抗,它可以分解為電路中每個元件的熱阻抗的并聯(lián)和串聯(lián)的組合。例如,在半導(dǎo)體器件中,晶粒(也稱作結(jié))與周圍空氣(稱作熱阻抗)之間的總熱阻抗,即由結(jié)到環(huán)境之間的熱阻抗(ZJ-A),將是結(jié)構(gòu)中每個單獨材料的單個熱阻抗的總和。
考慮到 在PCB上安裝的分立MOSFET。穩(wěn)態(tài)熱阻抗(或熱阻RJ-A)是結(jié)到器件外殼的熱阻(RJ-C)、器件外殼到散熱器的熱阻(RC-S)與散熱器到空氣的熱阻(RS-A)之和。(RJ-A=RJ-C+RC-S+RS-A)。此外,還可以有并行的散熱路徑,例如從MOSFET結(jié)經(jīng)過器件外殼到PCB,再從PCB到環(huán)境溫度。
通常情況下,半導(dǎo)體制造商會給出結(jié)點到器件外殼的熱阻。另一方面,RC-S和RS-A主要取決于散熱器和PCB的屬性。許多因素會影響熱阻RC-A或RC-S,包括PCB的層數(shù)、到輔助面的過孔數(shù)、與其他器件的接近程度以及氣流速率。通常RJ-A會列在器件數(shù)據(jù)表中,但該數(shù)字是在特定測試板條件下得出的,因此僅適用于在相同條件下測量的器件之間的比較。
熱阻(RJA)是電子元器件的重要參數(shù),因為它是器件散熱的指標(biāo)(基于環(huán)境條件和 PCB布板)。換言之,RJ-A可以幫助我們根據(jù)環(huán)境條件和功耗估算工作結(jié)溫。
開關(guān)電源中的散熱
電源管理電路中散熱考慮的典型示例,可以參考圖2所示美國國家半導(dǎo)體提供的LM3554電路。該器件是一個感應(yīng)升壓轉(zhuǎn)換器,面向蜂窩電話應(yīng)用中的高功率閃光LED。LM3554是一個很好的測試工具,因為它是一個小型器件(1.6mm ( 1.6mm ( 0.6mm),而且可以提供高達(dá)6W的輸出功率((1.2A閃光電流在5V LED中)。即使提供85%左右的效率,相對較大的輸出功率能力和微小的16-bump μSMD封裝,該器件都需要承受較高的工作溫度。
圖 2. 美國國家半導(dǎo)體的 LM3554 閃光 LED 驅(qū)動器測試電路
LM3554中的初始散熱效應(yīng)的主要表現(xiàn)是器件開關(guān)的導(dǎo)通電阻增加和器件閾值的改變。在溫度過熱的極端情況下,該器件可能觸及熱關(guān)機閾值而導(dǎo)致關(guān)閉。知道準(zhǔn)確的RJ-A,可以幫助確定器件在功率運行期間的結(jié)溫,并確保電路按照預(yù)期可靠地完成應(yīng)用的要求。
在可能的情況下,該器件能夠擁有3.6V的輸入電壓、3.6V的LED電壓和1.2A的LED電流。在這種情況下,轉(zhuǎn)換器將輸出電壓升至高于VIN 300mV。這為器件的兩個并聯(lián)電流源(負(fù)責(zé)調(diào)節(jié)LED電流)提供了300mV的凈電壓。
器件的總功耗將為同步PFET、NFET和兩個電流源的功耗之和。PFET和NFET的功耗在電阻元件上,因此必須使用RMS電流來準(zhǔn)確估算功耗。此電流就是RMS電感電流乘以開關(guān)周期(NFET和PFET的導(dǎo)通時間)百分比。如果知道轉(zhuǎn)換器效率,可以用下面的等式算出占空比:
針對我們的情況,VOUT=VLED+300mV,且效率大約為90%。這可以算出PFET占空比(1-D)為83%,NFET占空比為17%。RMS電感電流等式為:
#p#分頁標(biāo)題#e#
其中ΔIL為峰到峰值電感電流,在我們的示例中大約為140mA,ILDC是通過ILED/(1-D)算出的平均電感電流。
開關(guān)中的總功耗變?yōu)镹FET(RDS_ON=125mΩ) 的45mW加 PFET(RDS_ON=152mΩ)的265mW。此外,電流源的功耗為300mV×1.2A=360mW,使得內(nèi)部總功耗達(dá)到668mW。數(shù)據(jù)表中給出的RJ-A為60℃/W,且來自4層JEDEC測試板(詳見JESD51-7)。使用該RJ-A時,預(yù)測結(jié)溫在TA=50℃時為83.4℃。這對器件將不構(gòu)成問題,因為它低于150℃的熱關(guān)機閾值,且低于LM3554數(shù)據(jù)表中指定的最大工作結(jié)溫125℃。
在另一種情況下,可以將 LM3554設(shè)置為在同一閃光脈沖期間恒定輸出+5V。300mV電流源凈電壓現(xiàn)在變?yōu)?V–3.6V=1.4V,導(dǎo)致電流源功耗為1.68W。假設(shè)器件在以1.2A電流提供5V電壓時效率仍為90%,則占空比為35.2%,從而使直流電感電流1.85A具有288mA的ΔIL。NFET功耗現(xiàn)在為151mW,PFET功耗為338mW。總的內(nèi)部功耗2.169W,在TA=50℃時會導(dǎo)致高達(dá)180℃的核心溫度,這比熱關(guān)機閾值高30℃,且比最大工作結(jié)溫高55℃。
在現(xiàn)實中,該設(shè)備不會安裝在4LJEDEC測試板上,而會安裝在具有不同布線面的PCB上,它靠近消耗功率的其他元件,且到低層的過孔數(shù)也各不相同。所有這些應(yīng)用變量,加之許多其他因素都會顯著影響RJ-A,從而降低結(jié)溫計算的準(zhǔn)確度。
測量熱阻抗(RJ-A和CJ-A)
我們需要的是代表實際電路的準(zhǔn)確RJ-A。測量RJ-A有多種方法,一種方法是使用熱關(guān)機閾值,將其設(shè)置為+150℃。要用這種方法測量RJ-A,我們可以讓LM3554在已知功耗(PDISS)下工作,然后慢慢提高環(huán)境溫度直到器件關(guān)機為止。該器件具有一個內(nèi)部標(biāo)志,可以通過I2C兼容接口設(shè)置,在觸及熱關(guān)機閾值時會返回‘1’。使用這種方法獲得的RJ-A將為:
另一種方法是使用器件中的一個ESD保護(hù)二極管,并測量其VF與溫度。相較而言這種方法稍微復(fù)雜一些,但得出的結(jié)果將更準(zhǔn)確,這是因為VF可以在整個溫度范圍下進(jìn)行表征。多數(shù)半導(dǎo)體器件的每個引腳上都有ESD二極管,其陽極連接至GND,陰極連接至各自的引腳。
為了測試 LM3554,我們可以查看LEDI/NTC 引腳,并從該引腳拉出小電流(< 10mA),同時讓溫度變化。每個引腳的最大絕對額定值最小為-0.3V,但那是由于ESD二極管在最高結(jié)溫 +150℃時的VF而引致的。如果將電流限制為小于10mA,我們可以在不損害器件和增加任何自熱的情況下查看二極管的VF。從+25℃到+125℃,該引腳的測量結(jié)果產(chǎn)生線性響應(yīng),斜率大約為1.3mV/℃。一旦這項工作結(jié)束,就可以在測量所選 ESD 二極管VF 的同時,讓器件在已知功耗下工作。當(dāng)VF 達(dá)到穩(wěn)態(tài)時,RJ-A 將為:
其中VF@TA是ESD二極管在TJ=TA時的VF,VF@SS是ESD二極管在已知功耗(PDISS)下TJ達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)溫度之后的VF。
最后一種方法是使用MOSFET的導(dǎo)通電阻隨溫度而發(fā)生的變化。這種方法是在器件處于上電模式時使用內(nèi)部PFET來完成。LM3554上的上電模式是指器件停止開關(guān)并持續(xù)打開PFET。如果VIN升至比VOUT高150mV時就會出現(xiàn)這種情況。在那時,升壓轉(zhuǎn)換器無需提升VOUT,而PFET會使VIN直接到VOUT 。
因為電流有些輕微依賴MOSFET的導(dǎo)通電阻,所以有必要在電流接近目標(biāo)閃光電流時測量 PFET電阻。使用大測試電流的問題是它們可能導(dǎo)致器件發(fā)熱??朔藛栴}的方法是將閃光超時時間設(shè)置為最低 32ms,并在示波器上測量PFET的電壓降。在+25℃到+125℃的情況下,使用1.2A閃光電流,結(jié)果顯示的斜率大約為 0.42mΩ/℃ 。要注意的一個事情是PFET通過VOUT引腳供電,因此VOUT=5V時,其導(dǎo)通電阻會低于VOUT=3.9V時的電阻值。
使用上述三種方法,當(dāng)PDISS=1.67W時,使用熱量關(guān)機測量法得出的結(jié)果為45℃/W,使用ESD二極管VF測量法得出的結(jié)果為 42℃/W,使用PFET導(dǎo)通電阻法測量的結(jié)果為48℃/W。圖3顯示了在0.856A閃光LED測試電流脈沖期間,PFET的導(dǎo)通電阻以及ILED/NTC的ESD二極管的VF。器件的VIN設(shè)置為5V,超時時間設(shè)置為1024ms。VLED為3.18V時,使得該電壓強制 LM3554 進(jìn)入上電模式。在這種模式下,功耗完全由PFET和電流源導(dǎo)致。
圖 3. 閃光脈沖期間 LM3554 PFET 的導(dǎo)通電阻和 LEDI/NETC 的 ESD 二極管。
在穩(wěn)態(tài)下,LEDI/NTC的ESD二極管的VF為-622mV,對應(yīng)結(jié)溫 95.2℃(環(huán)境溫度為25℃時)。在穩(wěn)定狀態(tài)下,測得的PFET導(dǎo)通電阻為154mΩ,對應(yīng)結(jié)溫105℃。圖3 還描繪了LM3554的熱容。VF和RPMOS的響應(yīng)表現(xiàn)呈現(xiàn)類似于一階RC的指數(shù)級上升,計算等式如下:
熱容則為:
使用ESD二極管的正向電壓時獲得的熱容為0.009J/℃,使用PFET導(dǎo)通電阻時獲得的熱容為0.0044 J/℃。溫度讀數(shù)之間的差異可能是由于器件上的溫度梯度而造成的。PFET緊鄰電流源,預(yù)計其溫度上升將較快,且溫度會比LEDI/NTC引腳的ESD二極管高,后者離IC上的功率器件較遠(yuǎn)。造成這樣的溫度差異是由于器件核心區(qū)域兩個測量點之間的熱阻和熱容引起的。另外,響應(yīng)大約為單次常量指數(shù)。實際上,功耗會隨著PFET和電流源升溫而發(fā)生些微的變化。這將導(dǎo)致隨著結(jié)溫上升,PDISS也些微增加。
當(dāng)處理脈沖工作器件(如閃光LED驅(qū)動器)時,對熱阻抗模型比對單獨熱阻的考慮深入得多。例如,閃光脈沖電流為1.2A,VIN為5V且VLED為3.4V。在這種情況下,器件在上電模式下PDISS=2.14W。當(dāng)RJ-A為48℃/W且環(huán)境溫度為50℃時,穩(wěn)定狀態(tài)模型指示核心溫度會上升至153℃,這比最高工作結(jié)溫高出28℃。如果我們考慮熱容(0.0044℃/J)并將200ms閃光脈沖寬度計算在內(nèi),則可以獲得對核心溫度更好的估算,大約為113℃。
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