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激光電源

半導(dǎo)體激光管驅(qū)動電源設(shè)計與實現(xiàn)

星之球激光 來源:中電網(wǎng)2012-01-14 我要評論(0 )   

半導(dǎo)體激光管 (LD) 和普通二極管采用不同工藝,但電壓和電流特性基本相同。在工作點時,小電壓變化會導(dǎo)致激光管電流變化較大。此外電流紋波過大也會使得激光器輸出不穩(wěn)...

 

半導(dǎo)體激光管(LD)和普通二極管采用不同工藝,但電壓和電流特性基本相同。在工作點時,小電壓變化會導(dǎo)致激光管電流變化較大。此外電流紋波過大也會使得激光器輸出不穩(wěn)定。二極管激光器對它的驅(qū)動電源有十分嚴(yán)格的要求;輸出的直流電流要高、電流穩(wěn)定及低紋波系數(shù)、高功率因數(shù)等。隨著激光器的輸出功率不斷加大,需要高性能大電流的穩(wěn)流電源來驅(qū)動。為了保證半導(dǎo)體激光器正常工作,需要對其驅(qū)動電源進(jìn)行合理設(shè)計。并且隨著高頻、低開關(guān)阻抗的MOSFET技術(shù)的發(fā)展,采用以MOSFET為核心的開關(guān)電源出現(xiàn),開關(guān)電源在輸出大電流時,紋波過大的問題得到了解決。

由于大電流激光二極管價格昂貴,而且很容易受到過電壓,過電流損傷,所以高功率僅僅有大電流開關(guān)模塊還不能滿足高功率二極管激光器的要求,還需要相應(yīng)的保護(hù)電路。要保證電壓、電流不要過沖。因此,需要提出一整套切實可行的技術(shù)措施,來滿足高功率二極管激光器的需要。

1
系統(tǒng)構(gòu)成

裝置輸入電壓為24 V,輸出最大電流為20 A,根據(jù)串聯(lián)激光管的數(shù)量輸出不同電壓。如果采用交流供電,前端應(yīng)該采用ACDC作相應(yīng)的變換。該裝置主要部分為同步DCDC變換器,其原理圖如圖1所示。



Vin
為輸入電壓,VM1VM2MOSFET,VM1導(dǎo)通寬度決定輸出電壓大小,快恢復(fù)二極管和VM2共同續(xù)流電路,整流管的導(dǎo)通損耗占據(jù)最主要的部分,因此它的選擇至關(guān)重要,試驗中選用通態(tài)電阻很低的M0SFET。電感、電容組成濾波電路。測量電阻兩端電壓與給定值比較后,通過脈沖發(fā)生器產(chǎn)生相應(yīng)的脈寬,保持負(fù)載電流穩(wěn)定。VM1關(guān)斷,快恢復(fù)二極管工作,快恢復(fù)二極管通態(tài)損耗大,VM2接著開通續(xù)流,減少系統(tǒng)損耗。

2
工作原理

VM1
導(dǎo)通ton時,可得:,電流紋波為:,VM1關(guān)斷,電流通過VD續(xù)流,接著VN2導(dǎo)通。由于VM2的阻抗遠(yuǎn)小于二極管阻抗,因此通過VM2續(xù)流。VMl、VN2觸發(fā)脈沖如圖2所示。圖2td為續(xù)流二極管導(dǎo)通時間。



二極管消耗的功率為P=VtdI0。一般快恢復(fù)二極管壓降04 V,當(dāng)電流20 A時,二極管消耗功率為08 W。如采用MOSFET,則消耗的功率將小很多。本實驗采用威世半導(dǎo)體公司的60 AMOSFET,其導(dǎo)通等效電阻為00022 Ω。當(dāng)電流為20 A時,消耗功率約為0088 W。

由電流紋波公式可知,增大電感、減小#p#分頁標(biāo)題#e#ton都可以減小紋波。為了不提高電感容量,實驗中采用200 kHz的工作頻率,其中電感選用48-μH,根據(jù)公式可得激光管壓降2 V時紋波電流約為1 000 mA

系統(tǒng)采用了電流負(fù)反饋電路,以適應(yīng)激光二極管的要求。當(dāng)負(fù)載變化,電流略大于給定電流時,減小ton寬度,電壓降低。電流略小于給定電流時,增加ton寬度,這樣可以維持電流穩(wěn)定。圖3所示為脈沖發(fā)生器結(jié)構(gòu)。



3中,R1,R2為電壓測量電阻,Rc為電流測量電阻。調(diào)節(jié)R1可以設(shè)定最大輸出電壓。Rc限制最大輸出電流。當(dāng)最大電壓或電流其中一個達(dá)到給定值,則脈沖寬度最大。這樣可以保證負(fù)載正常工作。

其仿真結(jié)果如圖4所示。



3
實驗結(jié)果

實驗曲線如圖5所示,實驗數(shù)據(jù)為輸入電壓12 V,輸出電壓2 V左右,測量電阻00025 Ω,最大輸出電流20 A。



實驗中用50 A2個二極管串聯(lián)作為負(fù)載,輸入電壓12 V時,不同電流下輸出及效率如表1所示。

 

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