特性
Ø UVA-UVB-UVC
Ø 最優(yōu)化UVC輻射控制
Ø SiC芯片
Ø 固有的寬禁帶可見盲區(qū)半導(dǎo)體材料
Ø TO-18金屬封裝
Ø 0.054mm2敏感面積
指標(biāo)：
|
參數(shù) |
符號 |
數(shù)值 |
單位 |
|
敏感面積 |
A |
0.054 |
mm2 |
|
暗電流（1V偏置電壓） |
Id |
1 |
fA |
|
電容 |
C |
21 |
pF |
|
短路電流（200μW/cm2，波長300nm） |
#p#分頁標(biāo)題#e#I0 |
ca.70 |
nA |
|
擊穿電壓 |
VBR |
>3 |
V |
|
峰值最小響應(yīng)度 |
Smax |
0.13 |
A/W |
|
響應(yīng)中心波長λ |
smax |
285 |
nm |
|
響應(yīng)波長范圍（S=0.1*Smax） |
|
-210-380 |
nm |
|
可見盲區(qū) |
Smax/S400nm |
10000 |
|
|
工作溫度 |
Topt |
-25-+70 |
°C |
|
最大偏置電壓 |
VRmax |
20 |
V |
|
前行電流 |
IFmax |
1 |
mA |
|
總消耗功率25oC |
Ptot |
1 |
mW |
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