近日,由中國科學(xué)院上海硅酸鹽所中試基地氧化碲組葛增偉、朱勇等人發(fā)明的“一種高純二氧化碲單晶及其制備方法”(High-purity Tellurium Dioxide Single Crystal and the Manufacturing Method Thereof)正式獲得美國專利商標局授予的專利授權(quán)(美國專利號:US 8480996 B2)。
該專利采用二次晶體生長制備方法獲得高純度二氧化碲單晶,尤其是U、Th等放射性雜質(zhì)含量可降低至10-13g/g,因而使得上海硅酸鹽所成為大型中微子探測項目(CUORE項目)所需核心探測材料的全球唯一供應(yīng)商。目前,上海硅酸鹽所中試基地氧化碲組已向CUORE項目提供1000多塊高純二氧化碲單晶,實現(xiàn)創(chuàng)匯500多萬美元。高純二氧化碲單晶作為一種大尺寸優(yōu)質(zhì)二氧化碲單晶新產(chǎn)品,先后于2010年和2011年獲得上海市和國家重點新產(chǎn)品計劃資助,取得了良好的社會效益和經(jīng)濟效益。
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