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激光組件與材料

諾貝爾物理學獎獲得者:InGaN是一種奇跡般的材料

星之球激光 來源:日經(jīng)技術在線2015-08-04 我要評論(0 )   

  因開發(fā)藍色LED而獲得2014年諾貝爾物理學獎的美國加州大學圣塔芭芭拉分校(UCSB)教授中村修二,在2015年7月24日于東京舉行的

  因開發(fā)藍色LED而獲得2014年諾貝爾物理學獎的美國加州大學圣塔芭芭拉分校(UCSB)教授中村修二,在2015年7月24日于東京舉行的研討會“GaN掀起能源革命”上發(fā)表演講,說出了上面那句話。中村強調,通過在發(fā)光層采用InGaN(氮化銦鎵)的“雙異質結構造”,才實現(xiàn)了達到實用水平亮度的藍色LED。
  中村介紹稱,在利用InGaN雙異質結構造來提高藍色LED的亮度之前,藍色LED必須將GaN晶體內被稱作“位錯”的晶體缺陷的密度減少至103/cm2的程度才能提高亮度。而采用InGaN雙異質結構造之后,位錯密度即便高達109/cm2的程度,也能高亮度發(fā)光。InGaN的這一特性對于實現(xiàn)藍色LED,以及之后的藍紫色半導體激光器、藍色半導體激光器都作出了貢獻,因此中村將其評價為“奇跡般的材料”。
  關于InGaN在晶體缺陷較多時也能高亮度發(fā)光的原因,中村稱“與In的局域效應有關”,并提到了日本東北大學教授秩父重英(發(fā)布研究成果時任職于筑波大學)的研究成果。
  中村指出,雖然InGaN在高亮度藍色LED的實現(xiàn)中起到了重要作用,但很少有報道宣傳這種材料的重要性。中村還對日本媒體報道2014年諾貝爾物理學獎獲獎消息時的表述方式提出了質疑,他說,“不僅是日本的電視及報紙等媒體,就連日本的學術雜志及專業(yè)雜志也都說是‘赤崎和天野開發(fā)出了藍色LED,中村成功實現(xiàn)了藍色LED的量產化’。在諾貝爾基金會的發(fā)布資料中,并沒有這樣的內容,我并非只是做了量產化方面的工作。報道有失偏頗,令人非常遺憾”。

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InGaN藍色LED半導體激光器中村修二
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