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核心器件

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出比等效MOSFET小型化12倍 的200 V氮化鎵功率晶體管

來源:激光制造網(wǎng)2017-06-08 我要評論(0 )   

200 V、25 m?氮化鎵功率晶體管(EPC2046)比等效MOSFET小型化12倍,可應(yīng)用于無線充電、多級AC/DC電源供電、機(jī)械人應(yīng)用及太陽能微型

 200 V25 m?氮化鎵功率晶體管(EPC2046)比等效MOSFET小型化12倍,可應(yīng)用于無線充電、多級AC/DC電源供電、機(jī)械人應(yīng)用及太陽能微型逆變器。

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宜普電源轉(zhuǎn)換公司EPC)宣布推出面向多種應(yīng)用的EPC2046功率晶體管,包括無線充電、多級AC/DC電源供電、機(jī)械人應(yīng)用、太陽能微型逆變器及具低電感的馬達(dá)驅(qū)動器。EPC2046的額定電壓為200 V、最大導(dǎo)通電阻RDS(on)為25 m?、脈沖輸出電流為55 A。

 

EPC2046采用芯片級封裝,比使用塑膠封裝的MOSFET更有效地散熱,這是由于使用芯片級封裝的器件可以直接散熱至周遭環(huán)境,而MOSFET芯片的熱量則聚集在塑膠封裝內(nèi)。設(shè)計(jì)師現(xiàn)在可以同時實(shí)現(xiàn)更小型化和性能更高的器件!

EPC公司首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow稱:「EPC2046 eGaN®產(chǎn)品采用最新的第五代工藝,展示出EPC及其氮化鎵晶體管技術(shù)如何提升產(chǎn)品的性能之同時能夠降低器件的價(jià)格,這些優(yōu)勢推動全新應(yīng)用的發(fā)展,是日益老化的硅MOSFET所不可以實(shí)現(xiàn)得到的,并且吸引目前采用MOSFET的設(shè)計(jì)師轉(zhuǎn)用eGaN產(chǎn)品。這些全新晶體管也印證了氮化鎵與MOSFET技術(shù)在性能及成本方面的績效差距正在逐漸擴(kuò)大。」 

開發(fā)板

EPC9079開發(fā)板的最大器件電壓為200 V、半橋、帶板載柵極驅(qū)動器、內(nèi)含EPC2046晶體管、板載柵極驅(qū)動電源及旁路電容。該板為2英寸乘1.5英寸,其布局可實(shí)現(xiàn)最優(yōu)開關(guān)性能,并且包含所有重要元件,從而可以幫助工程師易于對EPC2046 eGaN FET的性能進(jìn)行評估。

 

價(jià)格及供貨

EPC2046 eGaN FET在批量為1,000片時的單價(jià)為3.51美元。 

EPC9079開發(fā)板的單價(jià)為118.75美元。 

晶體管及開發(fā)板都可以立即從Digikey公司購買,網(wǎng)址為http://www.digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en 

 

宜普電轉(zhuǎn)換公司

宜普電源轉(zhuǎn)換公司是基于增強(qiáng)型氮化鎵的功率管理器件的領(lǐng)先供應(yīng)商,為首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管,其目標(biāo)應(yīng)用包括 直流-直流轉(zhuǎn)換、線電、絡(luò)跟蹤、射頻傳送、功率逆、激光雷達(dá)LiDARD放大器等應(yīng)用,器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。此外,宜普公司正在擴(kuò)大基于eGaN IC的產(chǎn)品系列,為客戶提供進(jìn)一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。詳情請?jiān)L問我們的網(wǎng)站,網(wǎng)址為www.epc-co.com.cn 。

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉(zhuǎn)換公司的注冊商標(biāo)。

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