2-3微米波段半導(dǎo)體激光器在光譜分析、氣體檢測、醫(yī)學(xué)檢查等方面具有重要的應(yīng)用。InP襯底上不含銻量子阱激光器與GaSb基含銻量子阱激光器相比具有工藝成熟穩(wěn)定、熱導(dǎo)率高、襯底價(jià)格低、質(zhì)量好、易獲得等優(yōu)點(diǎn)。
中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室化合物半導(dǎo)體方向的研究人員通過在InP襯底上采用氣態(tài)源分子束外延方法生長高質(zhì)量的異變緩沖層，并在其上構(gòu)筑不含銻的InAs多量子阱結(jié)構(gòu)，成功研制出激射波長達(dá)2.7微米的激光器，這是目前國際上InP基不含銻量子阱激光器所能實(shí)現(xiàn)的最長激射波長。該工作已在Applied Physics Letters上發(fā)表，并引起國際上的廣泛關(guān)注，半導(dǎo)體領(lǐng)域知名雜志Semiconductor Today也對(duì)此作了專題報(bào)道。
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