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能源環(huán)境新聞

MEMS硅晶圓激光內(nèi)部改質(zhì)切割設備

星之球科技 來源:大族激光顯視與半導體2020-07-09 我要評論(0 )   

微機電系統(tǒng)(MEMS,Microelectromechanical systems)是一種在微米操作范圍內(nèi)將微電子技術(shù)和機械工程融合到一起的工業(yè)技術(shù)。其最初產(chǎn)生于1950至1960年代,迄今為止已經(jīng)...

微機電系統(tǒng)(MEMS,Microelectromechanical systems)是一種在微米操作范圍內(nèi)將微電子技術(shù)和機械工程融合到一起的工業(yè)技術(shù)。其最初產(chǎn)生于1950至1960年代,迄今為止已經(jīng)經(jīng)歷了至少三次較大的應用浪潮[1],分別為孵化階段、汽車應用以及消費類應用。從煙霧傳感器、壓感芯片、測溫芯片,到手機的中的麥克風、陀螺儀等,MEMS已經(jīng)深入到工業(yè)和生活的方方面面,而隨著物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展,未來對傳感器的需求也將呈指數(shù)級上升。

MEMS發(fā)展浪潮

MEMS結(jié)構(gòu)屬性需求

MEMS晶粒的機械結(jié)構(gòu)包括但不限于懸臂結(jié)構(gòu)、齒輪結(jié)構(gòu)、鉸鏈結(jié)構(gòu)、橋型結(jié)構(gòu)以及薄膜結(jié)構(gòu),這些結(jié)構(gòu)宏觀上非常脆弱,但能夠精密地相對運動。在封裝前,MEMS芯片的這些核心結(jié)構(gòu)被直接暴露在外,許多MEMS芯片的物理結(jié)構(gòu)極其敏感(例如薄膜結(jié)構(gòu))。如果采用傳統(tǒng)刀輪切割技術(shù),加工過程中冷卻水的使用將會使得芯片暴露在外的結(jié)構(gòu)出現(xiàn)污染以及物理損壞;而激光內(nèi)部改質(zhì)切割技術(shù)全程潔凈干燥且無接觸,自然成為了行業(yè)內(nèi)切割MEMS芯片的最有效方案。

激光內(nèi)部改質(zhì)切割技術(shù)

激光內(nèi)部改質(zhì)切割技術(shù)是由紅外激光聚焦到材料內(nèi)部,經(jīng)過激光掃描后形成多層改質(zhì)層,其利用了激光引導熱裂紋的方法原理(LITP, laser induced thermal-crack propagation),促使材料沿預設切割方向自然裂開的工藝。經(jīng)過激光內(nèi)部改質(zhì)切割的MEMS硅晶圓,可以通過直接擴膜來實現(xiàn)晶粒之間分離。該技術(shù)除了前面提及的潔凈干燥優(yōu)勢,另外在加工時產(chǎn)生的切割損耗(kerf loss)也基本完全消除,從而可減小晶圓片的預設切割道、增加單片晶粒數(shù)量,最終提升產(chǎn)品良率、節(jié)約制造成本。


技術(shù)創(chuàng)新升級

雖然激光內(nèi)部改質(zhì)切割方案在切割過程中不產(chǎn)生碎屑、臟污等污染,但是在擴膜分片過程中,分開的界面處從原理上仍然有可能掉落硅屑,從而影響較敏感產(chǎn)品的良率。大族顯視與半導體針對硅襯底的特點,自主研發(fā)出獨特的光學系統(tǒng),能夠有效優(yōu)化激光單脈沖的打點幾何形狀、控制裂紋形貌,以此提升裂紋向解理方向擴展的簡易程度;該光學方案有效優(yōu)化切割后的斷面平整度,減小側(cè)壁的表面積,從而在根本上抑制了硅屑的產(chǎn)生。

大族顯視與半導體激光內(nèi)部改質(zhì)切割設備加工時產(chǎn)生的引導裂紋形狀比一般激光硅切割設備更銳利,因此可以使用更少的掃描次數(shù)來完成裂紋在垂直晶圓面方向上的裂紋接力,從而產(chǎn)生更好的斷面均勻性;切割后的整體直線度在5μm以內(nèi),擴膜后無雙晶且沒有產(chǎn)生可見的硅屑。


產(chǎn)品加工效果擴膜后效果



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