隨著半導體行業(yè)的迅猛發(fā)展,碳化硅(SiC)憑借優(yōu)異的電氣特性和熱導率,逐漸成為電動汽車、可再生能源和高效能電子器件等領(lǐng)域的優(yōu)選材料。然而,碳化硅加工難度較高,傳統(tǒng)機械切割工藝受限于效率低與質(zhì)量不穩(wěn)定的挑戰(zhàn),促使皮秒激光技術(shù)成為焦點。
皮秒激光器以超短脈沖持續(xù)時間(皮秒級)釋放巨大的峰值功率,可以顯著減少加工過程中的熱影響區(qū),幾乎無熱損傷,確保了高精度與材料完整性。這一先進技術(shù)為碳化硅的精密加工開辟了新路徑,展現(xiàn)出巨大的市場潛力與應用前景。
圖1:碳化硅實物
碳化硅迎投資熱潮激光加速生產(chǎn)效能
碳化硅具有很高的化學穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性,兼具優(yōu)異的半導體性質(zhì)。其禁帶寬度是硅的2-3倍,砷化鎵的1.6-2.3倍;臨界場強更是硅與砷化鎵的約10倍;而飽和電子漂移速率亦達到硅和砷化鎵的2倍之多。
作為第三代半導體材料,碳化硅具有更廣闊的應用潛力。當前,碳化硅已深入電力電子器件與微機電系統(tǒng)的核心制造領(lǐng)域,尤其在光伏系統(tǒng)中,碳化硅基電力電子器件以其更高的逆變效率與更優(yōu)的功率重量比,引領(lǐng)行業(yè)前行。同時,憑借獨特的光學特性,碳化硅還在光電器件制造及高溫吸波材料領(lǐng)域大放異彩。
然而,碳化硅是一種極為硬質(zhì)的材料,其莫氏硬度超9,僅次于鉆石。這種硬度雖賦予其優(yōu)異的耐磨與耐高溫性能,卻也向傳統(tǒng)機械加工方法提出了嚴峻挑戰(zhàn),尤其是在追求高精度與復雜形狀加工的領(lǐng)域。
在此背景下,皮秒激光切割技術(shù)應運而生,不僅實現(xiàn)了碳化硅的精準切割,更通過精細調(diào)控激光參數(shù)(如功率、脈沖重復頻率及掃描速度),優(yōu)化了切割流程,降低了加工損傷,提升了切割速度與加工質(zhì)量。在半導體設備、汽車電子及航空航天等高端制造領(lǐng)域,皮秒激光技術(shù)憑借上述五大優(yōu)勢已成為制造高性能碳化硅組件不可或缺的關(guān)鍵技術(shù),其獨特優(yōu)勢無可替代。
圖2:碳化硅晶圓
15瓦百皮秒紅外激光器個性化解決方案
皮秒激光器產(chǎn)生的激光脈沖持續(xù)時間極短,一般在皮秒(10-12秒)級別,這使得激光脈沖在材料表面的作用時間極短,大大限制了熱量擴散到材料其他部分,從而降低了熱影響區(qū)域和熱應力,減少了微裂紋和物理變形的風險,確保了加工精度與質(zhì)量的雙重提升。
此外,皮秒激光器具有非常高的加工靈活性,能夠輕松適應多樣化的應用需求與材料特性,在3C電子、光學元件、醫(yī)療器械等領(lǐng)域,均可實現(xiàn)高精度的切割和雕刻,為各行業(yè)帶來前所未有的加工體驗。
凱普林針對加工需求,精心打造了15瓦紅外皮秒激光器Topaz-1064-15p,可進行個性化定制。該激光器波長為1064 nm,脈寬覆蓋10 ps~150 ps,重復頻率則在5 kHz~1000 kHz間自由設定,平均功率>15 W@50 kHz。它支持脈沖串數(shù)量1~10可選,M2<1.4,發(fā)散角 <1mrad,光斑尺寸精準控制于2.5±0.2 mm,指向性 <50 urad,確保每一次加工都精準無誤。
圖3:凱普林15W百皮秒紅外激光器
實際應用中,凱普林皮秒激光展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢,不僅大幅提升加工速度,更在產(chǎn)品質(zhì)量的一致性與產(chǎn)出率上實現(xiàn)質(zhì)的飛躍。通過掃描電子顯微鏡的圖像分析顯示,皮秒激光處理的邊緣更為光滑,幾乎無微裂紋產(chǎn)生。
在碳化硅等硬脆材料的切割領(lǐng)域,凱普林皮秒激光器更是實力非凡。其超短脈沖在加工過程中產(chǎn)生的極小熱影響,確保了碳化硅表面光潔度與精確的加工質(zhì)量,同時實現(xiàn)了材料的高效去除與切割,大大提升了生產(chǎn)效率和材料利用率。此外,其高光束質(zhì)量和可控的脈沖寬度,確保了在不損傷材料的前提下,實現(xiàn)精準加工,滿足了現(xiàn)代制造業(yè)對高性能與可持續(xù)發(fā)展的雙重追求。
凱普林超快激光器憑借其優(yōu)越特性,不僅優(yōu)化了碳化硅加工流程,還為制造業(yè)開創(chuàng)了節(jié)能環(huán)保的技術(shù)新路徑,符合現(xiàn)代制造業(yè)對高性能和可持續(xù)發(fā)展的需求。其穩(wěn)定性和低成本優(yōu)勢,預示著它將成為碳化硅加工行業(yè)的關(guān)鍵裝備,引領(lǐng)行業(yè)變革。
圖4:凱普林激光器加工碳化硅結(jié)果
隨著電動汽車與高功率電子設備的迅猛發(fā)展,碳化硅的市場需求與日俱增,預計至2030年,其市場規(guī)模將躍升至百億級別。特別是在碳化硅晶片的切割、劃線和薄膜剝離等工序中,皮秒激光技術(shù)已成為行業(yè)公認的首選方案,并將在未來的材料加工技術(shù)革新中扮演更加重要的角色。
展望未來,隨著超快激光技術(shù)的不斷進步和成本的進一步降低,皮秒激光技術(shù)在碳化硅以及其他先進材料的加工中的應用將更加廣泛,超快激光加工技術(shù)的創(chuàng)新也將為半導體和電子行業(yè)帶來更多的機遇和挑戰(zhàn)。
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