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技術(shù)前沿

度亙發(fā)布國際首款9xxnm單管芯片55W最新成果

來源:度亙核芯2023-02-27 我要評論(0 )   

度亙核芯(DoGain)在2023年1月29日美國舊金山舉行的西部光電會議(Photonics West 2023)上發(fā)布了在高功率9xxnm半導(dǎo)體激光方面的最新進展。開發(fā)的915nm單管激光芯片,...

度亙核芯(DoGain)在2023年1月29日美國舊金山舉行的西部光電會議(Photonics West 2023)上發(fā)布了在高功率9xxnm半導(dǎo)體激光方面的最新進展。開發(fā)的915nm單管激光芯片,國際上首次實現(xiàn)了單管器件高達55W的功率輸出!

圖1. 9xxnm半導(dǎo)體激光芯片結(jié)構(gòu)示意圖

圖2. 9xxnm半導(dǎo)體激光器件COS結(jié)構(gòu)示意圖

高功率、高效率、高亮度是激光技術(shù)和應(yīng)用孜孜以求的目標,也是當(dāng)前激光技術(shù)領(lǐng)域中比較活躍的研究領(lǐng)域。我們通過對基礎(chǔ)物理、材料科學(xué)以及器件制備工藝的深入研究,優(yōu)化了芯片的內(nèi)量子效率、腔內(nèi)光學(xué)損耗以及腔面的高負載能力,成功實現(xiàn)了輸出功率和電光轉(zhuǎn)換效率的顯著提高。開發(fā)的915nm單管激光芯片,在室溫和55A連續(xù)工作條件下,突破性的實現(xiàn)了55.5W的高輸出功率,而且具有高的電光轉(zhuǎn)換效率、小的水平發(fā)散角和高的偏振度。

圖3. 25℃,CW條件下,915nm 功率、電壓和電光轉(zhuǎn)換效率隨電流變化曲線

度亙很榮幸將此技術(shù)及產(chǎn)品推向市場,為客戶提供高功率、高效率、高性價比的有效解決方案。度亙也將持續(xù)聚焦核心光電領(lǐng)域,提升產(chǎn)品的性能和可靠性,持續(xù)不斷的為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品。


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度亙核芯激光芯片
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