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特種氣體 (Specialty gases)是指那些在特定領(lǐng)域中應(yīng)用的,對氣體有特殊要求的純氣、高純氣或由高純單質(zhì)氣體配制的二元或多元混合氣。特種氣體門類繁多,通常可區(qū)分為電子氣體、標(biāo)準(zhǔn)氣、環(huán)保氣、醫(yī)用氣、焊接氣、殺菌氣等,廣泛用于電子、電力、石油化工、采礦、鋼鐵、有色金屬冶煉、熱力工程、生化、環(huán)境監(jiān)測、醫(yī)學(xué)研究及診斷、食品保鮮等領(lǐng)域。 
電子氣體 (Electronic gases)半導(dǎo)體工業(yè)用的氣體統(tǒng)稱電子氣體。按其門類可分為純氣、高純氣和半導(dǎo)體特殊材料氣體三大類。特殊材料氣體主要用于外延、摻雜和蝕刻工藝;高純氣體主要用作稀釋氣和運載氣。電子氣體是特種氣體的一個重要分支。電子氣體按純度等級和使用場合,可分為電子級、LSI(大規(guī)模集成電路)級、VLSI(超大規(guī)模集成電路)級和ULSI(特大規(guī)模集成電路)級。  
標(biāo)準(zhǔn)氣體(Standard gases)標(biāo)準(zhǔn)氣體屬于標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)。標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)是高度均勻的、良好穩(wěn)定和量值準(zhǔn)確的測定標(biāo)準(zhǔn),它們具有復(fù)現(xiàn)、保存和傳遞量值的基本作用,在物理、化 學(xué)、生物與工程測量領(lǐng)域中用于校準(zhǔn)測量儀器和測量過程,評價測量方法的準(zhǔn)確度和檢測實驗室的檢測能力,確定材料或產(chǎn)品的特性量值,進(jìn)行量值仲裁等。大型乙烯廠、合成氨廠及其它石化企業(yè),在裝置開車、停車和正常生產(chǎn)過程中需要幾十種純氣和幾百種多組分標(biāo)準(zhǔn)混合氣,用來校準(zhǔn)、定標(biāo)生產(chǎn)過程中使用的在線分析儀器和分析原料及產(chǎn)品 質(zhì)量的儀器。標(biāo)準(zhǔn)氣還可用于環(huán)境監(jiān)測,有毒的有機(jī)物測量,汽車排放氣測試,天然氣BTU測量,液化石油氣校正標(biāo)準(zhǔn),超臨界流體工藝等。標(biāo)準(zhǔn)氣視氣體組分?jǐn)?shù)區(qū)分為二元、三元和多元標(biāo)準(zhǔn)氣體;配氣準(zhǔn)度要求以配氣允差和分析允差來表征;比較通用的有SE2MI配氣允差標(biāo)準(zhǔn),但各公司均有企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。組分的最低濃度為10-6級,組分?jǐn)?shù)可多達(dá)20余種。配制方法可采用重量法,然后用色譜分析校核,也可按標(biāo)準(zhǔn)傳遞程序進(jìn)行傳遞。 
外延氣體(Cpitaxial gases)在仔細(xì)選擇的襯底上采用化學(xué)氣相淀積(CVD)的方法生長一層或多層材料所用氣體稱為外延氣體。硅外延氣體有4種,即硅烷、二氯二氫硅、三氯氫硅和四氯化硅,主要用于外延硅淀積,多晶硅淀積,淀積氧化硅膜,淀積氮化硅膜,太陽電池和其他光感受器的非晶硅膜淀積。外延生長是一種單晶材料淀積并生長在襯底表面上的過程。此外延層的電阻率往往與襯底不同。  
蝕刻氣體 (Etching gases)蝕刻就是把基片上無光刻膠掩蔽的加工表面如氧化硅膜、金屬膜等蝕刻掉,而使有光刻膠掩蔽的區(qū)域保存下來,這樣便在基片表面得到所需要的成像圖形。蝕刻的基本要求是,圖形邊緣整齊,線條清晰,圖形變換差小,且對光刻膠膜及其掩蔽保護(hù)的表面無損傷和鉆蝕。蝕刻方式有濕法化學(xué)蝕刻和干法化學(xué)蝕刻。干法蝕刻所用氣體稱蝕刻氣體,通常多為氟化物氣體,例如四氟化碳、三氟化氮、六氟 乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。干法蝕刻由于蝕刻方向性強(qiáng)、工藝控制精確、方便、無脫膠現(xiàn)象、無基片損傷和沾污,所以其應(yīng)用 范圍日益廣泛。