“許多的經(jīng)濟(jì)規(guī)模實(shí)際上取決于掃瞄器能否達(dá)到一定的吞吐量閾值,而這就是我們付出許多心血之處,”Arnold表示。“如果這是一個(gè)只要付出大量心力就能解決的問(wèn)題,我們終將解決這個(gè)問(wèn)題。”
然而,如果短期內(nèi)無(wú)法克服吞吐量的問(wèn)題,芯片制造商們將別無(wú)選擇,只能再進(jìn)一步尋求擴(kuò)展193 nm ArF光刻技術(shù)的替代方法。ArF光刻技術(shù)一直是過(guò)去十年來(lái)的主流途徑。
但這樣做的代價(jià)不菲。制程工程師們已利用一些技術(shù)進(jìn)行22nm節(jié)點(diǎn)的芯片制造,這些技術(shù)包括光學(xué)鄰近校正(OPC)、相位移掩膜(PSM),以及最近的浸入式光刻技術(shù)、光源掩膜優(yōu)化和雙重曝光等。使用一組掩膜花費(fèi)可能就高達(dá)2百萬(wàn)美元以上,是芯片設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)時(shí)的最高成本之一。
英特爾公司已下注于這項(xiàng)技術(shù)了。該公司希望在10nm節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵層利用EUV技術(shù)作為其主要的光刻技術(shù),但另一方面也研究如何擴(kuò)展ArF光刻技術(shù)至10nm的方法,根據(jù)英特爾公司研究員Vivek Singh表示。
但英特爾必須很快地作出決定,究竟要不要為10nm制程建立兩套設(shè)計(jì)規(guī)則──一套用于EUV,另一套則用于ArF?或是只選用其中一種?Singh補(bǔ)充道,“這就跟錢(qián)有關(guān)了。”
英特爾的另一位研究人員Mark Bohr最近告訴我們,英特爾公司在擴(kuò)展193nm浸入式光刻至10nm節(jié)點(diǎn)上已經(jīng)得到令人振奮的結(jié)果了,但他并未透露進(jìn)一步的細(xì)節(jié)。
歐洲微電子研究中心(IMEC)一直是研究EUV光刻技術(shù)的旗艦中心,去年7月宣布開(kāi)始采用ASML試產(chǎn)工具曝光EUV晶圓。但I(xiàn)ME也進(jìn)行其它應(yīng)急措施;CEO Luc Van den Hove最近表示,IMEC將采用ASML最新的193nm浸入式光刻工具來(lái)處理光學(xué)光刻開(kāi)發(fā)作業(yè);一旦面臨EUV無(wú)法用于14nm節(jié)點(diǎn)的情況下,這將可作為一項(xiàng)備用計(jì)劃。
但在14nm及更先進(jìn)制程,采用光學(xué)浸入式光刻技術(shù)的雙重圖形方法無(wú)法提供足夠的解析度來(lái)寫(xiě)入光罩特色;有時(shí)還必須使用到三倍、四倍或什至五倍圖形。
但以往只需要使用一個(gè)光罩的關(guān)鍵層,現(xiàn)在卻得使用多達(dá)五個(gè)光罩──這將會(huì)為任何設(shè)計(jì)增加相當(dāng)大的成本。但至于費(fèi)用貴到什程度會(huì)成為問(wèn)題,現(xiàn)在也還不清楚,因?yàn)镋UV本身就不便宜。一些設(shè)備市場(chǎng)分析師指出,生產(chǎn)EUV工具的花費(fèi)可能高達(dá)1億美元以上。
根據(jù)KLA的Haas表示,EUV技術(shù)的開(kāi)發(fā)困境可能是'噩夢(mèng)'一場(chǎng),挑戰(zhàn)著業(yè)界供應(yīng)鏈的根本經(jīng)濟(jì)學(xué)。Haas警告,如果EUV光刻工具的吞吐量無(wú)法達(dá)到每小時(shí)超過(guò)30片晶圓,記憶體芯片制造商仍可能以該技術(shù)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),但一般代工廠、邏輯芯片供應(yīng)商以及其他廠商將被迫采用替代方案。這種分歧將迫使KLA及其他工具供應(yīng)商以較銷(xiāo)售預(yù)期更少的產(chǎn)量來(lái)攤銷(xiāo)EUV光罩偵測(cè)工具及其它設(shè)備的開(kāi)發(fā)成本,最終導(dǎo)致成本更高,而使?jié)撛谫I(mǎi)主因天價(jià)而怯步或撤銷(xiāo)購(gòu)買(mǎi)計(jì)劃。
Haas認(rèn)為,ASML公司最終將解決光源問(wèn)題,并讓EUV工具達(dá)到可進(jìn)行商用生產(chǎn)的吞吐量。
“我很樂(lè)觀,而且我們也應(yīng)該要樂(lè)觀面對(duì)。因?yàn)槲覀兌伎窟@項(xiàng)技術(shù)了。EUV光刻技術(shù)在經(jīng)濟(jì)上勢(shì)在必行。”
到了2015年時(shí),我們就會(huì)知道是采取這種或哪一種方式了。
但以往只需要使用一個(gè)光罩的關(guān)鍵層,現(xiàn)在卻得使用多達(dá)五個(gè)光罩──這將會(huì)為任何設(shè)計(jì)增加相當(dāng)大的成本。但至于費(fèi)用貴到什程度會(huì)成為問(wèn)題,現(xiàn)在也還不清楚,因?yàn)镋UV本身就不便宜。一些設(shè)備市場(chǎng)分析師指出,生產(chǎn)EUV工具的花費(fèi)可能高達(dá)1億美元以上。
根據(jù)KLA的Haas表示,EUV技術(shù)的開(kāi)發(fā)困境可能是'噩夢(mèng)'一場(chǎng),挑戰(zhàn)著業(yè)界供應(yīng)鏈的根本經(jīng)濟(jì)學(xué)。Haas警告,如果EUV光刻工具的吞吐量無(wú)法達(dá)到每小時(shí)超過(guò)30片晶圓,記憶體芯片制造商仍可能以該技術(shù)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),但一般代工廠、邏輯芯片供應(yīng)商以及其他廠商將被迫采用替代方案。這種分歧將迫使KLA及其他工具供應(yīng)商以較銷(xiāo)售預(yù)期更少的產(chǎn)量來(lái)攤銷(xiāo)EUV光罩偵測(cè)工具及其它設(shè)備的開(kāi)發(fā)成本,最終導(dǎo)致成本更高,而使?jié)撛谫I(mǎi)主因天價(jià)而怯步或撤銷(xiāo)購(gòu)買(mǎi)計(jì)劃。
Haas認(rèn)為,ASML公司最終將解決光源問(wèn)題,并讓EUV工具達(dá)到可進(jìn)行商用生產(chǎn)的吞吐量。
“我很樂(lè)觀,而且我們也應(yīng)該要樂(lè)觀面對(duì)。因?yàn)槲覀兌伎窟@項(xiàng)技術(shù)了。EUV光刻技術(shù)在經(jīng)濟(jì)上勢(shì)在必行。”
到了2015年時(shí),我們就會(huì)知道是采取這種或哪一種方式了。
但以往只需要使用一個(gè)光罩的關(guān)鍵層,現(xiàn)在卻得使用多達(dá)五個(gè)光罩──這將會(huì)為任何設(shè)計(jì)增加相當(dāng)大的成本。但至于費(fèi)用貴到什程度會(huì)成為問(wèn)題,現(xiàn)在也還不清楚,因?yàn)镋UV本身就不便宜。一些設(shè)備市場(chǎng)分析師指出,生產(chǎn)EUV工具的花費(fèi)可能高達(dá)1億美元以上。
根據(jù)KLA的Haas表示,EUV技術(shù)的開(kāi)發(fā)困境可能是'噩夢(mèng)'一場(chǎng),挑戰(zhàn)著業(yè)界供應(yīng)鏈的根本經(jīng)濟(jì)學(xué)。Haas警告,如果EUV光刻工具的吞吐量無(wú)法達(dá)到每小時(shí)超過(guò)30片晶圓,記憶體芯片制造商仍可能以該技術(shù)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),但一般代工廠、邏輯芯片供應(yīng)商以及其他廠商將被迫采用替代方案。這種分歧將迫使KLA及其他工具供應(yīng)商以較銷(xiāo)售預(yù)期更少的產(chǎn)量來(lái)攤銷(xiāo)EUV光罩偵測(cè)工具及其它設(shè)備的開(kāi)發(fā)成本,最終導(dǎo)致成本更高,而使?jié)撛谫I(mǎi)主因天價(jià)而怯步或撤銷(xiāo)購(gòu)買(mǎi)計(jì)劃。
Haas認(rèn)為,ASML公司最終將解決光源問(wèn)題,并讓EUV工具達(dá)到可進(jìn)行商用生產(chǎn)的吞吐量。
“我很樂(lè)觀,而且我們也應(yīng)該要樂(lè)觀面對(duì)。因?yàn)槲覀兌伎窟@項(xiàng)技術(shù)了。EUV光刻技術(shù)在經(jīng)濟(jì)上勢(shì)在必行。”
到了2015年時(shí),我們就會(huì)知道是采取這種或哪一種方式了。
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