戀夜直播app官方正版下载_戀夜直播高品质美女在线视频互动社区_戀夜直播官方版

閱讀 | 訂閱
閱讀 | 訂閱
半導體激光器

解析半導體激光器(上)

星之球激光 來源:網(wǎng)絡2012-03-08 我要評論(0 )   

半導體激光器 又稱為 激光 二極管(LD,Laser Diode),是采用 半導體 材料作為工作物質而產(chǎn)生受激發(fā)射的一類 激光器 。常用材料有砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化...

  半導體激光器又稱為激光二極管(LD,Laser Diode),是采用半導體材料作為工作物質而產(chǎn)生受激發(fā)射的一類激光器。常用材料有砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦激勵三種形式。半導體激光器件,一般可分為同質結、單異質結、雙異質結。同質結激光器和單異質結激光器室溫時多為脈沖器件,而雙異質結激光器室溫時可實現(xiàn)連續(xù)工作。半導體激光器的優(yōu)點在于體積小、重量輕、運轉可靠、能耗低、效率高、壽命長、高速調制,因此半導體激光器在激光通信、光存儲、光陀螺、激光打印、激光醫(yī)療、激光測距、激光雷達、自動控制、檢測儀器等領域得到了廣泛的應用。

  半導體激光器工作原理是:通過一定的激勵方式,在半導體物質的能帶(導帶與價帶)之間,或者半導體物質的能帶與雜質(受主或施主)能級之間,實現(xiàn)非平衡載流子的粒子數(shù)反轉,當處于粒子數(shù)反轉狀態(tài)的大量電子與空穴復合時便產(chǎn)生受激發(fā)射作用。半導體激光器的激勵方式主要有三種:電注入式、電子束激勵式和光泵浦激勵式。電注入式半導體激光器一般是由GaAS(砷化鎵)、InAS(砷化銦)、Insb(銻化銦)等材料制成的半導體面結型二極管,沿正向偏壓注入電流進行激勵,在結平面區(qū)域產(chǎn)生受激發(fā)射。電子束激勵式半導體激光器一般用N型或者P型半導體單晶(PbS、CdS、ZhO等)作為工作物質,通過由外部注入高能電子束進行激勵。光泵浦激勵式半導體激光器一般用N型或P型半導體單晶(GaAS、InAs、InSb等)作為工作物質,以其它激光器發(fā)出的激光作光泵激勵。

  目前在半導體激光器件中,性能較好、應用較廣的是:具有雙異質結構的電注入式GaAs二極管半導體激光器。

  半導體光電器件的工作波長與半導體材料的種類有關。半導體材料中存在著導帶和價帶,導帶上面可以讓電子自由運動,而價帶下面可以讓空穴自由運動,導帶和價帶之間隔著一條禁帶,當電子吸收了光的能量從價帶跳躍到導帶中去時就把光的能量變成了電,而帶有電能的電子從導帶跳回價帶,又可以把電的能量變成光,這時材料禁帶的寬度就決定了光電器件的工作波長。

  小功率半導體激光器(信息型激光器),主要用于信息技術領域,例如用于光纖通信及光交換系統(tǒng)的分布反饋和動態(tài)單模激光器(DFB-LD)、窄線寬可調諧激光器、用于光盤等信息處理領域的可見光波長激光器(405nm、532nm、635nm、650nm、670nm)。這些器件的特征是:單頻窄線寬、高速率、可調諧、短波長、光電單片集成化等。

 

轉載請注明出處。

暫無關鍵詞
免責聲明

① 凡本網(wǎng)未注明其他出處的作品,版權均屬于激光制造網(wǎng),未經(jīng)本網(wǎng)授權不得轉載、摘編或利用其它方式使用。獲本網(wǎng)授權使用作品的,應在授權范圍內(nèi)使 用,并注明"來源:激光制造網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關責任。
② 凡本網(wǎng)注明其他來源的作品及圖片,均轉載自其它媒體,轉載目的在于傳遞更多信息,并不代表本媒贊同其觀點和對其真實性負責,版權歸原作者所有,如有侵權請聯(lián)系我們刪除。
③ 任何單位或個人認為本網(wǎng)內(nèi)容可能涉嫌侵犯其合法權益,請及時向本網(wǎng)提出書面權利通知,并提供身份證明、權屬證明、具體鏈接(URL)及詳細侵權情況證明。本網(wǎng)在收到上述法律文件后,將會依法盡快移除相關涉嫌侵權的內(nèi)容。

網(wǎng)友點評
0相關評論
精彩導讀