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  近期，中科院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所中科院強(qiáng)激光材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室采用提拉法成功生長(zhǎng)出直徑98mm、總長(zhǎng)度360mm的高品質(zhì)Ce:YAG閃爍晶體（如下圖1所示），Ce離子摻雜濃度0.05at%，晶體重量達(dá)6945克，生長(zhǎng)周期25天，是目前國(guó)內(nèi)報(bào)道的尺寸最大的Ce:YAG閃爍晶體。 

　　根據(jù)國(guó)內(nèi)外晶體發(fā)展趨勢(shì)及國(guó)家重大項(xiàng)目需要，依托中科院修繕購(gòu)置專項(xiàng)資金的支持，2012年6月，“上海材料與制造大型儀器區(qū)域中心”啟動(dòng)了上海光機(jī)所大尺寸全自動(dòng)光學(xué)晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)平臺(tái)項(xiàng)目的建設(shè)（如圖2所示）。逐步解決了晶體生長(zhǎng)需要的貴金屬材料、穩(wěn)壓及不間斷電源（輔助系統(tǒng)）等關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題，為大尺寸高品質(zhì)YAG晶體的成功研發(fā)提供了重要的基礎(chǔ)配套設(shè)備支撐。 

　　Ce:YAG是一種重要的具有優(yōu)良閃爍性能（光產(chǎn)額:9000Ph/MeV，衰減時(shí)間:70ns）的閃爍晶體，主要應(yīng)用于高能射線探測(cè)成像（如SEM）、高能物理與核物理實(shí)驗(yàn)、安檢、醫(yī)療和軍事等領(lǐng)域。由于Ce離子在YAG基質(zhì)中的分凝系數(shù)?。s為0.1），使Ce離子很難摻入YAG晶體中，而且隨著晶體直徑的增大，晶體生長(zhǎng)難度急劇增加。上海光機(jī)所直徑98mmCe:YAG晶體的生長(zhǎng)成功，標(biāo)志著上海光機(jī)所YAG晶體生長(zhǎng)技術(shù)已處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。 

圖1. Ce:YAG晶體照片（直徑98mm、總長(zhǎng)度360mm） 

圖2 大尺寸全自動(dòng)光學(xué)晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)