激光打標機、激光切割機、激光焊接機等等激光設備中激光器起著舉足輕重的地位，在激光器的發(fā)展歷程中，半導體激光器的發(fā)展尤為重要，材料加工用激光器主要要滿足高功率和高光束質(zhì)量，所以為了提高大功率半導體激光器的輸出功率，可以將十幾個或幾十個單管激光器芯片集成封裝、形成激光器巴條，將多個巴條堆疊起來可形成激光器二維疊陣，激光器疊陣的光功率可以達到千瓦級甚至更高。但是隨著半導體激光器條數(shù)的增加，其光束質(zhì)量將會下降。
另外，半導體激光器結構的特殊性決定了其快、慢軸光束質(zhì)量不一致：快軸的光束質(zhì)量接近衍射極限，而慢軸的光束質(zhì)量卻比較差，這使得半導體激光器在工業(yè)應用中受到了很大的限制。要實現(xiàn)高質(zhì)量、寬范圍的激光加工，激光器必須同時滿足高功率和高光束質(zhì)量。因此，現(xiàn)在發(fā)達國家均將研究開發(fā)新型高功率、高光束質(zhì)量的大功率半導體激光器作為一個重要研究方向，以滿足要求更高激光功率密度的激光材料加工應用的需求。
大功率半導體激光器的關鍵技術包括半導體激光芯片外延生長技術、半導體激光芯片的封裝和光學準直、激光光束整形技術和激光器集成技術。
?。?）半導體激光芯片外延生長技術
大功率半導體激光器的發(fā)展與其外延芯片結構的研究設計緊密相關。近年來，美、德等國家在此方面投入巨大，并取得了重大進展，處于世界領先地位。首先，應變量子阱結構的采用，提高了大功率半導體激光器的光電性能，降低了器件的閾值電流密度，并擴展了GaAs基材料系的發(fā)射波長覆蓋范圍。其次，采用無鋁有源區(qū)提高了激光芯片端面光學災變損傷光功率密度，從而提高了器件的輸出功率，并增加了器件的使用壽命。再者，采用寬波導大光腔結構增加了光束近場模式的尺寸，減小了輸出光功率密度，從而增加了輸出功率，并延長了器件壽命。目前，商品化的半導體激光芯片的電光轉換效率已達到60%，實驗室中的電光轉換效率已超過70%，預計在不久的將來，半導體激光器芯片的電光轉換效率能達到85%以上。
?。?）半導體激光芯片的封裝和光學準直
激光芯片的冷卻和封裝是制造大功率半導體激光器的重要環(huán)節(jié)，由于大功率半導體激光器的輸出功率高、發(fā)光面積小，其工作時產(chǎn)生的熱量密度很高，這對芯片的封裝結構和工藝提出了更高要求。目前，國際上多采用銅熱沉、主動冷卻方式、硬釬焊技術來實現(xiàn)大功率半導體激光器陣列的封裝，根據(jù)封裝結構的不同，又可分為微通道熱沉封裝和傳導熱沉封裝。
半導體激光器的特殊結構導致其光束的快軸方向發(fā)散角非常大，接近40°，而慢軸方向的發(fā)散角只有10°左右。為了使激光長距離傳輸以便于后續(xù)光學處理，需要對光束進行準直。由于半導體激光器發(fā)光單元尺寸較小，目前，國際上常用的準直方法是微透鏡準直。其中，快軸準直鏡通常為數(shù)值孔徑較大的微柱非球面鏡，慢軸準直鏡則是對應于各個發(fā)光單元的微柱透鏡。經(jīng)過快慢軸準直后，快軸方向的發(fā)散角可以達到8mrad，慢軸方向的發(fā)散角可以達到30mrad。
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