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核心器件

宜普電源發(fā)布第九階段產(chǎn)品可靠性測試報告

來源:激光制造網(wǎng)2017-04-14 我要評論(0 )   

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)發(fā)布第九階段可靠性測試報告,記錄了受測的氮化鎵器件全部通過數(shù)百萬個器件-小時的應力測試而沒有發(fā)生故

 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)發(fā)布第九階段可靠性測試報告,記錄了受測的氮化鎵器件全部通過數(shù)百萬個器件-小時的應力測試而沒有發(fā)生故障

 

宜普電源轉(zhuǎn)換公司發(fā)布第九階段可靠性測試報告,記錄受測器件在累計超過900萬個器件-小時的應力測試后,沒有發(fā)生故障。該報告聚焦電路板熱機械可靠性,首次描述焊點的完整性的預測模型,以及與可比的封裝器件相比,展示出采用晶圓級芯片規(guī)模封裝(WLCSP)的氮化鎵晶體管具備卓越的可靠性。

 Reliability Report #9_副本

宜普電源轉(zhuǎn)換公司第九階段可靠性測試報告表明所有受測的器件都通過了嚴謹?shù)臒釞C械可靠性測試。我們過去已發(fā)布了八份關于產(chǎn)品可靠性測試報告,第九階段可靠性測試報告進一步累積與氮化鎵技術相關的知識,以及實現(xiàn)我們的承諾,與工程師分享對氮化鎵技術的學習研究。

 

宜普公司首席執(zhí)行官及共同創(chuàng)始人Alex Lidow博士說:「要展示全新技術的可靠性是一個重大的挑戰(zhàn)。我們非常重視所有產(chǎn)品的可靠性。第九階段可靠性測試報告闡述我們采用晶圓級芯片規(guī)模封裝的氮化鎵產(chǎn)品無論在可靠性、成本及性能方面都比硅基元件優(yōu)越,是替代硅技術的首選半導體技術。丟棄封裝的時候終于來臨了。」

 

EPC公司的場效應晶體管(FET)及集成電路采用晶圓級芯片規(guī)模封裝(WLCSP),可以提高性能、降低成本及把元件的占板面積減至最小而同時提高可靠性。WLCSP具備優(yōu)越的散熱性能,于終端應用中焊接器件到PCB時,這是非常重要的。 第九階段可靠性測試報告主要闡述電路板熱機械可靠性。

 

所選的受測器件采用不同的封裝尺寸及焊接工位的布局和配置,并且使用預測焊點的完整性的模型??蛻艨梢岳帽緢蟾嫠龅臒釞C械應力模型來預測器件于各種特定最終應用中的可靠性。在與最終應用相關的任意壓力條件下,客戶可利用焊點應變之間的相關性和器件的熱疲勞壽命,利用模型來預測熱循環(huán)引致的器件故障。

 

從這九份可靠性報告所累計的資料可以看到,eGaN FET及集成電路是非??煽康钠骷约霸谀壳暗慕K端產(chǎn)品的合理壽命內(nèi),eGaN FET及集成電路的失效概率是非常低的。與硅器件相比,報告描述了氮化鎵技術具備卓越的性能、成本及可靠性,丟棄采用較低可靠性封裝的硅器件、轉(zhuǎn)用芯片級氮化鎵場效應晶體管及集成電路的時候終于來臨了。

 

宜普電轉(zhuǎn)換公司

宜普電轉(zhuǎn)換公司是基于增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商,為首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管,其目標應用包括 直流-直流轉(zhuǎn)換、線電跟蹤、射頻傳送、功率逆、激光雷達LiDARD放大器等應用,器件性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍。此外,宜普公司正在擴大基于eGaN IC的產(chǎn)品系列,為客戶提供進一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。詳情請訪問我們的網(wǎng)站,網(wǎng)址為www.epc-co.com.cn 。

 

eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉(zhuǎn)換公司的注冊商標。

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宜普電源
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