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我國(guó)LED外延芯片發(fā)展迅猛

星之球激光 來(lái)源:光行天下2012-03-27 我要評(píng)論(0 )   

LED外延生長(zhǎng)及芯片制造過(guò)程將直接影響終端LED產(chǎn)品的性能與質(zhì)量,是LED生產(chǎn)過(guò)程中最為核心的環(huán)節(jié),其技術(shù)發(fā)展水平直接決定了下游應(yīng)用的滲透程度及覆蓋范圍。LED的技術(shù)發(fā)...

  LED外延生長(zhǎng)及芯片制造過(guò)程將直接影響終端LED產(chǎn)品的性能與質(zhì)量,是LED生產(chǎn)過(guò)程中最為核心的環(huán)節(jié),其技術(shù)發(fā)展水平直接決定了下游應(yīng)用的滲透程度及覆蓋范圍。LED的技術(shù)發(fā)展經(jīng)歷了從單色系到全色系,從普亮到高亮,從低光效到高光效的上升路徑,LED性能的不斷完善推動(dòng)其不斷深入至各應(yīng)用領(lǐng)域。 LED外延生長(zhǎng)及芯片制造環(huán)節(jié)在LED產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)含量高,設(shè)備投資強(qiáng)度大,同時(shí)利潤(rùn)率也相對(duì)較高,是典型的資本、技術(shù)密集型行業(yè),其技術(shù)及發(fā)展水平對(duì)各國(guó)LED產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)及各公司的市場(chǎng)地位起著決定性影響。

  近年來(lái),我國(guó)LED外延芯片行業(yè)隨著LED應(yīng)用領(lǐng)域的不斷拓展而快速發(fā)展。根據(jù)國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟所發(fā)布的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),2009年至2011年間,國(guó)內(nèi)LED外延芯片行業(yè)規(guī)模由23億元上升至65億元,年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)68.11%。

  我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)由封裝起步發(fā)展,初期芯片主要依賴進(jìn)口,近年來(lái),在下游旺盛需求的拉動(dòng)及各地政策的支持下,國(guó)內(nèi)主要LED外延芯片企業(yè)加大研發(fā)投入,積極制定擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,市場(chǎng)對(duì)于外延芯片環(huán)節(jié)的投資力度不斷提升,使得國(guó)內(nèi)LED外延芯片行業(yè)加速發(fā)展,至2011年我國(guó)芯片國(guó)產(chǎn)化率已達(dá)到70%。根據(jù)國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的統(tǒng)計(jì),2009年我國(guó)LED外延芯片行業(yè)整體市場(chǎng)規(guī)模約為23億元,至2011年已上升至65億元,年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到68.11%。

  根據(jù)國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟統(tǒng)計(jì),2010年國(guó)內(nèi)LED芯片需求量折合為2英吋延片已達(dá)到49萬(wàn)片/月,同比增長(zhǎng)48%,其預(yù)測(cè),未來(lái)五年內(nèi)國(guó)內(nèi)顯示屏用LED芯片需求將繼續(xù)保持穩(wěn)定增長(zhǎng)的趨勢(shì),而隨著背光源滲透率的進(jìn)一步提高及照明應(yīng)用的啟動(dòng),國(guó)內(nèi)LED外延芯片需求量將大幅提升,至2015年,國(guó)內(nèi)LED芯片需求量折合為2英吋外延片將達(dá)到555萬(wàn)片/月,約為2010年的11倍。

 

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