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　　隨著集成電路外形的變小，電路導線之間的絕緣間隙也越來越窄。傳統(tǒng)上，間隙內(nèi)用到的絕緣材料是二氧化硅。然而，電路速度越高，就要求線路的阻抗更低，也就是說，必須使用介電常數(shù)更低（如電阻更高）的材料。因此，所謂低介電常數(shù)（low-K，用K表示介電常數(shù)）材料引起了人們的興趣。

圖 4

　　傳統(tǒng)上，人們采用二氧化硅來作為低介電常數(shù)材料，但這降低了孔隙度。因此，考慮采用全新的材料，通過增加空氣含量來提高孔隙度，從而降低介電常數(shù)值。內(nèi)存芯片這種快速的處理器是由緊密分布在大型硅晶圓上的薄外延層物體生成。單切面臨的問題在于低介電常數(shù)材料是很軟的。所以傳統(tǒng)的鉆石圓鋸會對電路造成包括脫層在內(nèi)的巨大損害（見圖4）。不過，對于不生產(chǎn)內(nèi)存設備的厚晶圓來說，激光鋸切的成本不是很劃算，當前還不是很實用。

圖５

　　因此，現(xiàn)在首選的方法是混合工藝。特別地，355納米調Q半導體泵浦固體激光器被用來切割松軟的外延層以消除開裂。接下來使用機械鋸切來切割晶圓。圖5顯示了兩種工藝同時使用的情況。如果晶圓設計中電路之間的芯片間隔較寬，激光可以單程沿著每一條芯片間隔邊緣進行窄刻劃。如果芯片間隔較窄，需要使用多條并行光束進行單次寬刻劃，寬度要足夠容納鋸片切割。在同樣的處理速度下，前一種工藝需要的激光能量更少，也就是工藝成本更低，因此常被使用。這種工藝的關鍵激光參數(shù)是光束質量和高重復頻率。這種應用的典型激光器是AVIA 355-23-250，能夠提供需要的每脈沖30微焦耳的光束質量，并且M2值小于1.3。另外，其重復頻率為250千赫，在50%脈沖波動疊加時支持200毫米/秒的刻劃速度。

        結論

　　綜上所述，隨著電子元器件的尺寸越來越小，材料的不斷進步，激光刻劃的吸引力將繼續(xù)擴大，逐漸成為經(jīng)濟上可行的工藝。而且，隨著激光制造商們不斷改善其產(chǎn)品的性能、可靠性和擁有成本，激光刻劃的應用領域將更加廣泛。