轉(zhuǎn)載請注明出處。
軌道交通新聞
III-V族硅結(jié)構(gòu)有助于實(shí)現(xiàn)芯片激光器
星之球科技 來源:中國國防科技信息網(wǎng)(北京)2015-09-15 我要評論(0 )
新加坡科研究人員開發(fā)出一款緊湊的異質(zhì)集成III-V族/硅結(jié)構(gòu)激光器,包括硅III-V族脊波導(dǎo)增益,III-V族/硅光垂直互連通路(VIAs)
新加坡科研究人員開發(fā)出一款緊湊的異質(zhì)集成III-V族/硅結(jié)構(gòu)激光器,包括硅III-V族脊波導(dǎo)增益,III-V族/硅光垂直互連通路(VIAs)和硅絕緣體(SOI)納米光子波導(dǎo)截面。這種緊湊型激光器體積小,可集成在芯片上,可用于各種行業(yè)且需求巨大,包括數(shù)據(jù)通信和存儲。
III-V族/硅結(jié)構(gòu)激光器可作為芯片光源,具有巨大的吸引力。但要使這類激光器發(fā)揮作用,必須嚴(yán)格限制光以最大限度提高激光效率,并與激光器的光波導(dǎo)有效地共享或耦合。
研究人員認(rèn)為這種新結(jié)構(gòu)器件不僅可以作為硅光電子技術(shù)的芯片光源,也作為一個潛在的新技術(shù)整合平臺。與傳統(tǒng)光電系統(tǒng)相比,它提高了制造效率和系統(tǒng)集成度,減少了芯片占用的空間。
在300 nm厚的硅絕緣層頂部采用低溫等離子體輔助直接晶圓鍵合法形成III-V族半導(dǎo)體層,并在硅上通過刻蝕形成III-V族脊波導(dǎo)增益截面。在50µm范圍內(nèi)將III-V族和同樣方向的硅絕緣體逐漸變窄,使光有效的與600nm范圍的硅納米光子波導(dǎo)耦合形成III-V族/硅光垂直互連通路(VIAs)。
采用該器件制成的法布里-珀羅(FP)激光器在室溫下的連續(xù)波激光閾值電流為65 mA,單面的斜線效率是144mW/ A。電流為100mA時,最大單面發(fā)射功率約為4.5MW在,側(cè)模抑制比是around30dB。
這中新型緊湊異質(zhì)集成III-V族/硅結(jié)構(gòu)激光器可子系統(tǒng)芯片上的激光器結(jié)構(gòu)復(fù)雜度提高。
免責(zé)聲明
① 凡本網(wǎng)未注明其他出處的作品,版權(quán)均屬于激光制造網(wǎng),未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用。獲本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使
用,并注明"來源:激光制造網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)責(zé)任。
② 凡本網(wǎng)注明其他來源的作品及圖片,均轉(zhuǎn)載自其它媒體,轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息,并不代表本媒贊同其觀點(diǎn)和對其真實(shí)性負(fù)責(zé),版權(quán)歸原作者所有,如有侵權(quán)請聯(lián)系我們刪除。
③ 任何單位或個人認(rèn)為本網(wǎng)內(nèi)容可能涉嫌侵犯其合法權(quán)益,請及時向本網(wǎng)提出書面權(quán)利通知,并提供身份證明、權(quán)屬證明、具體鏈接(URL)及詳細(xì)侵權(quán)情況證明。本網(wǎng)在收到上述法律文件后,將會依法盡快移除相關(guān)涉嫌侵權(quán)的內(nèi)容。
相關(guān)文章
網(wǎng)友點(diǎn)評
0 條相關(guān)評論
熱門資訊
精彩導(dǎo)讀
關(guān)注我們
關(guān)注微信公眾號,獲取更多服務(wù)與精彩內(nèi)容