德國于利希研究中心領(lǐng)導(dǎo)、由一些歐洲研究結(jié)構(gòu)和大學(xué)組成的研究小組，將會在2015 IEEE 國際電子器件會議上（該會議將于12月7日至9日在華盛頓召開）發(fā)布硅基直接帶隙鍺錫微腔激光器，該激光器的激射波長為2.5 um，輸出功率為 221 KW/cm2。
該激光器采用厚度為560 nm且生長在鍺緩沖層/硅襯底上的鍺錫外延材料，由標準的CMOS兼容工藝制造，并單片集成在硅平臺上。激光器的激射歸功于應(yīng)變引起的直接帶隙外延層和微腔結(jié)構(gòu)。這個研究工作克服了光子集成中CMOS工藝兼容的光源制備這一大難點，是硅光子集成的一個重要步驟。
該激光器的制備工藝如下：外延生長后，采用干法刻蝕刻出微腔結(jié)構(gòu)，然后用四氟化碳等離子體刻蝕出底部支柱，再淀積三氧化二鋁作為鈍化層。在這個過程中，微腔邊緣的應(yīng)力釋放有助于提高激光器性能。
該激光器采用厚度為560 nm且生長在鍺緩沖層/硅襯底上的鍺錫外延材料，由標準的CMOS兼容工藝制造，并單片集成在硅平臺上。激光器的激射歸功于應(yīng)變引起的直接帶隙外延層和微腔結(jié)構(gòu)。這個研究工作克服了光子集成中CMOS工藝兼容的光源制備這一大難點，是硅光子集成的一個重要步驟。
該激光器的制備工藝如下：外延生長后，采用干法刻蝕刻出微腔結(jié)構(gòu)，然后用四氟化碳等離子體刻蝕出底部支柱，再淀積三氧化二鋁作為鈍化層。在這個過程中，微腔邊緣的應(yīng)力釋放有助于提高激光器性能。
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