三大優(yōu)勢鑄就4.0“雙高”前沿
鑄造單晶也曾在中國市場占有一席之地。2010年國內(nèi)鑄錠單晶首次量產(chǎn)引起轟動,但由于當時的產(chǎn)品單晶比例低、頂部缺陷高、不夠美觀等問題而逐漸銷聲匿跡。協(xié)鑫克服了鑄錠單晶的這些痛點,使其具備了比傳統(tǒng)直拉單晶、多晶組件更強的市場競爭力。
2月27日,協(xié)鑫集成科技股份有限公司(簡稱“協(xié)鑫集成”)在日本東京PVExpo展上攜手華為聯(lián)合舉辦針對日本客戶的新品發(fā)布和產(chǎn)品說明會,著重推介“鑫單晶”系列產(chǎn)品。據(jù)介紹,“鑫單晶”PERC目前量產(chǎn)平均效率可達21.8%,對應72片組件功率可達370瓦以上。
“組件面積的增加可以提高單片組件發(fā)電的功率,而在單位面積成本上適當增加面積可以降低組件每瓦的成本。
如果能夠做到半片和疊瓦,這些大尺寸的優(yōu)勢就能進一步放大?!庇芜_指出,“雙高”是光伏行業(yè)的發(fā)展趨勢之一。追求高效率可以提高單位組件發(fā)電量,追求高功率則可以降低組件每瓦的成本。若將超過400瓦的組件定義為4.0組件,今年大多數(shù)廠家都將邁入這個時代。
在4.0時代,該如何做出更高效、更加對行業(yè)有促進作用的產(chǎn)品?游達對此表示,近期協(xié)鑫推出的鑄錠單晶(“鑫單晶”G系列)產(chǎn)品將助力這一時代。三年前,協(xié)鑫在徐州做了一個雙玻PERC的“鑫單晶”漁光互補項目,目前該項目的發(fā)電情況良好。
“自2011年以來,協(xié)鑫一直對鑄錠單晶進行研發(fā)改進?!眳f(xié)鑫集成董事長羅鑫表示,借助鑄錠設備和相關工藝的突破,現(xiàn)在協(xié)鑫可以實現(xiàn)鑄造整錠單晶,超過99%的協(xié)鑫單晶鑄錠都是單晶產(chǎn)品。
據(jù)了解,“鑫單晶”高效組件具有三方面優(yōu)勢,首先目前的“鑫單晶”組件采用158.75尺寸大硅片,直角電池結構非常美觀,疊加半片和MBB組件技術,可以實現(xiàn)超高組件功率;其次,協(xié)鑫對該組件的光衰性能做了測試,結果比直拉單晶低三分之一左右;另外,在成本方面,由于工藝的提升,加上采用鑄錠的方式,成本相對直拉單晶更有優(yōu)勢。
目前,“鑫單晶”電池共生產(chǎn)了一千余萬片,其中協(xié)鑫集成生產(chǎn)了約500萬片,良率可以達到95%,且還有較大提升空間,該公司表示后期良率將達到
96%~97%。
“未來協(xié)鑫將通過爐臺改造數(shù)量增加、單臺裝料量提升,不斷增加‘鑫單晶’硅片總產(chǎn)能,滿足客戶的批量需求?!眳f(xié)鑫相關負責人表示,‘鑫單晶’硅片的產(chǎn)能將在今年6月達到500兆瓦,9月將達到700兆瓦,12月將達到900兆瓦,今年全年 “鑫單晶”硅片產(chǎn)能甚至可達8吉瓦~10吉瓦。
此外,現(xiàn)在常用的抗光衰工藝應用在單、多晶和“鑫單晶”上面都有少許的損失,應用到多晶上面,會造成0.2%的損失,用在“鑫單晶”上也會造成0.15%的效率損失。協(xié)鑫集成首席技術官張淳指出,經(jīng)過效率的提升和工藝的改善,協(xié)鑫集成有信心控制在0.1%以內(nèi),無論是高效多晶還是“鑫單晶”,目前在協(xié)鑫集成都取得了一些比較好、比較穩(wěn)定的成果。
鑄造單晶、直拉單晶、多晶并立
“目前協(xié)鑫集成的效率基于黑硅技術工藝的改善優(yōu)化,平均量產(chǎn)效率能夠做到21%?!睆埓颈硎荆撔适窃谏a(chǎn)線的量產(chǎn)設備的配合下做出來的,這既不是實驗室的小規(guī)模,也不是實驗室的中試線,完全是可以量產(chǎn)的設備和工藝。
據(jù)了解,近年來由于“平價上網(wǎng)”的大趨勢,使金剛線切割多晶成為必要條件,也因多晶金剛線切割的制絨需求促使黑硅解決方案進一步發(fā)展,為光伏行業(yè)注入活力。除協(xié)鑫外,阿特斯陽光電力集團有限公司(簡稱“阿特斯”)、江西賽維LDK太陽能高科技有限公司 、江蘇環(huán)太集團等中國光伏公司都在推廣各自的鑄錠單晶產(chǎn)品。相關資料顯示,阿特斯將黑硅技術及先進設備應用在多晶P5產(chǎn)品上,預計今年將進入量產(chǎn)。
“在實際的戶外發(fā)電中,黑硅還有1%~1.5%的發(fā)電優(yōu)勢?!卑⑻厮辜夹g集成部高級總監(jiān)王栩生在作 《高效多晶技術與戰(zhàn)略》主旨報告時表示,阿特斯曾提出過黑硅不應該都用于多晶上面,也可以應用于直拉單晶和鑄錠單晶上面,把黑硅做成通用的技術。
據(jù)業(yè)內(nèi)人士介紹,目前單晶市場受諸多因素的影響而表現(xiàn)出較大的需求量,但其硅料的供應瓶頸愈發(fā)凸顯。這直接導致了單、多晶用料差價進一步拉大,促使鑄錠單晶脫穎而出。鑄錠單晶利用單晶硅為籽晶,通過鑄錠爐生長的鑄造單晶,制備的電池效率較單晶低0.3%以內(nèi),具有較高的組件CTM。成本較單晶低,效率較多晶高,所以在業(yè)內(nèi)性價比高于普通單晶,在未來很有可能變成鑄造單晶、直拉單晶、多晶“三雄并立”的局面。
根據(jù)阿特斯公布的實驗結果表明,應用黑硅技術后,鑄錠單晶組件的光電轉換效率有望達到22%。張淳表示,目前“鑫單晶”電池平均效率已經(jīng)達到21.95%,到今年底“鑫單晶”的平均量產(chǎn)效率跟直拉單晶的平均量產(chǎn)效率差保持在0.2%和0.3%,或將超過22%。
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