近日,中國(guó)電子科技集團(tuán)第二研究所(以下簡(jiǎn)稱“中電科二所”)傳來好消息,在SiC激光剝離設(shè)備研制方面,取得了突破性進(jìn)展。
該科研團(tuán)隊(duì)已掌握激光剝離技術(shù)原理與工藝基礎(chǔ),并利用自主搭建的實(shí)驗(yàn)測(cè)試平臺(tái),結(jié)合特殊光學(xué)設(shè)計(jì)、光束整形、多因素耦合剝離等核心技術(shù),實(shí)現(xiàn)了小尺寸SiC(碳化硅)單晶片的激光剝離。
中電科二所以解決SiC襯底加工效率這一產(chǎn)業(yè)突出難題為目標(biāo),將SiC激光剝離設(shè)備列為重點(diǎn)研發(fā)裝備,借此實(shí)現(xiàn)激光剝離設(shè)備國(guó)產(chǎn)化,力爭(zhēng)使其具備第三代半導(dǎo)體核心裝備研發(fā)、產(chǎn)業(yè)化和整線裝備解決方案的能力。據(jù)報(bào)道,該研發(fā)項(xiàng)目已通過專家論證,正式立項(xiàng)啟動(dòng)。
中國(guó)電科二所于1962年成立于北京,1965年遷入太原。
公開消息顯示,多年來,該所立足自主裝備與產(chǎn)業(yè)融合,已形成了高端制造裝備和工藝技術(shù)集成的能力。目前,中國(guó)電科二所的科研方向以智能制造、微電子、第三代半導(dǎo)體和新能源等為主。近20年來,其自主研發(fā)的碳化硅材料、微組裝設(shè)備等均達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平;實(shí)現(xiàn)了光伏新能源、微電子共燒陶瓷器件、碳化硅襯底材料的產(chǎn)業(yè)化。
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