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據(jù)科技部消息，在國家973計劃、國家自然科學(xué)基金委重大項目等支持下，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所牛智川研究員團隊深入研究銻化物半導(dǎo)體材料的基礎(chǔ)物理、異質(zhì)結(jié)低維材料外延生長和光電器件的制備技術(shù)等，突破了銻化物量子阱激光器的刻蝕與鈍化等核心工藝技術(shù)。

         在此基礎(chǔ)上，研究團隊創(chuàng)新設(shè)計金屬光柵側(cè)向耦合分布反饋（LC－DFB）結(jié)構(gòu)，成功實現(xiàn)了2μm波段高性能單模激光器，邊模抑制比達(dá)到53dB，是目前同類器件的最高值；而且輸出功率達(dá)到40mW，是目前同類器件的3倍以上。在銻化物量子阱大功率激光器方面， FP腔量子阱大功率激光器單管和巴條組件分別實現(xiàn)1.62瓦和16瓦的室溫連續(xù)輸出功率，綜合性能達(dá)到國際一流水平并突破國外高端激光器進口限制性能的規(guī)定條款。

          該研究成果攻克了短波紅外激光器領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)，在危險氣體檢測、環(huán)境監(jiān)測、醫(yī)療與激光加工等諸多高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)具有非常廣闊的應(yīng)用價值。