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現(xiàn)在當今世界，5nm芯片生產(chǎn)工藝可以說是最尖端的科技，國內(nèi)現(xiàn)在最先進的中芯國際公司也才剛剛突破N+1生產(chǎn)工藝，能夠?qū)崿F(xiàn)大概7納米生產(chǎn)工藝水平。近日中科院表示張子旸團隊光刻方面取得研究進展，在5nm光刻工藝上研發(fā)出來一種新型的5nm芯片的加工方法。當前在5納米芯片加工生產(chǎn)中，主流生產(chǎn)技術是光刻技術和極紫光光刻技術兩種，而張子旸團隊的5nm工藝則是在無掩模光刻技術上的一項研究。傳統(tǒng)中的無掩模光刻技術的成本非常低，但是激光的精度卻難以掌控，這也是這項技術難以量產(chǎn)應用的原因。

而這次，張子旸團隊進行研究的就是無掩膜光刻技術，這次研究通過雙激光束交疊技術達到了5納米的光刻精度，能夠?qū)崿F(xiàn)5納米芯片的生產(chǎn)。這樣的技術不僅讓無掩模光刻機光刻精度大大提升，達到了生產(chǎn)5nm芯片的要求，而且生產(chǎn)效率也有所提高。據(jù)中國微米納米技術學會報道，中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所張子旸研究員，與國家納米科學中心劉前研究員合作，在其發(fā)表的論文講述了該團隊開發(fā)的新型 5 nm 超高精度激光光刻加工方法。

當然，這個還是一個實驗室的技術，想成功應用到生產(chǎn)當中去，可能還需要不短的路要走，但是畢竟5nm光刻新技術已經(jīng)實現(xiàn)突破，接下來只要在設備制造和生產(chǎn)商再次獲得突破，那么未來可能5nm直刻技術就能夠很好的應用到生產(chǎn)中去。而且現(xiàn)在張子旸團隊在5納米芯片生產(chǎn)研發(fā)獲得突破，采用的設備應該全部是自研設備，如果未來這項技術能夠獲得量產(chǎn)的話，那么我國芯片制造產(chǎn)業(yè)可能將會實現(xiàn)飛躍發(fā)展。甚至未來有可能一改世界芯片制造設備生產(chǎn)的格局，可能讓ASML就會難受。

從現(xiàn)在來看，國內(nèi)在芯片制造領域內(nèi)也在做兩方面的準備和研究。一個是激光直刻技術，一個就是在研發(fā)更先進的EUV光刻機。如果這兩個芯片光刻方面的頂尖設備和頂尖生產(chǎn)技術，科研院所以及企業(yè)能夠獲得更快的突破，那么未來我國生產(chǎn)5納米芯片，甚至是更先進的3納米，2納米的芯片都將成為可能，那么未來我國的芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展將會發(fā)展的更好。