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我國(guó)納米光刻技術(shù)研究取得突破

星之球激光 來源:科學(xué)時(shí)報(bào)2011-08-09 我要評(píng)論(0 )   

日前,中科院光電技術(shù)研究所微光刻技術(shù)與微光學(xué)實(shí)驗(yàn)室首次提出基于微結(jié)構(gòu)邊際的LSP超分辨光刻技術(shù)。該技術(shù)利用微納結(jié)構(gòu)邊際作為掩模圖形,對(duì)表面等離子體進(jìn)行有效激發(fā),...

日前,中科院光電技術(shù)研究所微光刻技術(shù)與微光學(xué)實(shí)驗(yàn)室首次提出基于微結(jié)構(gòu)邊際的LSP超分辨光刻技術(shù)。該技術(shù)利用微納結(jié)構(gòu)邊際作為掩模圖形,對(duì)表面等離子體進(jìn)行有效激發(fā),其采用普通I-line、G-line光源獲得了特征尺寸小于30納米的超分辨光刻圖形。

 

據(jù)相關(guān)負(fù)責(zé)人介紹,傳統(tǒng)的微光刻工藝采用盡可能短的曝光波長(zhǎng),期望獲得百納米甚至幾十納米級(jí)別的光刻分辨率。然而,隨著曝光波長(zhǎng)的縮短,整個(gè)光刻裝備的成本也急劇上升。以目前主流的193光刻機(jī)為例,其售價(jià)為幾千萬美元。如此高昂的成本嚴(yán)重限制了短波長(zhǎng)光源光刻技術(shù)的應(yīng)用。

 

近年來,表面等離子體光學(xué)的提出為微光刻技術(shù)的發(fā)展提供了新的選擇。利用表面等離子體波的短波長(zhǎng),通過合理的設(shè)計(jì)掩模圖形和工藝參數(shù),超分辨的納米光刻技術(shù)有望形成。

 

在此背景下,該所研究員提出了基于微結(jié)構(gòu)邊際的LSP超分辨光刻技術(shù)。理論研究表明,該技術(shù)可獲得特征尺寸小于1/10曝光波長(zhǎng)的納米結(jié)構(gòu),并利用365納米光源從實(shí)驗(yàn)上獲得了超越衍射極限的光刻分辨率。這將為我國(guó)正在迅猛發(fā)展的信息產(chǎn)業(yè)技術(shù)及納米科技提供堅(jiān)實(shí)的加工制備基礎(chǔ)

 

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