不管在整個國家產(chǎn)業(yè)的大政策方面，還是在當下的資本市場，“半導體”這三個字，是當之無愧的熱點。
在很多人的印象中，大宗商品包括能源、金屬、農(nóng)產(chǎn)品一直以來是我們進口的大頭，但事實是，芯片，已經(jīng)取代原油成為我國每年第一大進口商品。
半導體跟石油最大的差別在于，石油這種東西，對于一個國家來說，基本上屬于要靠天吃飯的，幾千年前地里碰巧埋了森林，埋了恐龍，可能現(xiàn)在一鏟子下去就能挖出一口油井，而地下沒有的國家，怎么變，也不可能無中生有地變出一桶石油來。
但半導體不一樣，半導體并非是依賴于一個國家的自然稟賦，而是取決于一個國家的工業(yè)實力和科研能力。
對于這種不靠天吃飯、又有著巨大的利潤空間的行業(yè)，對于中國人來說，無疑有著強烈的國產(chǎn)替代動力。
中國有著13億人，占世界總?cè)丝诘?/5。
對英法德這些人口在幾千萬左右，很多東西是自己生產(chǎn)還是去國際市場買，最多讓全球的供需變化波動個百分之一二，對市場的影響不大，花費總額相對也不高，對價格可以不太敏感。
但中國不一樣，13億消費者的消費需求如果全推到國際市場，是會強烈影響整個市場供需的。
自己能生產(chǎn)加出口中低端市場，現(xiàn)在干脆全指望其他國家，一消一漲，幾乎是1/3的供需變化，這個量級的變化會帶動原材料價格、全球加工分配、產(chǎn)業(yè)分配等一系列元素的劇烈變化，最終反映到產(chǎn)品價格上，可能數(shù)倍于自己生產(chǎn)的價格了，也就是說中國產(chǎn)的時候人均10塊錢的東西，如果不產(chǎn)從國外買可能就要花50塊了。
這多出的40塊、400塊、4000塊乘以13億，就是能生產(chǎn)的國家因為技術(shù)優(yōu)勢從中國可以獲得的利潤，這部分利潤讓他們只有幾千萬的人民分去過發(fā)達國家的生活了。
反之，如果中國能夠在特定的領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)國產(chǎn)替代，那就意味著之前那些憑借技術(shù)壁壘建立起來的超額利潤的國家，會被中國龐大的產(chǎn)能打得滿地找牙，跌入低利潤再到低份額再到整個行業(yè)完全消失的境地。
這一現(xiàn)象，有一個非常著名的專有名詞，叫：發(fā)達國家的粉碎機。
被中國半導體行業(yè)國產(chǎn)化進程中影響最大的一個國家可能是：韓國。
金融危機20年的韓國之問
今年恰好是97年金融危機20周年。
1997年11月21日，深陷亞洲金融危機的韓國政府向國際貨幣基金組織(IMF)求助，換來了被韓國認為是“偽裝的祝福”的救濟貸款。
20年過去了，韓國《朝鮮日報》在金融危機20周年之際向時任副總理兼財經(jīng)院長官林昌烈拋出一個問題，韓國經(jīng)濟如今是否存在危機?
回首過去，展望未來，林昌烈憂心忡忡地表示，存在，而且根源就是中國。為了指出危機的危險性，他甚至不惜用癌癥作比喻：“這次危機不是像外匯危機那樣的急性病，而是可以致死的癌癥，因為中國正把韓國主力產(chǎn)業(yè)的主導權(quán)一個個奪走。”
林昌烈在報道中稱，他現(xiàn)在最擔憂的就是像汽車、半導體這些韓國的主力產(chǎn)業(yè)會喪失競爭力。
林昌烈稱，中國太可怕了。汽車領(lǐng)域，中國人已經(jīng)追趕到韓國的下巴處了(韓國人自大的特點暴露無遺啊，什么時候你們下巴這么高了)，即便是電子產(chǎn)品，韓國的優(yōu)勢也所剩無幾，而在半導體產(chǎn)業(yè)，中國更是投入了巨額的資金。
他認為，韓國的當務(wù)之急就是加強這些主力產(chǎn)業(yè)的競爭力，如果做不到這一點，那么韓國經(jīng)濟就病入膏肓了。
林昌烈稱，在國際社會，只要成為弱者，就會被敲骨吸髓直到斷氣為止，韓國在1997年經(jīng)歷了一次弱者的命運，以后不能再成為弱者了。
半導體及相關(guān)的產(chǎn)業(yè)，現(xiàn)在幾乎可以等同于韓國這個國家的命脈。
因為韓國的經(jīng)濟，系于三星這個龐然大物，所以韓國又有“三星共和國”之稱，而三星這頭怪獸，近年的營收，很多一部分是系于半導體及其相關(guān)的產(chǎn)業(yè)。
在韓國人現(xiàn)在開始擔憂之前，其實他們這兩年已經(jīng)躺在半導體顆粒上狠狠地啃了全世界一口。2016年韓國三星+海力士兩家營業(yè)收入為587億美元，僅次于美國位居世界第二。
半導體顆粒這兩年的漲幅和收益率，可能會讓整個市場上90%的玩投機的人都自愧不如。
幾年前筆者裝過一臺電腦，當時還是2013年，一條8GB的DDR3內(nèi)存條，不過200多300塊錢，而現(xiàn)在隨便上京東一看，8G的內(nèi)存條，價格已經(jīng)高到可以嚇壞人。
同時，最近這幾年相機、服務(wù)器、汽車、智能電視甚至是AI智能都加劇了內(nèi)存顆粒的供不應(yīng)求;尤其是智能手機這一爆發(fā)性行業(yè)，在CPU性能過剩，新架構(gòu)又出現(xiàn)瓶頸的情況下，內(nèi)存容量的提升對性能的影響是最直接的。
三星為什么能在手機業(yè)務(wù)出現(xiàn)大幅倒退的情況下仍然能夠大幅盈利，秘訣就在于在內(nèi)存顆粒上大幅提價，而且是幾乎接近翻倍甚至是翻多倍的提價。
在大量的半導體公司倒閉之后，像在內(nèi)存領(lǐng)域，基本上就只剩下三星、海力士等韓國巨頭，事實上這已經(jīng)是一個巨頭壟斷的行業(yè)。
而韓國能夠在這個行業(yè)取得壟斷地位，最主要的一個原因是：賭國運。
在數(shù)十年前，韓國就開始往半導體上押寶，一部韓國現(xiàn)代史，幾乎就是一部韓國從美國和日本手中承接半導體行業(yè)并超越的歷史。
極簡韓國半導體發(fā)展史與三星共和國崛起
起步階段(1965—1973)
韓國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)端于1965年，是從作為美日半導體廠商投資為主的組裝基地開始的。時值韓國由進口替代轉(zhuǎn)為出口導向戰(zhàn)略，開始注重轉(zhuǎn)向高潛力行業(yè)，為此積極鼓勵外國高科技企業(yè)在韓國投資設(shè)廠。
首先進入韓國的是一家叫Komi的小型美國企業(yè)，1965年Komi公司向韓國投資建設(shè)晶體管/二極管極管生產(chǎn)設(shè)施，這為韓國半導體工業(yè)的發(fā)展打下了基礎(chǔ)。該公司的投資不大，象征意義大于現(xiàn)實意義，但還是起到了很好的帶動作用。
韓國半導體產(chǎn)業(yè)的真正開始則始于美國仙童公司，仙童公司是當時全球第三大半導體公司，技術(shù)上屬最領(lǐng)先行列。1966年，仙童公司向韓國政府提出了一個框架性的半導體制造及裝配計劃。但該公司所提條件十分苛刻——要求對其所投資的工廠擁有完全所有權(quán)，并且其生產(chǎn)的產(chǎn)品可進入韓國國內(nèi)市場。韓國政府經(jīng)過考慮，最終同意其要求。
這引發(fā)了美國其它公司競相進入韓國熱潮，到1974年，韓國已經(jīng)有9家擁有完全所有權(quán)的美國公司。
這些美國公司包括Motorola，F(xiàn)airchild，COMMY，KMI，Signetics(Phillips)等，這些半導體跨國企業(yè)開始向韓國直接投資，形成了建立記憶芯片組裝廠，利用韓國廉價勞動力，采取組裝半成品散件，然后全部再出口的典型來料加工模式。基于當時美國國內(nèi)工資居高不下，造成產(chǎn)業(yè)成本上升、競爭力下降的現(xiàn)實，美國半導體企業(yè)轉(zhuǎn)而將制造環(huán)節(jié)移往韓國等國家;同時韓國也放松了對外國投資企業(yè)的所有權(quán)控制，美國也以免除海外裝配產(chǎn)品關(guān)稅的形式，來回報韓國在越南戰(zhàn)爭中對美國的支持，并鼓勵對韓國進行投資，這也帶有美國扶持韓國發(fā)展的意圖。
此后，韓國國內(nèi)企業(yè)(亞南、LG半導體、現(xiàn)代)也各自通過與美國的技術(shù)合作，參與到半導體組裝生產(chǎn)，由此構(gòu)建了幾乎將所有產(chǎn)品用于出口的外向型組裝生產(chǎn)體系(98%的組裝生產(chǎn)產(chǎn)品供出口)。
1965年韓日實現(xiàn)邦交正常化，日本電子跨國企業(yè)開始在韓國投資建立封裝和測試工廠。1969年，韓國電子與日本東芝合資，開始在國內(nèi)生產(chǎn)三極管和二極管，其它半導體企業(yè)也開始生產(chǎn)三極管等的部分元器件。東芝作為第一個對韓國的投資者，達成了與韓國合資建立硅晶體工廠的計劃，在樸正熙總統(tǒng)的親自干預下，投資所在地龜尾很快于1970年建成了韓國第一個電子工業(yè)園區(qū)。龜尾工業(yè)園區(qū)也成為了韓國工業(yè)起飛的基地。
發(fā)展擴大階段(1974—1980)
20世紀70年代韓國工業(yè)化進程快速推進，出口貿(mào)易中電子工業(yè)的比重不斷擴大。半導體組裝領(lǐng)域，在美日企業(yè)的帶動下，韓國國內(nèi)企業(yè)及取得了一定成就。但與此同時，韓國電子企業(yè)嚴重缺乏自主技術(shù)，過分依賴國外供應(yīng)商提供芯片等基礎(chǔ)性電子組件，這使得政府制定了施政綱領(lǐng)，強調(diào)發(fā)展半導體制造業(yè)、獲取半導體技術(shù)能力的重要性。
韓國政府為此傾注了大量努力，1973年，國家科學技術(shù)委員會成立，樸正熙總統(tǒng)親自擔任主席，為高科技領(lǐng)域的發(fā)展框架制定詳細的發(fā)展計劃。1975年，政府又公布了扶持半導體產(chǎn)業(yè)的六年計劃，強調(diào)實現(xiàn)電子配件及半導體生產(chǎn)的本土化。該計劃明確指出通過建設(shè)一批研究機構(gòu)，培訓電子工程師及獲取海外公司特許，引進顧問工程師來實現(xiàn)國家計劃，而非通過跨國公司的投資。韓國半導體技術(shù)吸收能力形成于此，同時也未讓外國投資企業(yè)控制韓國半導體產(chǎn)業(yè)。
1974年，韓裔美籍博士姜基東創(chuàng)立了第一家韓國本土半導體企業(yè)——韓國半導體公司，該公司專門生產(chǎn)芯片，這標志著韓國半導體工業(yè)的發(fā)展萌芽階段的來，也標志著真正意義上由韓國控制的半導體企業(yè)的誕生，韓國企業(yè)在嘗試著朝本土芯片制造上邁出了第一步。
20世紀80年代初，韓國出現(xiàn)了從事半導體晶圓制造的四家公司：三星、現(xiàn)代電子、樂喜金星和大宇。但其技術(shù)水平和生產(chǎn)規(guī)模還只是保持在大規(guī)模集成電路的生產(chǎn)能力上，其成就也是由韓國政府對產(chǎn)業(yè)刺激、市場對產(chǎn)品需求旺盛所推動的。
其實，韓國在此時已具備了先進的超大規(guī)模集成技術(shù)能力，但卻并不是四大公司開拓的，而是設(shè)在龜尾的公共部門電信研究中心下屬產(chǎn)業(yè)研究院在1976年率先獲得的。該產(chǎn)業(yè)研究院設(shè)有半導體設(shè)計、加工和集成三個中心，各中心都由具備在美半導體工業(yè)有過研究經(jīng)歷的韓籍人員負責。產(chǎn)業(yè)研究院通過與美國硅谷一家超大規(guī)模集成技術(shù)公司建立合資企業(yè)，1978年設(shè)立了韓國首家超大規(guī)模集成電路試驗生產(chǎn)工廠。1979年，該工廠已完全具備了自主生產(chǎn)能力，生產(chǎn)出了16K DRAM。
20世紀70年代，韓國已經(jīng)陸續(xù)從美國和日本獲得了半導體工業(yè)所需技術(shù)，韓國已經(jīng)具備了進入超大規(guī)模集成電路工業(yè)的技術(shù)水平。
體系形成階段(1981—1988)
1979年樸正熙總統(tǒng)被暗殺，全斗煥奪取政權(quán)，又進入了軍事政權(quán)統(tǒng)治。全斗煥政府渴望韓國主要電子企業(yè)加大對超大規(guī)模半導體的研發(fā)與生產(chǎn)，以期對抗美日。強大的政府干預能力、高學歷人才充足等優(yōu)勢，使得韓國半導體產(chǎn)業(yè)自從1982年具備了完整的生產(chǎn)體系，在政府和民間的共同努力下，半導體產(chǎn)業(yè)取得了飛速發(fā)展。到1980年底，部分無晶圓企業(yè)依托美國企業(yè)的OEM代工工廠，日本的日立公司也通過與LG半導體進行技術(shù)合作，以O(shè)EM方式生產(chǎn)1M和4M DRAM。
同時，韓國政府的多個部門于1981年正式通過《半導體工業(yè)綜合發(fā)展計劃》，這也成為了第一個五年計劃(1981～1986)的一部分，該計劃支持4M.256MDRAM的開發(fā)，并通過人才的培養(yǎng)，促進半導體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)建設(shè)。該計劃具體明確了需要大力發(fā)展的四個領(lǐng)域：超大規(guī)模集成電路、計算機、通信設(shè)備和電子部件。在半導體領(lǐng)域，其計劃側(cè)重于晶圓制造，而非處于末端且技術(shù)含量較低的封裝測試，并確立了將大規(guī)模生產(chǎn)內(nèi)存芯片用于出口而非滿足國內(nèi)需求作為最可行的戰(zhàn)略。
在此基礎(chǔ)上三星、現(xiàn)代和LG在得到政府的鼓勵下，從1982年開始宣布大舉參與超大規(guī)模集成技術(shù)水平的大規(guī)模芯片生產(chǎn)，尤其在DRAM領(lǐng)域。1983年開始成為美國IBM、TI、Intel等的OEM代工工廠，從而逐步擁有DRAM基礎(chǔ)生產(chǎn)設(shè)備，正式走上了DRAM制造業(yè)的發(fā)展道路。由此，到1988年，韓國半導體生產(chǎn)總額的70%由OEM出口構(gòu)成。
追趕與超越階段(1988年以后)
1987年6月在民主化浪潮中全斗煥總統(tǒng)下臺，年底盧泰愚當選總統(tǒng)，盡管同為軍人出身，政府也依然帶有軍人政權(quán)性質(zhì)，但政府與當時已確立起來的幾家大財閥仍然堅持實施高科技發(fā)展戰(zhàn)略。
20世紀80年代是韓國本土自主半導體產(chǎn)業(yè)誕生并達到超大規(guī)模集成技術(shù)標準的關(guān)鍵時期，但由于缺乏自主核心，并未在世界市場上引發(fā)很大的反響。真正使得韓國制造商進入美國市場、并奠定行業(yè)地位的4MDRAM。韓國于1986年開始進入存儲器的自主開發(fā)階段，至1988年之前是在國外原型基礎(chǔ)上進行開發(fā)，并由三星在1991年大規(guī)模投放市場，現(xiàn)代和LG緊隨其后。
1992年末又與美日等先進國家同期開發(fā)出64M DRAM，并擁有了世界上第一塊64M DRAM芯片，完成了在DRAM領(lǐng)域上的追趕，到1995年領(lǐng)先美日開發(fā)出了256M DRAM，從而實現(xiàn)了技術(shù)的飛速跨越。
不過，作為韓國尖端技術(shù)先導產(chǎn)業(yè)的半導體產(chǎn)業(yè)，除芯片加工制造及組裝技術(shù)外，韓國這一產(chǎn)業(yè)的整體水平仍處于初級階段。例如ASIC3技術(shù)在發(fā)達國家已處于成熟階段，而韓國仍處于初級階段。不過韓國在半導體產(chǎn)業(yè)仍占據(jù)很大優(yōu)勢，因為集成電路的加工制造及組裝屬于勞動密集型領(lǐng)域，韓國比起發(fā)達國家在勞動力成本等方面更有優(yōu)勢，具備了一定的國際競爭力。
從整體發(fā)展局勢上看，1986年至1989年韓國經(jīng)歷了半導體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的黃金時期。1989年之后受世界半導體行業(yè)不景氣的影響，韓國半導體產(chǎn)業(yè)大受挫折。但從1993年起，韓國電子產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)入生產(chǎn)與個人電腦相關(guān)的產(chǎn)品，同時受日元升值及產(chǎn)業(yè)復蘇的影響，到1995年韓國整個電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展達到巔峰，半導體總產(chǎn)值達到16215億美元，占全球半導體產(chǎn)品產(chǎn)值的10.17%，產(chǎn)業(yè)的出口值創(chuàng)下歷史新高。
之后，1998年亞洲金融風暴爆發(fā)，各國都積極重整企業(yè)以振興經(jīng)濟。三星集團也采取了“集中”策略，電子部門便是該策略中的重要一環(huán)。這種集中資源、積極推進的策略效果非常明顯：三星在1999年之后一躍成為韓國第一大集團，其存儲器產(chǎn)品、薄膜晶體液晶顯示器(TFT-LCD)及無線通訊產(chǎn)品銷售額大幅增長，韓國的DRAM市場占有率開始超過日本，并成為存儲器市場的領(lǐng)導者。
三星共和國的崛起
三星集團是韓國最大的企業(yè)，而三星電子又是三星集團的核心部分，同時也是韓國最大的電子企業(yè)。1974年，創(chuàng)始人李秉哲買下了歸僑姜基東博士創(chuàng)立的韓國第一家半導體企業(yè)，這可以說是韓國民營企業(yè)參與半導體的奠基之舉。最初三星只是小規(guī)模地生產(chǎn)晶體管和集成電路，并于1982年建立了半導體研發(fā)實驗室，致力于MOS的研制。
但真正開始大規(guī)模集成電路生產(chǎn)則是從1983年開始的，這一年四大財閥都開始關(guān)注這一行業(yè)，因為這一年股市行情頗佳，它們獲取了大量資金。同時，美國經(jīng)濟的不景氣，讓韓國企業(yè)可以更加容易地選擇與美國小型半導體公司合作，這些小公司大多很不景氣，十分愿意出售其集成電路技術(shù)，而這些技術(shù)正是韓國人所需要的。
1983年2月，李秉哲發(fā)表了一項十分著名的聲明，他表示要將三星打造成全球內(nèi)存芯片的大企業(yè)。
他將當時仍很弱小的三星的前途押在了半導體上。70年代，三星最初也試圖采取技術(shù)引進，為此向美國德州儀器、摩托羅拉、日本電器、東芝、日立公司先后尋求購買64K DRAM的技術(shù)許可證，但都遭拒絕。三星不得不于1982年自己建立研發(fā)小組，以其8年的晶體管和集成電路生產(chǎn)經(jīng)驗為基礎(chǔ)，謀求向超大規(guī)模集成電路邁進。這較之以前的操作需要技術(shù)上的重大飛躍，即從5pm到2.5um，從3英寸到5英寸芯片，以及從1K/16K大規(guī)模集成電路向64K超大規(guī)模集成電路，這是典型的在初始發(fā)展階段上的跨越追趕方式，在產(chǎn)品的發(fā)展初期收效往往最為明顯。在研發(fā)過程中，三星時刻關(guān)注美國企業(yè)的并購情況，緊接著成功從美國Micron Technology公司購得64K DRAM芯片設(shè)計技術(shù)許可，從而大大縮短了學習和生產(chǎn)的時間。
三星在這一時期的技術(shù)吸收過程是由易到難，是典型的“步步為營”，從組裝工藝到工藝開發(fā)，然后到芯片制造和檢測。首先，三星從Micron Technology公司進口64K DRAM芯片，在韓國國內(nèi)組裝。因為已具備8年制造大規(guī)模集成電路的經(jīng)驗，三星在消化組裝技術(shù)方面較為容易，并且基本達到了當時日本的水平。
在此基礎(chǔ)上，三星進一步開始消化吸收設(shè)計和工藝水平。
三星開始建立了兩個研發(fā)小組，讓其合作進行64K DRAM的消化吸收及產(chǎn)品化。三星還從美國大學聘請了5名韓裔美國科學家，這些科學家都有從事半導體設(shè)計的經(jīng)驗。除此之外，還有其它500名美國工程師，這給三星在揭開超大規(guī)模集成電路技術(shù)提供了十分關(guān)鍵的幫助。三星還在韓國本土組織了一個特別工作小組，由2名已有64K DRAM技術(shù)開發(fā)經(jīng)驗的韓裔美國科學家等主持。
三星給工作小組提出了在6個月內(nèi)開發(fā)出可行64K DRAM生產(chǎn)系統(tǒng)的目標。最終，小組團隊成功開發(fā)出8項核心技術(shù)之外的生產(chǎn)64K DRAM所需的309項工藝，并在1984年上半年把64K DRAM推向了市場。這僅比美國的首創(chuàng)產(chǎn)品晚了約40個月，比日本的第一代商業(yè)化產(chǎn)品也只晚了18個月。韓國成為了世界上第三個引入DRAM芯片的國家，這大大縮短了與美日的差距。這時雖未趕上，但已明顯處于追趕中的加速過程，表現(xiàn)為已能夠跟隨主流產(chǎn)品及縮小產(chǎn)品水平差距。
1984年，大批量生產(chǎn)64K DRAM成功后，三星公司又成立了第二支研發(fā)團隊，一支在國內(nèi)工作，一直赴硅谷進行256K DRAM的開發(fā)。為縮短與美日在256K DRAM的商品化方面的差距，三星國內(nèi)團隊再一次決定從Micron Technology公司引進電路設(shè)計技術(shù)。對于更為艱難的256K DRAM的開發(fā)，團隊遇到不少困難，尤其是幾項關(guān)鍵技術(shù)，如2um電路工藝開發(fā)，1.1um金屬行距等，公司為此采取了危機管理模式，終于又在1984年10月成功開發(fā)出了可行的芯片模具。這一回，三星在256KDRAM的研發(fā)追趕時間從64KDRAM的4年縮短到了2年。三星的256KDRAM于1986年實現(xiàn)大批量生產(chǎn)。經(jīng)過自主開發(fā)，三星在追趕美日的進程上又成功地縮短了2年。
隨著256K DRAM的大批量生產(chǎn)系統(tǒng)成功的開發(fā)，三星研發(fā)團隊從1985年9月開始，將重點集中到了1M DRAM的開發(fā)上。這一次值得注意的是，三星已可以從美國企業(yè)購買1M DRAM的設(shè)計技術(shù)，但三星還是決定自己開發(fā)，這一次三星又將任務(wù)分配給了國內(nèi)和硅谷的兩支研發(fā)團隊。
三星決定自己研發(fā)有其外部原因，256K DRAM能夠從美日獲得許多前期經(jīng)驗，但1M DRAM卻很難獲得有關(guān)技術(shù)規(guī)范方面的知識、樣品等，因為美日公司已經(jīng)搶先制定了防止模仿性分解研究的規(guī)定。但三星還是運用了其危機管理模式，克服了諸多困難，1986年6月制造出了可行的模具，把與日本領(lǐng)先公司的差距從研制256K DRAM的2年縮短到了1M DRAM的1年時間，在硅谷的工作小組也在3個月后成功研發(fā)除了1MDRAM，這表明研發(fā)能力已轉(zhuǎn)到了韓國國內(nèi)。
當在面對下一步4M DRAM的開發(fā)時，三星遇到了不少困難。1986年德州儀器向三星及八家日本芯片制造商提起了訴訟，指控其侵犯DRAM設(shè)計專利權(quán)，最終三星以對其過去和未來存儲產(chǎn)品銷售額賠付專利使用費告終。這表明，如果繼續(xù)開發(fā)4M DRAM芯片，三星有可能會面臨更大的競爭壓力與挑戰(zhàn)。
為此，韓國政府參與了進來。1986年10月，韓國政府參與到半導體工業(yè)發(fā)展規(guī)劃上來，指定4M DRAM研發(fā)為國家級項目，政府的研究與開發(fā)研究所、電子和通訊研究所與三星、現(xiàn)代、LG組成聯(lián)營企業(yè)，目標是在1989年開發(fā)并大量生產(chǎn)4MDRAM，完全消除與日本的技術(shù)差距。
在聯(lián)營的3年期間(1986-1989)，共投入1.1億美元用于研發(fā)，其中政府就占到57%，可見政府在其中所起到的關(guān)鍵作用之大。但政府的2家研究所內(nèi)部發(fā)生分歧，導致2家研究所各自開發(fā)，三家企業(yè)也分別轉(zhuǎn)入不同的領(lǐng)域研發(fā)。1988年，三星最早宣布完成了4MDRAM的設(shè)計，僅比日本晚6個月。
最終，早生產(chǎn)能力與研發(fā)上，韓國財團主宰了4M和16M DRAM的世界市場。
政府又指定了16M DRAM和256M DRAM的開發(fā)為國家級項目。政府也相應(yīng)地組織了一個類似的聯(lián)營企業(yè)。但三家財團已經(jīng)建立起了足夠的技術(shù)研發(fā)力量，已能夠分別獨自進行研發(fā)，更重要的是，彼此不愿分享經(jīng)驗與成果，所以聯(lián)營企業(yè)只是在分配政府撥款上起到協(xié)調(diào)作用。三星1992年先于競爭對手現(xiàn)代和LG開發(fā)出64M DRAM。
更為重要的是，三星等財閥開始進一步投資用于改進64M DRAM的研發(fā)，這使得三星的同類產(chǎn)品技術(shù)開始優(yōu)于美日產(chǎn)品。到1994年下半年，三星就已成為世界上最大的64M DRAM商業(yè)樣機的供貨商，向美國超大用戶如惠普、IBM等提供產(chǎn)品。三星的成功追趕以在1992年的64MDRAM為標志，實現(xiàn)了在技術(shù)、市場方面的巨大成功。
此后，256M DRAM及更高的DRAM研發(fā)上，三星一直處于超越階段。
在技術(shù)上取得突破地位之后，這些韓國巨頭有多恐怖?
按照撲克的數(shù)據(jù)：
以2016年全球半導體20強的營收為例，前20強中美國公司營收總和遙遙領(lǐng)先1197億美元，世界第一;2016年韓國三星+海力士兩家營業(yè)收入為587億美元，僅次于美國位居世界第二;世界第三是我國臺灣，臺積電+聯(lián)發(fā)科+聯(lián)電為423.89億美元;世界第四是歐洲，有三家NXP+英飛凌+ST為243.5億美元。整個歐洲還沒有韓國的一半，是韓國的41.5%;世界第五是日本，索尼+瑞薩+東芝三家加起來是213.74億美元，只有韓國的36.4%。
單從營收來看，韓國是世界第二半導體強國，比歐洲和日本加起來還要多。
實際上，由于存儲器在2017年的瘋狂增長，韓國成為全球半導體領(lǐng)域增長最快的國家。根據(jù)ICinsight 2017年10月的預計，2017年NAND閃存市場強勢增長44%，DRAM市場更是逆天增長74%，兩相加持之下，帶動2017年IC市場將實現(xiàn)強勁增長22%。
也就是說，2017年存儲器占世界半導體的份額不是23%了，而是30%。
這直接使得三星和海力士今年大賺特賺。
韓國芯片廠商SK海力士發(fā)布了第三季度財報。報告顯示，SK海力士Q3凈利潤同比增長411%至30560億韓元(約合27億美元)。這個季度凈利潤是華為一年凈利潤的50%，比索尼和松下一年的凈利潤都多。如果海力士繼續(xù)保持這樣的季度凈利潤，也將成為驚人的百億美元利潤公司。
三星今年第三季度凈利潤更是高達98.7億美元，增長145%，季度凈利直逼蘋果，成為世界最賺錢的兩家公司，比全球所有銀行，保險，石油公司都要賺錢。
但是，但是，如果如果三星這些韓國巨頭單單依靠技術(shù)壟斷就能繼續(xù)躺著再賺個幾十年的錢，我們今天可能也不會考慮專門寫韓國這個國家了。
作為撲克的讀者，可能關(guān)注技術(shù)的人是少數(shù)，更多人更多是從市場甚至是投機這個角度來關(guān)注經(jīng)濟的運行。
產(chǎn)業(yè)的興衰，對于比產(chǎn)業(yè)資本更加敏銳和嗜血的金融資本來說，往往會能發(fā)現(xiàn)像1997年索羅斯狙擊整個亞洲貨幣體系的機會。
尤其是韓國這種整個國家已經(jīng)系于單一產(chǎn)業(yè)的國家，一榮俱榮，一損俱損。
禿鷲，已經(jīng)聞到血腥味
賭國運，對于日本或者韓國這種體量的國家來說，可以說一種必然的選擇。只要押中一次，立馬可以翻身逆襲，從屌絲國家變成發(fā)達國家。
日本因為在50到80年代押對了汽車和電子產(chǎn)品而迅速崛起，韓國因為押對了半導體而迅速成長為今天的發(fā)達國家。
但是賭國運這個策略最大的缺陷在于，賭，意味著整個國家孤注一擲。
在賭對之后不會有問題，可是萬一無法持續(xù)下去呢?這種經(jīng)濟結(jié)構(gòu)單一的國家，會因為在那個支柱產(chǎn)業(yè)的崩塌而使得整個國家被打回原形。
這些年，因為半導體行業(yè)收入的暴漲，吸引了資本不斷涌入韓國的股票市場，推動了三星這種韓國巨頭的股票暴漲。
同時，也使得韓元的匯率節(jié)節(jié)走高，只要韓國的半導體產(chǎn)業(yè)還保持著今天的趨勢，這種正反饋就會一直持續(xù)下去。
然而對于韓國人來說，這是不可能的。
這個行業(yè)利潤太高，中國的缺口又太大，前文提到的“發(fā)達國家粉碎機”效應(yīng)，在未來的幾年有很大的幾率會在韓國身上上演。
中國已經(jīng)設(shè)立了一個初期規(guī)模為1400億元的半導體大基金，并已進入了密集投資期。
這個大基金在上中下游布局的企業(yè)數(shù)量眾多，涵蓋了IC設(shè)計、晶圓制造、封測等領(lǐng)域。從具體的細分行業(yè)來看，大基金主要投向了集成電路制造環(huán)節(jié)，占總體承諾投資額的60%以上，重點扶持中芯國際、三安光電、長江存儲等企業(yè)。半導體行業(yè)，說白了其實不單止是個技術(shù)密集型行業(yè)，更是個資本密集型行業(yè)。
通俗的話就是，要砸錢，不斷砸，不斷砸。
錢多的一方肯定是能撐到最后的一個。
如果中國的半導體產(chǎn)業(yè)能夠順利進行擴張(事實上是有難度的，因為已有的巨頭一定會不斷地依靠市場優(yōu)勢和價格優(yōu)勢甚至人為制造出斷崖式的波動周期來打壓新加入的玩家)，那么對于韓國來說，股匯雙殺的局面很快就會到來，我們將會在不遠的將來，目睹一場對韓國經(jīng)濟進行的教科書式的屠殺。
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