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關(guān)于

激光器

晶圓切割問(wèn)題,

在上次的基礎(chǔ)上補(bǔ)充一些內(nèi)容,大家建議取消文章收費(fèi)設(shè)置,本主覺(jué)得有道理,以后發(fā)文均不收費(fèi)了。

這是一篇關(guān)于晶圓切割的問(wèn)題,主要是我用到的GaAs晶圓,也可以應(yīng)用到InP晶圓等等需要晶面的晶圓上,供大家借鑒。

如下圖,dies從wafer上切割下來(lái),才能進(jìn)行下一步的封裝,切割線(xiàn)在設(shè)計(jì)晶圓的時(shí)候都有考量。

1 晶圓切割

晶圓切割的方法有許多種,常見(jiàn)的有砂輪切割,比如disco的設(shè)備;

激光切割

、劃刀劈裂法,也有金剛線(xiàn)切割等等。

這個(gè)就是砂輪切割,一般就是切穿晶圓,刀片根據(jù)產(chǎn)品選擇,有鋼刀、樹(shù)脂刀等等。

但是對(duì)于

激光

器芯片來(lái)說(shuō)不能進(jìn)行激光或者刀片這些直接物理作用的方法進(jìn)行切割。

比如GaAs或者Inp體系的晶圓,做側(cè)發(fā)光激光時(shí),需要用到芯片的前后腔面,因此端面必須保持光滑,不能有缺陷。切GaAs、InP材質(zhì)具有解離晶面,沿此晶面,自動(dòng)解離出光滑的晶向面,對(duì)發(fā)光效率等影響很大。

因此常用先正面劃開(kāi)一個(gè)豁口,然后用劈刀頂開(kāi)自動(dòng)劈裂。

同時(shí)要保證劈裂方向是完全沿著晶向方向劈開(kāi)的,如上圖a,如果劈裂斜了就可能出現(xiàn)b的現(xiàn)象。

2 激光晶圓切割

1． 晶圓減薄

晶圓減薄至150～100um的厚度,太厚很難切開(kāi),由于硬度問(wèn)題且不一定會(huì)沿著晶向方向。一般激光器的晶圓也需要薄一些,太厚體電阻太大。

2． 貼到專(zhuān)用的藍(lán)膜治具上

3． 沿著紅線(xiàn)劃成一個(gè)一個(gè)的小塊,也叫cell,采用的時(shí)候金剛石劃刀

4． 劃完之后,采用劈裂機(jī)劈開(kāi)。cell就解離出來(lái)了。

5． 取出cell單元,進(jìn)一步切成bar條,黃色的線(xiàn)就表示一根bar條,分別在紅色前后兩端劃出一小段溝槽即可。

6． 劃完之后,采用劈裂機(jī)劈開(kāi),藍(lán)膜在上,cell在下,從上往下劈,紅色是預(yù)先劃的溝槽,由于力的作用,都會(huì)先從溝槽開(kāi)始劈裂。

7． 劈成bar條之后,由于左右兩邊有一部分被劃傷,是不能用作有效芯片的,因此后期這一部分會(huì)被舍掉。因而這一段距離的芯片通常會(huì)做一些其他方面的設(shè)計(jì),比如測(cè)試電極啊,bar條或者chip命名什么的。

到這一步,有的bar條直接拿去測(cè)試了。

8． bar條分成chip

9． 方法同上,也是先劃,后劈,但是激光器側(cè)邊不像前后出光反射面,不需要保持晶向劈裂,因此可以從頭劃到尾。

劈裂完成之后,進(jìn)行擴(kuò)膜,一顆一顆的芯片就ok了。