在華為遭受制裁之后,我們都明白了光刻機與芯片制造的重要性及技術(shù)難度。光刻機雖然是荷蘭ASML公司生產(chǎn)制造,但實際上設備中凝聚了世界科技之精華,比如光源的設計與生產(chǎn)是美國為主、高功率激光部件與鏡頭是德國工藝、部分核心電子設備又有愛爾蘭、荷蘭等國家的技術(shù)支持。
別看美國成天拿著光刻機對著他國又是威脅又是制裁,實際上雖然光刻機的生產(chǎn)制造依賴美國技術(shù),可如果荷蘭、德國哪一天對美國進行技術(shù)封鎖,美國自己也造不出光刻機。換句話來說,目前世界上還沒有一個國家能夠獨立制造光刻機。
光刻機如此難造,那其中到底又有何奧妙呢?我們是做激光板卡的,就從激光部件說說相關知識吧
目前我們所說的光刻機一般指EUV光刻機,EUV指的是極紫外光,這是光刻機的第五代技術(shù),也是目前最先進的技術(shù)。此前的DUV光刻機等前代產(chǎn)品,都是用深紫外光來進行加工處理的,隨著芯片制造工藝發(fā)展到5nm、3nm這一步,原先的光刻技術(shù)面臨考驗,新一代的EUV光刻機就成了半導體制造不可或缺的兵器。
在激光部件方面,EUV光刻機與DUV光刻機最大的不同之處在于光源,前幾代DUV用的光源是深紫外光,其波長為193nm,新一代EUV使用的是波長極短的13.5nm極紫外激光。極紫外激光的產(chǎn)生條件非??量蹋枰獙⒌入x子體加熱到近22萬攝氏度,幾乎是太陽表面溫度的40倍,同時,極紫外光能夠電離幾乎所有組成普通物質(zhì)的原子和分子,這種光不能與空氣接觸,只能在真空中傳播,所以極紫外光也被成為真空紫外光。
為制作極紫外激光相關部件,光刻機制造商荷蘭ASML公司與德國鏡頭制造商Zeiss以及德國光源制造商Trumpf通過多年合作,研制出了一套獨一無二的CO2激光系統(tǒng)。
這套系統(tǒng)能夠每秒發(fā)射出5萬粒錫珠,通過真空室并被激光脈沖擊中,當脈沖擊中錫珠時,錫被電離并產(chǎn)生高強度的等離子體,同時發(fā)出13.5nm極紫外激光,隨后的收集系統(tǒng)將其收集并輸出(13.5nm波長導致激光無法穿過透鏡,所以EUV系統(tǒng)為全反射,包括光罩、掩膜),從而開始對晶圓雕刻。
這套復雜的激光系統(tǒng)包含了極紫外光源、高功率放大鏈路、光束傳輸系統(tǒng)、光學平臺等多個精密合作的核心部件,輸出的激光脈沖超過3萬瓦的平均脈沖功率,峰值功率高達數(shù)兆瓦,是當代激光工藝的頂尖之作。
當然,EUV光刻機包含的先進科技雖然高深神秘,但也并非無法超越,科技發(fā)展風云變幻,沒人可以預測下一個十年的制造業(yè)風向,未來會走向何處如何,還需我們努力向前,沖破阻礙。
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