新浪科技訊 9月14日，英特爾研究人員表示，他們已經(jīng)破解了10納米芯片制造技術難題，為生產能耗更低的先進芯片奠定了基礎。
英特爾Ivy Bridge和Haswell兩種芯片都將采用22納米制造工藝生產，在此之后，英特爾將轉向14納米制造工藝，并預計將在2013年晚些時候或2014年初開始用這種技術制造芯片。周三，在英特爾開發(fā)者論壇上，該公司高管透露他們還掌握了制造10納米芯片的技術。
英特爾技術制造部門工藝架構與整合主管馬克·波爾(Mark Bohr)說：“14納米芯片技術現(xiàn)已處于全面的開發(fā)模式，正在為明年底啟動全面生產做準備。眼下，我將自己的個人時間都用在了10納米技術上面，看上去我們已經(jīng)找到了解決辦法。”
波爾稱，10納米芯片技術可能依賴于一系列實驗性技術，可能涉及光子學、材料合成、最新三柵級晶體管、極紫外光微影(EUV)等方面的技術。在有關如何生產10納米芯片的問題上，英特爾可能會采用沉浸式光刻(immersion lithography)技術，盡管它更希望使用EUV技術。
波爾暗示，使用EUV技術生產10納米芯片存在諸多困難：“我希望采用EUV技術生產10納米芯片，但我認為它屆時還不成熟。”此外，EUV技術的制造成本也高于沉浸式光刻技術。英特爾研究團隊還在積極探索生產7納米和5納米芯片的技術，但這一目標距離現(xiàn)在過于遙遠，因為10納米芯片技術要到2015年才能達到生產標準。
波爾最后表示，與AMD、ARM等競爭對手不同的是，英特爾旗下?lián)碛泻瓦\營著芯片生產工廠。他說：“工藝流程開發(fā)的確需要巨額投資，但也會帶來巨大的經(jīng)濟優(yōu)勢。”
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